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最新专利技术
  • 应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构
    应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构_成都忆芯科技有限公司_202410741887.3
    本申请提供一种应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构，该布线结构包括：位于封装基板内的第一层结构，第一层结构为金属层且包括位于焊球上方的挖空区域，第一层结构的金属层在挖空区域内的部分被去除；位于第一层结构与第二层结构之间的第一过...
    2026-01-25
  • 一种功率模块的布局结构
    一种功率模块的布局结构_飞锃半导体(上海)有限公司_202511453503.9
    本申请提供一种功率模块的布局结构，所述功率模块的布局结构包括：绝缘基板；第一导电薄膜，位于所述绝缘基板两侧表面，所述第一导电薄膜上形成有若干上桥芯片；第二导电薄膜，位于所述绝缘基板中部表面，所述第二导电薄膜上形成有若干下桥芯片以及上桥源极，...
    2026-01-25
  • 引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法
    引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法_长电科技(宿迁)有限公司_202511397331.8
    一种引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法；引线框架包括：多个引脚，引脚包括用于被塑封层包封的第一引脚部，各个第一引脚部上均设有多个孔部，使得在形成包封引线框架的塑封层的过程中，用于形成塑封层的熔体能够流入至第一引脚部上的孔部中，熔体固...
    2026-01-25
  • 低轮廓功率模块
    低轮廓功率模块_英飞凌科技股份有限公司_202510734282.6
    本文涉及一种低轮廓功率模块。功率模块包括衬底、多个功率半导体管芯、电绝缘外壳、以及用于功率半导体管芯的电接口。衬底包括通过电绝缘主体彼此分隔开的第一金属化侧和第二金属化侧。多个功率半导体管芯附接到衬底的第一金属化侧。电接口能够电绝缘外壳外部...
    2026-01-25
  • 电路基板组件及功率模块
    电路基板组件及功率模块_尼克森微电子股份有限公司_202410737451.7
    本发明提供一种电路基板组件及功率模块。电路基板组件包括第一导电区块、第二导电区块、第一连接胶体以及第一导电层。第一导电区块具有相对的第一顶面及第一底面。第二导电区块具有相对的第二顶面及第二底面，第二导电区块与第一导电区块之间具有第一槽道。第...
    2026-01-25
  • 一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法
    一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511135379.1
    本发明提供了一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法，包括薄银片、涂覆在所述薄银片上下表面的银膏层以及通过所述银膏层固定在所述薄银片上的芯片。本发明的预制银焊片通过独特的结构和工艺设计，在电气性能、热管理性能、工艺适应性以及产品一致性等...
    2026-01-25
  • 半导体单元、半导体器件和电子设备
    半导体单元、半导体器件和电子设备_北京超弦存储器研究院_202410726010.7
    本申请实施例提供了一种半导体单元、半导体器件和电子设备。该半导体单元包括第一晶体管和第二晶体管，沿平行于衬底的第一方向排布。第一晶体管，为双栅晶体管，包括第一栅极、第二栅极和第一半导体层，第一栅极垂直于衬底并用于与读取字线电连接，第一半导体...
    2026-01-25
  • 一种垂直打线引PIN的双面塑封结构及制造方法
    一种垂直打线引PIN的双面塑封结构及制造方法_华天科技(南京)有限公司_202511286288.8
    本发明提供了一种垂直打线引PIN的双面塑封结构，其能够引出更多的功能信号，减轻了前端设计压力，提升了封装集成度。其包括：基板；正面芯片组件和器件组件；背面FC芯片；正面塑封体；背面塑封体；若干垂直焊丝；以及若干凸块；所述基板为双面基板，所述...
    2026-01-25
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510194429.7
    描述了封装结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括半导体管芯和设置在半导体管芯之上的RDL。RDL包括第一电介质层、设置在第一电介质层之上的第二电介质层以及导电特征。导电特征包括设置在第一电介质层中的第一部分和设置在第二电介质层中的第二...
    2026-01-25
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510100168.8
    一种半导体封装包括基底衬底、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一电压接合线、第二电压接合线和第一电容共享接合线。基底衬底包括衬底焊盘。第一半导体芯片沿竖直方向堆叠在基底衬底上，并且包括第一芯片焊盘。第二半导体芯片沿竖直方向堆叠在第一半导体芯...
    2026-01-25
  • 触控显示屏驱动芯片的封装结构、封装方法和显示屏
    触控显示屏驱动芯片的封装结构、封装方法和显示屏_芯颖科技有限公司_202511205723.X
    本申请提供一种触控显示屏驱动芯片的封装结构、封装方法和显示屏，涉及芯片封装领域。所述封装结构包括：显示驱动芯片、功能模块芯片、塑封层和连接点；所述功能模块芯片固定电性连接于所述显示驱动芯片的基底面；其中，所述显示驱动芯片的基底面为所述显示驱...
