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最新专利技术
  • 一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用
    一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用_四川轻化工大学_202511249287.6
    本发明公开了一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用，属于半导体光电子材料技术领域；一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料的制备方法，包括以下步骤：采用真空沉积工艺在硅基底表面沉积S...
    2026-01-26
  • 晶圆键合方法及晶圆键合结构
    晶圆键合方法及晶圆键合结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511633045.7
    本发明提供晶圆键合方法及晶圆键合结构，在第一晶圆上形成第一键合层以及在第二晶圆上形成第二键合层，第一键合层和第二键合层内具有孔隙，在第一键合层内形成第一致密层并在第二键合层内形成第二致密层，对第一晶圆和第二晶圆进行热处理以使第一键合层和第二...
    2026-01-26
  • 基板处理方法和装置
    基板处理方法和装置_上海芯源微企业发展有限公司_202511412585.2
    本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种基板处理方法和装置，该方法包括将N片基板送入批量湿法处理模块，在批量湿法处理模块中对N片基板同步执行湿法处理；N为大于1的正整数；其中，对N片基板执行湿法处理后，基板的表面存在残留液体；将经过湿法处理的...
    2026-01-26
  • 氮化铝外延层的处理方法
    氮化铝外延层的处理方法_中国科学院半导体研究所_202511278385.2
    本申请提供了一种氮化铝外延层的处理方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在氮化铝外延层表面沉积保护层；对沉积有保护层的氮化铝外延层进行离子注入；去除保护层，对离子注入后的氮化铝外延层进行热退火处理，通过热退火处理在氮化铝外延层界面形成气泡结...
    2026-01-26
  • 显影后冲洗晶圆的方法
    显影后冲洗晶圆的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140730.6
    本申请提供一种显影后冲洗晶圆的方法，包括：步骤一，对实施显影处理后的晶圆表面进行冲洗处理；步骤二，停止旋转晶圆，使去离子水充分覆盖晶圆表面；步骤三，将吸液装置的吸液口移动至晶圆中心后，使晶圆缓慢旋转的同时将吸液口沿晶圆中心线向晶圆边缘移动；...
    2026-01-26
  • 石墨烯扩散阻挡物
    石墨烯扩散阻挡物_应用材料公司_202511049659.0
    公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。
    2026-01-26
  • 一种自冷却的反光器和激光维持光源
    一种自冷却的反光器和激光维持光源_苏州矽行半导体技术有限公司_202511191597.7
    本发明提供了一种自冷却的反光器和激光维持光源，属于半导体设备用光源领域，反光器包括反光镜体、反光镜座、反光冷却组件、反光测温器；反光冷却组件连接至反光镜座并提供冷却；激光维持光源包括光源灯泡、引弧组件、激光供给模块、反光器、出光窗组、光陷阱...
    2026-01-26
  • 一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量自动调节方法
    一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量自动调节方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511147104.X
    本发明公开了一种单颗粒质谱仪及其电离激光能量的自动调节方法，本发明通过对测径激光散射光的测量，调整电离激光能量，以满足不同颗粒物的最佳激光电离能量。将信号分成两个信号，一路用于检测小粒径颗粒的弱信号，一路通过信号衰减用于检测大粒径颗粒的强信...
    2026-01-26
  • 拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器
    拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511162642.6
    本发明公开了拓宽非浓缩型空气动力学透镜粒径传输范围的质谱仪器，本发明在临界孔前端加上一个预聚焦结构，通过预聚焦结构的作用，把大于100nm的颗粒更靠近轴线，使离开临界孔的束流宽度和发散角大幅减小，从而减小颗粒与传输系统内壁碰撞的可能性，进而...
    2026-01-26
  • 用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法
    用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511331803.X
    本发明提供了用于刻蚀机台的衬套、刻蚀机台及刻蚀排气方法，涉及半导体制造技术领域。包括：衬套本体，用于设置在反应腔室内，所述衬套本体中心开设有过孔，用于静电卡盘的通过，所述衬套本体上开设有多个排气口，多个所述排气口环形阵列分层设置；多个排气管...
