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最新专利技术
  • 存储器件的制备方法
    存储器件的制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410654994.2
    本公开提供了一种存储器件的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。其中，存储器件的制备方法，包括：形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层；形成第二堆叠结构，第二堆叠结构包括交替层...
    2025-11-30
  • 管理半导体装置中的连接结构
    管理半导体装置中的连接结构_长江存储科技有限责任公司_202410658248.0
    本公开内容涉及用于管理半导体装置中的连接结构的方法、装置、系统和技术。一种示例半导体装置包括沿第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。半导体装置的连接区域与半导体装置的阵列区域相邻。半导体装置还包括沿第一方向延伸的触点结构。触点结构包...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511163584.9
    本发明提供了一种半导体器件，其具有衬底、字线、多个接触插塞和多个电容结构，其中，所述接触插塞与所述字线交替设置，且至少两个所述接触插塞的顶部相联在一起，由此使其中一电容结构与该顶部相联在一起的接触插塞电性接触，且宽度大于其余电容结构，由此，...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511161355.3
    本发明提供了一种半导体结构，包括基板，设置在基板中的着陆垫，在基板上且覆盖着陆垫的绝缘层，以及穿过绝缘层并连接着陆垫的电容。电容可视为混成电容，包括单面电容和位于单面电容上的双面电容，可提高内部介电层和外部介电层之间的均匀性，并进一步提高电...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511161286.6
    本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在利用位线组和隔离线组界定出节点接触窗阵列的基础上，还进一步设置辅助线，以利用辅助线界定出辅助接触窗在节点接触窗阵列的外围，此时基于该辅助接触窗，即可以有效均衡节点接触窗阵列中边缘区域和中间区域的节点...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510673064.6
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括纳米片的垂直排列和水平排列，纳米片包括弯曲片、锥形片和在弯曲片和锥形片之间沿第一水平方向延伸的水平片；第一导线的垂直排列，第一导线围绕水平排列中的纳米片的水平片并沿第二水平方向延伸；第二导线的...
    2025-11-30
  • 三维(3D)存储器中的多面存储节点
    三维(3D)存储器中的多面存储节点_美光科技公司_202510663633.9
    本公开涉及三维(3D)存储器中的多面存储节点。提供用于三维存储器中的多面存储节点的方法及设备。竖直堆叠存储器单元阵列可包含水平定向存取装置，其具有水平形成于彼此不同的层阶处的栅极、沟道区及由所述沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区...
    2025-11-30
  • 三维(3D)存储器阵列中的衬底隔离
    三维(3D)存储器阵列中的衬底隔离_美光科技公司_202510656866.6
    提供用于三维3D存储器阵列中的衬底隔离的系统、方法及设备。形成在衬底上的竖直堆叠存储器单元的3D阵列，所述竖直堆叠存储器单元具有水平定向存取装置及存储节点，可包含：数字线衬层的第一部分，其形成在所述衬底上；所述数字线衬层的第二部分，其形成在...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510578962.3
    一种半导体器件，包括：在位线结构上的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间的单元栅极结构；以及在位线结构和单元栅极结构之间的分离结构。单元栅极结构包括：分别与第一有源图案和第二有源图案相邻的第一栅电极和第二栅电极；在第...
    2025-11-30
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510439343.6
    一种半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域以及限定在单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，设置在衬底中，并且隔离单元区域和外围区域；第一单元栅极结构，设置在单元区域和单元区域隔离膜中，并且包括在第一方向上延伸的第一单元栅电极；以及第一单元...
    2025-11-30
  • 半导体器件以及制造该半导体器件的方法
    半导体器件以及制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510393418.1
    一种半导体器件包括：位线，在衬底上在第一方向上延伸；栅极隔离绝缘层，设置在位线上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸且在第三方向上直立；沟道层，沿栅极隔离绝缘层的侧表面以及栅极隔离绝缘层和相邻栅极隔离绝缘层之间的位线的顶表面延伸；覆盖绝缘...
    2025-11-30
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510183229.1
    一种半导体存储器件，包括：衬底；布置在衬底上的隔离绝缘层；布置在衬底上以在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此分开的多个字线；在隔离绝缘层上在垂直方向上延伸的位线；在与第一水平方向正交的第二水平方向上从位线延伸并且在垂直方向上彼此分开的多...
    2025-11-30
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510036768.2
    一种半导体存储器件可以包括：衬底；第一器件隔离图案和第二器件隔离图案，所述第一器件隔离图案和第二器件隔离图案在第一方向上具有彼此不同的宽度；第一有源图案，所述第一有源图案位于所述第一器件隔离图案与所述第二器件隔离图案之间；以及字线，所述字线...
    2025-11-30
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411339535.1
    根据本发明的一态样，提供一种半导体装置的制造方法。方法包括以下步骤。提供一种半导体结构，其中该半导体结构包括基板、基板中的主动区域、主动区域中的底部导电层、底部导电层上的顶部导电层、基板上的覆盖层及围绕顶部导电层并覆盖在覆盖层上的衬层。执行...
    2025-11-30
  • 动态随机存取存储器结构
    动态随机存取存储器结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410722916.1
    本发明公开一种动态随机存取存储器结构，包括基底、字线结构、第一掺杂区、第二掺杂区、电容器结构、通孔、第一介电层与位线。基底包括彼此相对的第一面与第二面。字线结构邻近于第一面设置。第一掺杂区与第二掺杂区位于基底中且彼此分离。电容器结构位于第一...
    2025-11-30
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410653075.3
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；于所述第一区域上形成由多个第一材料层和多个第二材料层交替堆叠的叠层结构；执行第一刻蚀，于所述叠层结构的一端形成凹槽，所述凹槽的底部...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件、电子设备
    一种半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410650358.2
    一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括：设置在衬底上的至少一层存储单元阵列；每层所述存储单元阵列包括多个存储单元、沿平行于衬底的第二方向延伸的多条字线；所述存储单元包括沿平行于衬底的第一方向分布的晶体管和电容器；每个存储单元连接一条字线，...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410642753.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。半导体器件包括：衬底和设置在衬底上的叠层结构，叠层结构包括沿远离衬底方向依次设置的第一电极、绝缘层和第二电极，叠层结构包括沿垂直于衬底的方向延伸的孔，孔贯穿第二电极、绝缘...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410641130.7
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括共享位线与读取源线以及存储单元。共享位线与读取源线沿第一方向排列，且二者均沿第二方向延伸。存储单元位于共享位线与读取源线之间。其中，写晶体管的写入沟道层环绕写入栅介质层，且在第一方向上连接...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410629745.8
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统。该半导体结构包括：半导体柱，沿第一方向延伸；以及栅极层，位于半导体柱的一侧；其中，栅极层的电阻率小于35μΩ·cm。
    2025-11-30
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