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最新专利技术
  • 一种基于聚苯胺-碳系材料的种子层及其在柔性基底上的制备方法
    一种基于聚苯胺-碳系材料的种子层及其在柔性基底上的制备方法_华中科技大学_202511227469.3
    本发明属于柔性电子制造技术领域，公开了一种基于聚苯胺‑碳系材料的种子层及其在柔性基底上的制备方法，方法包括以下步骤：S1：准备导电态聚苯胺材料以及羧酸化的碳系材料粉末，将它们与粘结剂和溶剂混合均匀，形成聚苯胺‑碳系材料复合油墨；S2：准备柔...
    2026-01-25
  • MOF-rGO复合改性锌负极、其制备方法及应用
    MOF-rGO复合改性锌负极、其制备方法及应用_中铝科学技术研究院有限公司_202511140231.7
    本发明提供了一种MOF‑rGO复合改性锌负极、其制备方法及应用。制备方法包括：以GO为原料制备rGO分散液，采用L‑B自组装法，将rGO分散液中的rGO负载至锌箔表面，得到rGO修饰锌箔；将rGO修饰锌箔在锌盐的溶液中进行第一浸渍，然后在有...
    2026-01-25
  • 一种锌离子电池用铜渗透掺杂锌金属负极材料及其制备方法和应用
    一种锌离子电池用铜渗透掺杂锌金属负极材料及其制备方法和应用_湖北工程学院_202510996068.8
    本发明公开了一种锌离子电池用铜渗透掺杂锌金属负极材料及其制备方法和应用，属于电池材料领域。所述负极材料的制备方法包括以下步骤：将铜箔与锌箔堆叠在一起，铜箔的光滑面与锌箔接触，然后卷成圆筒状并固定，在保护气体下进行煅烧，即得到所述铜渗透掺杂锌...
    2026-01-25
  • 一种具有三维铜箔基底的锌负极片及其制备方法和应用
    一种具有三维铜箔基底的锌负极片及其制备方法和应用_湖北工程学院_202510990055.X
    本发明公开了一种具有三维铜箔基底的锌负极片及其制备方法和应用，涉及水系锌离子电池技术领域，针对水系锌离子电池锌负极枝晶生长及副反应导致的循环寿命短、库伦效率低等问题，提供一种三维铜箔基底负载锌阳极的制备方法。通过湿化学法在亲锌铜箔基底上构建...
    2026-01-25
  • 电子器件及其形成方法
    电子器件及其形成方法_星科金朋私人有限公司_202410740203.8
    本申请提供了一种电子器件，其中电子器件包括：封装衬底；两个中介件，两个中介件放置于封装衬底上；电子元件，电子元件安装于两个中介件上，以经由两个中介件电耦合到封装衬底；模盖，模盖形成于封装衬底上，并包括两组互连件，其延伸贯穿模盖且每一组互连件...
    2026-01-25
  • 射频封装及其制造方法
    射频封装及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510743625.5
    本文涉及射频封装及其制造方法。一种射频(RF)封装，包括：RF芯片；耦合元件，其被配置为将RF信号耦合进或耦合出RF封装；RF信号路径，其耦合RF芯片和耦合元件；以及波导，其被布置在RF信号路径中，其中，波导被布置在RF封装内部，并且包括第...
    2026-01-25
  • 一种磁隔芯片的封装结构
    一种磁隔芯片的封装结构_中车株洲电力机车研究所有限公司_202511137077.8
    本发明公开了一种磁隔芯片的封装结构，涉及半导体制造技术领域，包括：至少一个控制端引线框架，每个控制端引线框架上设置有一个控制端基岛，每个控制端基岛上设置有控制端芯片；至少一个应用端引线框架，每个应用端引线框架上设置有一个应用端基岛，每个应用...
    2026-01-25
  • 晶圆结构及制造方法
    晶圆结构及制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511292600.4
    本申请提供了晶圆结构及制造方法，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层的界面键合标记，界面键合标记位于反光图案远离衬底的一侧。反光图案与界面键合标记在垂直于衬底所在平面的方向上至少部分重叠，反光图案的图案...
