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最新专利技术
  • 一种Micro-LED元件及电子器件
    一种Micro-LED元件及电子器件_厦门大学_202511215763.2
    本发明公开了一种Micro‑LED元件及电子器件，应用于微发光二极管技术领域，超表面为通过以下方法制备而成的超表面：确定LED主体结构出光侧表面各个区域的相位信息；基于基准相位对各个相位信息进行补偿，确定各个区域对应纳米结构单元的补偿相位；...
    2025-11-29
  • 发光结构及其制备方法
    发光结构及其制备方法_深圳市思坦科技有限公司_202511167308.X
    本申请提供一种发光结构及其制备方法，发光结构的微型发光二极管芯片包括多个像素单元；疏水层设置于微型发光二极管芯片的一侧，疏水层包括疏水区和亲水区，疏水区和亲水区均覆盖至少一个像素单元；微透镜阵列包括与多个像素单元一一对应设置的多个微透镜单元...
    2025-11-29
  • 显示屏及其制造方法
    显示屏及其制造方法_庆鼎精密电子(淮安)有限公司_202410659078.8
    一种显示屏的制造方法，包括步骤：提供一可分离载板。于所述可分离载板的一侧设置多个发光件，每一所述发光件的截面宽度小于50微米。于多个所述发光件背离所述分离载板的一侧交替堆叠多个异方性导电膜和多个线路层，所述发光件通过所述异方性导电膜与所述线...
    2025-11-29
  • Micro-LED巨量转移方法
    Micro-LED巨量转移方法_深圳市南极光电子科技股份有限公司_202511119215.X
    本发明提供Micro‑LED巨量转移方法，涉及Micro‑LED显示技术领域，适用于高分辨率显示及车载显示等领域。该方法通过应力场‑电场耦合拾取、热场‑流场协同释放，结合光学闭环控制实现高精度转移；采用梯度界面能涂层和跨尺度弹性设计，将芯片...
    2025-11-29
  • 一种节能中空光电玻璃制作方法
    一种节能中空光电玻璃制作方法_莱特泰克(昆山)光电科技有限公司_202511440414.0
    本发明公开了一种节能中空光电玻璃制作方法，涉及光电玻璃技术领域，包括步骤：S1、检查基板的导电膜状态，并在分析处理后进行自动修复；S2、采用分片扫描方式进行激光蚀刻电路；S3、检查基板的蚀刻状态，并在分析处理后进行补正蚀刻；S4、对基板进行...
    2025-11-29
  • 基于多量子阱结构的发光探测一体化加工方法及制品
    基于多量子阱结构的发光探测一体化加工方法及制品_南方科技大学_202511158810.4
    本发明涉及基于多量子阱结构的发光探测一体化加工方法及制品，包括以下步骤：在SiO2生长掩膜上选定两处不同大小的生长区域，并在选定的两处生长区域分别进行刻蚀，对两处刻蚀位置分别选择性外延生长InGaN/GaN量子阱，形成发光器件和光探测器件，...
    2025-11-29
  • 临时基板、显示面板的制造方法、显示面板及显示装置
    临时基板、显示面板的制造方法、显示面板及显示装置_成都辰显光电有限公司_202410634987.6
    本申请实施例提供一种临时基板、显示面板的制造方法、显示面板及显示装置，临时基板包括：第一基板和遮光层，遮光层设置于第一基板一侧，遮光层的材料包括热缩材料。在通过临时基板制作显示面板时，通过遮光层压合至发光单元的出光面及两个发光单元之间形成遮...
    2025-11-29
  • 具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件及其制造方法
    具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件及其制造方法_威弗洛得有限公司_202510682282.6
    本发明涉及具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件及其制造方法。根据本发明的实施例提供了具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件，该mLED器件包括：器件结构，该器件结构包括：具有n型导电性的n型半导体层；具有p型导电性...