    2026-01-26
  • 视窗组件、监测装置及半导体工艺设备
    视窗组件、监测装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511299825.2
    本申请公开一种视窗组件、监测装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。视窗组件包括安装基座、保护窗和观察窗，安装基座设有透光通道，保护窗设置于透光通道内，透光通道的第一端用于与半导体工艺设备的工艺腔室设置的监测孔相对，观察窗与安装基座相连，...
    2026-01-26
  • 一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法
    一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202511291304.2
    本申请提供了一种基于液氮控温的半导体温控装置及其控制方法，涉及半导体温控技术领域，该温控装置主要由液氮储槽、液氮汽化器、气体换热器、液氮蒸发装置、气体收集器、超低温温控系统、液氮收集装置、自增压装置、单向阀、压力传感器、温度传感器组成，通过...
    2026-01-26
  • 等离子体处理装置和基板支承部组件
    等离子体处理装置和基板支承部组件_东京毅力科创株式会社_202511274555.X
    本发明涉及等离子体处理装置和基板支承部组件。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外...
    2026-01-26
  • 基板处理装置、等离子体生成装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质
    基板处理装置、等离子体生成装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质_株式会社国际电气_202511235291.7
    本发明提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。该技术具备：反应管，其具有处理基板的处理室和形成等离子体的缓冲室；以及加热装置，其对反应管进行加热，在缓冲室具备：被施加高频电力且长度不同的至少两个施加电极；被赋予基准电位的基准...
    2026-01-26
  • 下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511204087.9
    本申请公开了一种下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该下电极结构包括下电极本体、射频馈入管组件和通气组件，射频馈入管组件的第一端与下电极本体电连接，射频馈入管组件的第二端用于与射频电源电连接；射频馈入管组件具有管内空间，管内空间的第...
    2026-01-26
  • 一种匀气环和原子层刻蚀腔室
    一种匀气环和原子层刻蚀腔室_中国科学院微电子研究所_202511187640.2
    本发明公开一种匀气环和原子层刻蚀腔室，以解决传统匀气环工作时边缘与中心区气体流速不均的问题。匀气环包括：匀气环本体为圆形环状结构，匀气环本体内壁和外壁均沿匀气环本体底部至顶部方向朝向圆形环状结构的轴向倾斜，匀气环本体壁厚由顶部至底部逐渐减小...
    2026-01-26
  • 进气装置及半导体工艺设备
    进气装置及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511120329.6
    本发明提供了一种进气装置及半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域，为解决相关技术提供的进气装置的进气孔在加工完成后，孔径固定，无法实现进气量的实时调节的问题而设计。该进气装置包括进气腔室、匀气板和若干气量调节柱，进气腔室具有相对且间隔的第一...
    2026-01-26
  • 内衬结构、半导体工艺腔室及其点火方法
    内衬结构、半导体工艺腔室及其点火方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410741954.1
    本发明提供一种内衬结构、半导体工艺腔室及其点火方法，内衬结构，包括：内衬组件，内衬组件包括周向设置的多个子内衬，相邻的子内衬之间绝缘设置；多个阻抗调节单元，与所有子内衬对应设置并电连接，每个子内衬和对应的阻抗调节单元均用于连接在射频源与参考...
    2026-01-26
  • 等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法
    等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法_长江存储科技有限责任公司_202410733693.9
    本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高半导体器件的良率。本申请实施例提供的等离子体刻蚀装置包括处理室和线圈，其中处理室设有第一腔室壁，线圈位于第一腔室壁背离容腔的一侧，线圈用于流通电流，进...
    2026-01-26
  • 剂量控制电路、剂量控制系统和离子注入机
    剂量控制电路、剂量控制系统和离子注入机_北京北方华创微电子装备有限公司_202410741499.5
    本申请提供了一种剂量控制电路、剂量控制系统和离子注入机，剂量控制电路包括：转换模块和控制模块；其中，转换模块用于响应于量测电流，并输出对应的扫描电压给控制模块；量测电流有法拉第杯提供，用于表征偏转的离子束剂量；控制模块用于响应于片选信号，并...
    2026-01-26
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