    2026-01-25
  • 一种异构集成封装结构及其制备方法
    一种异构集成封装结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511213635.4
    本发明提供一种异构集成封装结构及其制备方法，本发明的异构集成封装结构包括：芯片组件；散热板，芯片组件键合至散热板；梯度材料转接结构，位于散热板远离芯片组件的一侧，梯度材料转接结构包括有机载板、玻璃中介层、转接板，有机载板位于散热板远离芯片组...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411703077.5
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底；晶体管；包围晶体管的第一介质层；位于第一介质层上的第二介质层；接触插塞，从第二介质层的表面向下延伸；至少一个导电部，从第二介质层的表面向下延伸，包括第一导电...
    2026-01-25
  • 封装基板及其制造方法
    封装基板及其制造方法_唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司_202511419281.9
    本发明提供了一种封装基板及其制造方法，所述封装基板包括：基板，所述基板中具有开口；导电结构，所述导电结构位于所述开口中并和所述开口的侧壁连接；以及，互连层，所述互连层包括导电垫，所述导电垫位于所述基板的表面并和所述导电结构连接；其中，所述导...
    2026-01-25
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511314905.0
    提供一种封装结构和一种用于制造封装结构的方法。所述封装结构包含第一导电结构和第二导电结构。所述第一导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层。所述第二导电结构接合到所述第一导电结构。所述第二导电结构包含至少一个电介质层...
    2026-01-25
  • 一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构
    一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构_宁波萃锦科技发展有限公司_202511297541.X
    本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构，包括壳体、引线框架、覆铜陶瓷基板以及半导体晶粒；所述引线框架、所述覆铜陶瓷基板和所述半导体晶粒均设置于所述壳体内，且引线框架与覆铜陶瓷基板固定连接；...
    2026-01-25
  • 一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法
    一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511280244.4
    本发明涉及封装基板领域，特别涉及一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法。一种高结合力底部填充封装基板，其特征在于，表面布有非导电膜，非导电膜上布有防焊层，所述防焊层上有开孔，所述开孔内壁为锯齿状，所述开孔内布有焊球。能够提升高密度互连细间...
    2026-01-25
  • 半导体装置封装及其制造方法
    半导体装置封装及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511255872.7
    本申请涉及一种半导体装置封装及其制造方法。一种半导体装置封装包含第一电介质层、第一导电层、电子组件、第二电介质层、第二导电层及封装主体。所述第一电介质层具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面及在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧向表面。所述第...
    2026-01-25
  • 一种玻璃基板结构及其制造方法
    一种玻璃基板结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511242482.6
    本发明公开一种玻璃基板结构及其制造方法，以解决玻璃基板通孔在加工过程中孔口处易开裂的问题。玻璃基板结构包括：玻璃芯板具有相对的第一面和第二面以及多个通孔，每个通孔均贯通第一面和第二面；每个通孔内均填充有导电缓冲结构，导电缓冲结构沿通孔的径向...
    2026-01-25
  • 一种玻璃基板结构和半导体封装基板
    一种玻璃基板结构和半导体封装基板_中国科学院微电子研究所_202511241122.4
    本发明公开一种玻璃基板结构和半导体封装基板，以解决基板切割时玻璃芯板的边缘易发生开裂的问题。玻璃基板结构包括：玻璃芯板具有相对的第一面和第二面，第一面和第二面均覆盖布线线路，玻璃芯板开设多个阵列分布的玻璃芯板单元，相邻两个玻璃芯板单元间具有...
    2026-01-25
  • 一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构
    一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构_成都天成电科科技有限公司_202511206254.3
    本申请涉及一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构，包括：GaAs芯片、GSG、第一GCPW带线、HTCC陶瓷基板、第一信号孔、第一接地孔、第二信号孔、第二接地孔、BGA焊球、第二GCPW带线和PCB板；GaAs芯片设置在HTCC陶...
    2026-01-25
  • 射频前端模组结构及其制作方法
    射频前端模组结构及其制作方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511187257.7
    本发明公开一种射频前端模组结构及其制作方法，该射频前端模组结构包括：第一衬底，第一衬底的正面具有凹槽；高密度互连板，高密度互连板的正面设有多个滤波器芯片，高密度互连板的正面与第一衬底的正面键合并封闭凹槽形成空腔，多个滤波器芯片位于空腔内；高...
    2026-01-25
  • 应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构
    应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构_成都忆芯科技有限公司_202410741887.3
    本申请提供一种应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构，该布线结构包括：位于封装基板内的第一层结构，第一层结构为金属层且包括位于焊球上方的挖空区域，第一层结构的金属层在挖空区域内的部分被去除；位于第一层结构与第二层结构之间的第一过...
    2026-01-25
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