    2026-01-25
  • 双面式功率装置及其制造方法
    双面式功率装置及其制造方法_尼克森微电子股份有限公司_202410736910.X
    一种双面式功率装置，包括第一功率模块、第二功率模块、二支撑件以及封装胶体。第一功率模块包括第一功率芯片，第二功率模块包括第二功率模块。第一功率模块与第二功率模块相对，定义出封装空间。二支撑件位于封装空间内，分别连接第一功率模块与第二功率模块...
    2026-01-25
  • 一种工程机械电驱总成用阵列热源导向型集成散热装置
    一种工程机械电驱总成用阵列热源导向型集成散热装置_江苏徐工工程机械研究院有限公司_202511156932.X
    本发明涉及热管理技术领域，尤其涉及应用于工程机械电驱系统高热流密度功率器件散热的复合式超薄均热板与水冷板一体化散热结构，具体是涉及一种工程机械电驱总成用阵列热源导向型集成散热装置，能够结合阵列热源导向型毛细相变传热与水冷换热机制、适用于电驱...
    2026-01-25
  • 一种增强散热的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种增强散热的GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511219148.9
    本发明公开了一种增强散热的GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该增强散热的GaN HEMT器件包括外延结构、隔离介质层、源极、漏极、pGaN层、栅极、浮置场板和钝化层。隔离介质层位于势垒层上表面。本发明通过采用不掺杂的Ga...
    2026-01-25
  • 封装结构、半导体封装件及形成半导体封装件的方法
    封装结构、半导体封装件及形成半导体封装件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511154464.2
    本公开的一个方面属于封装结构。封装结构包括接合至衬底的管芯，其中多个第一通道形成在管芯的顶面上；接合至衬底并且位于管芯上方的盖；以及设置在盖和管芯之间并且接触盖和管芯的热界面材料(TIM)，其中热界面材料填充第一通道。本公开的实施例还涉及半...
    2026-01-25
  • 一种适用于芯片封装的散热集成结构
    一种适用于芯片封装的散热集成结构_中国科学院微电子研究所_202511300646.6
    本发明公开一种适用于芯片封装的散热集成结构，涉及集成电路封装与热管理技术领域，以解决目前将多芯片固定在散热热沉上导致的当部分芯片损坏时，需整体更换散热热沉以及其他完好芯片而存在的更换成本高以及材料浪费的问题。适用于芯片封装的散热集成结构包括...
    2026-01-25
  • 一种增材制造晶格状叠层结构芯片散热器
    一种增材制造晶格状叠层结构芯片散热器_联想长风科技(北京)有限公司_202511267910.0
    本发明公开了一种增材制造晶格状叠层结构芯片散热器，涉及电子元件散热技术领域，包括：散热基底，设置于散热器的最底部并与发热芯片接触；导热板，设置于散热基底的上方；晶格区域，设置于散热基底和/或导热板的上方；热管组，嵌入散热基底和导热板内的空腔...
    2026-01-25
  • 一种带正弦肋片的微通道的散热器及其运行方法
    一种带正弦肋片的微通道的散热器及其运行方法_华南理工大学_202511067537.4
    本发明公开了一种带正弦肋片的微通道的散热器及其运行方法，包括上盖板、中层结构板和底盖板；中层结构板上开设有供液体循环流动的微通道；上盖板的一端设置有进液管，另一端设置有出液管；进液管与微通道的端部入口连通，出液管与微通道的尾部出口连通；液体...
    2026-01-25
  • 一种低热阻系数的导热绝缘器件
    一种低热阻系数的导热绝缘器件_上海拜安实业有限公司_202511244000.0
    本发明提供一种低热阻系数的导热绝缘器件，包括第一金属电极和第二金属电极，其分别设置在散热电阻的两个端子上；低热阻系数导热材料，其被填充在所述第一金属电极和第二金属电极之间。本发明提供的低热阻系数的导热绝缘器件，通过设置散热电阻以及第一金属电...
    2026-01-25
  • 一种基于平面埃廷豪森效应的热管理方法、热管理系统
    一种基于平面埃廷豪森效应的热管理方法、热管理系统_中国科学技术大学_202511642141.8
    本发明公开了一种基于平面埃廷豪森效应的热管理方法、热管理系统，包括以下步骤：对磁性材料施加面内磁场进行饱和磁化，以及对所述磁性材料施加面内电流；所述面内电流与所述面内磁场共面，以使得在所述磁性材料中形成面内热流，其中，所述面内热流与所述面内...
    2026-01-25
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