    2025-11-29
  • 具有增强色彩质量的白光发光器件
    具有增强色彩质量的白光发光器件_普瑞光电股份有限公司_202511091810.7
    一种发光器件，包括：用于产生蓝光的发光二极管(LED)；用于产生绿光的绿色荧光粉；以及用于产生红光的锰激活氟化物窄带红色荧光粉；其中，光谱的红色区域的最大强度与光谱的黄色至橙色区域的最小强度之比约为5.0至15.0。
    2025-11-29
  • 发光装置
    发光装置_斯坦雷电气株式会社_202510656982.8
    提供了发光装置。根据本发明的发光装置包括基板结构、第一上表面电极、第二上表面电极、发光元件、第一下表面电极、第二下表面电极和透光构件。第一上表面电极在一个区域中形成在第一通孔组上。第二上表面电极在一个区域中形成在第二通孔组上。发光元件跨第一...
    2025-11-29
  • 发光装置
    发光装置_日亚化学工业株式会社_202510661011.2
    本发明的课题在于，提供一种发光装置，可使光提取效率的提高与介电膜和透光性部件间的接合强度的提高两全。技术方案是一种发光装置，其具有含发光层的半导体部，设置于所述半导体部的上表面、含氧化物的介电膜，以及设置于所述介电膜的上表面的透光性部件，所...
    2025-11-29
  • 发光装置及发光装置的制造方法
    发光装置及发光装置的制造方法_斯坦雷电气株式会社_202510657706.3
    本申请涉及发光装置及发光装置的制造方法。提供了能够抑制发光元件的气密密封的破坏的发光装置及其方法。该发光装置包括基板结构、第一上表面电极、第二上表面电极、发光元件、第一下表面电极、第二下表面电极和透光构件。第一上表面电极在一个区域中形成在第...
    2025-11-29
  • 发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202511161799.7
    本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及光电器件领域。发光二极管外延结构包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括交替层叠的InG...
    2025-11-29
  • 半导体元件
    半导体元件_晶元光电股份有限公司_202510675167.6
    本发明公开一种半导体元件，包括基底、位于基底上的半导体叠层、以及位于半导体叠层上的第一半导体层。半导体叠层包括与基底相邻的第一半导体结构、位于第一半导体结构上的第二半导体结构、以及位于第一半导体结构与第二半导体结构之间的第一主动区域。第一半...
    2025-11-29
  • 一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片
    一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511104538.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片。所述的制备方法通过改进P型第一绝缘层通孔和N型第一绝缘层通孔的制备工艺，在光刻板上设置部分曝光区域，保留P型区开孔的部分光刻胶，刻蚀后P型区开...
    2025-11-29
  • 一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511104536.2
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，该制备方法通过沉积不同腐蚀速率的第二绝缘层子层，结合光刻保护工艺，可在BOE腐蚀后保留开孔上方的部分第二绝缘层，从而避免BOE溶液钻腐，防止了形成Al金属空洞，提...
    2025-11-29
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_苏州迈为科技股份有限公司_202511123330.4
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，涉及半导体技术领域，该太阳能电池中第一表面的第一区域设置第二绒面结构，可以使太阳能电池的反射率更低，从而具有更高的陷光效率，第一表面的突出部设置第一绒面结构，由于第一绒面结构中的第一金字塔结构的尺寸大，...
    2025-11-29
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411660837.9
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层、第一焊盘、第二焊盘、第一电极和第二电极；第一掺杂层和第二掺杂层间隔设于硅衬底的表面上，第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同；第一电极和第二电极分别设...
    2025-11-29
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411463387.4
    本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括硅衬底，所述硅衬底的相对设置的两侧上分别设置有功能膜层，各所述功能膜层连接有栅线，至少一侧上的所述功能膜层与所述硅衬底的该侧在局部区域上共同内陷而形成陷光槽，所述陷光槽的槽壁具有第一绒面结...
    2025-11-29
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411013438.3
    本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括：硅基底，硅基底具有受光面、背光面和侧面；受光面和/或背光面具有第一金字塔结构，第一金字塔结构的塔底的对角线长度D1满足：0μm＜D1≤5μm，高度H1满足：0...
    2025-11-29
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