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最新专利技术
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410624379.7
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中，太阳电池包括基底以及依次设置在基底上的第一传输层、钙钛矿层、第二传输层和银碳复合电极，银碳复合电极位于第二传输层的表面，银碳复合电极包括第一电极层和第二电极层，第一电极层中包括导电聚合物...
    2025-11-30
  • 基于氟化锂钝化层的钙钛矿电池及其制备方法
    基于氟化锂钝化层的钙钛矿电池及其制备方法_中矿资源(天津)新材料有限公司_202511514279.X
    本发明属于钙钛矿电池技术领域，本发明公开了一种基于氟化锂钝化层的钙钛矿电池及其制备方法，包括以下步骤：步骤1，在基底上依次制备导电层、空穴传输层以及钙钛矿吸收层；步骤2，在所述钙钛矿吸收层的顶部利用射频磁控溅射制备氟化锂钝化层，所述射频磁控...
    2025-11-30
  • 一种小分子埋底界面修饰钙铁矿太阳能电池的方法
    一种小分子埋底界面修饰钙铁矿太阳能电池的方法_中国科学院过程工程研究所_202511162113.6
    本发明属于光伏太阳能材料技术领域，公开了一种小分子埋底界面修饰钙铁矿太阳能电池的方法，用以解决钙钛矿太阳能电池的光电转换效率低和稳定性差的问题。将卤代的单噻二唑或卤代的多噻二唑分子作为埋底界面层，引到空穴传输层和钙钛矿层之间。界面层在空穴传...
    2025-11-30
  • 一种无空穴传输层的P型钙钛矿太阳能电池
    一种无空穴传输层的P型钙钛矿太阳能电池_华中科技大学_202511018828.4
    本发明公开了一种无空穴传输层的P型钙钛矿太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。一种无空穴传输层的P型钙钛矿太阳能电池，采用无空穴传输层的器件构型，从下至上依次包括基底、电子传输层、钙钛矿层和背电极；钙钛矿层采用p型导电的钙钛矿材料，钙钛矿层作...
    2025-11-30
  • 电子传输层及制备方法、太阳电池及制备方法、光伏组件
    电子传输层及制备方法、太阳电池及制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410627832.X
    本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种电子传输层及制备方法、太阳电池及制备方法、光伏组件，所述电子传输层通过C60和二氧化锡多源共蒸得到，其中所述C60和所述二氧化锡质量比为3 : 1～6 : 1，该电子传输层具有较高的透光率，提高钙钛矿层的...
    2025-11-30
  • 显示模组及其封装方法
    显示模组及其封装方法_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511061550.9
    本申请适用于显示设备技术领域，提供了一种显示模组及其封装方法。显示模组包括：显示部，包括发光件；以及，封装部，包裹显示部，并具有第一表面，第一表面设置有出光孔，发光件通过出光孔向外出光；第一表面设置有第一吸光结构，第一吸光结构朝向背离第一表...
    2025-11-30
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_上海天马微电子有限公司_202511148860.4
    本发明描述了一种显示面板和显示装置。本发明提供的显示面板包括衬底；位于所述衬底上的阵列层；位于所述阵列层远离所述衬底一侧上的光学层以及多个发光器件；其中，所述光学层位于所述发光器件之间的间隔中。本发明还提供了包含上述显示面板的显示装置。通过...
    2025-11-30
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511140484.4
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板及设于基板一侧的发光显示层，发光显示层包括多个像素组，多个像素组中的任意一个像素组包括：至少两个发光器件，至少两个发光器件设于基板；第一反光部件，第一反光部件设于其中任意一个发光器件的出光路...
    2025-11-30
  • 电子装置
    电子装置_三星显示有限公司_202510528778.8
    公开了一种包括显示装置的电子装置。该显示装置包括被构造为发射源光的显示面板和在显示面板上的光控制层。光控制层包括分隔壁、包含第一颜色转换材料的红光控制部以及包含第二颜色转换材料的绿光控制部。第一颜色转换材料包括红色量子点，并且第二颜色转换材...
    2025-11-30
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511414864.2
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括：基底；第一导电层，位于基底的一侧，第一导电层包括多条走线；多个发光元件，位于第一导电层远离基底的一侧，且与对应的走线电连接；油墨层，位于第一导电层远离基底的一侧；其中，走线包括多个第一开孔，显...
    2025-11-30
  • 一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法
    一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454136.4
    本申请公开了一种Si基混合集成Micro‑LED芯片及制备方法，芯片以Si衬底为核心集成载体，正面通过区域化选择性外延直接生长GaN基蓝绿光Micro‑LED阵列，同时通过晶圆键合集成AlGaInP基红光Micro‑LED阵列，背面集成CM...
    2025-11-30
  • 子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
    子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法_成都辰显光电有限公司_202410614378.4
    本申请实施例提供一种子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，子面板包括发光层、第一光学调整层和第二光学调整层；第一光学调整层与发光层层叠设置并位于发光层的出光侧，第一光学调整层能够透射和反射发光层发出的光；第二光学调整层，设置于发光...
    2025-11-30
  • LED显示模组及其制备方法、LED显示屏
    LED显示模组及其制备方法、LED显示屏_海信视像科技股份有限公司_202511055041.5
    本申请提供一种LED显示模组及其制备方法、LED显示屏，涉及显示技术领域，该LED显示模组包括：玻璃基板、多个LED芯片、封装层、光学膜和侧边保护层，玻璃基板具有第一表面；多个LED芯片阵列排布在第一表面；封装层至少覆盖LED芯片和第一表面...
    2025-11-30
  • 一种低蓝光黄光LED装置及制备方法
    一种低蓝光黄光LED装置及制备方法_深圳市同一方光电技术有限公司_202510931138.1
    本申请涉及LED封装领域，尤其涉及一种低蓝光黄光LED装置及制备方法，包括：封装载体；设置于所述封装载体上的固晶胶；芯片，所述芯片邦定于所述固晶胶上；覆盖所述芯片的荧光粉层，由窄波黄绿粉(540‑550nm)与窄波橙黄粉(570‑600nm...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510222211.8
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一电极；设置在所述基板上并远离所述第一电极的第二电极；以及被配置为连接所述第一电极和所述第二电极的片状导电片，其中，所述导电片包括连接至所述第一...
    2025-11-30
  • 一种堆叠全彩MicroLED器件
    一种堆叠全彩MicroLED器件_北京中微赛尔科技有限公司_202511123709.5
    本发明公开的堆叠全彩MicroLED器件，包括：衬底；LED半导体层，设置于所述衬底上，所述LED半导体层包括多个呈阵列排布的多个LED单元，相邻的LED单元能够被独立的驱动，所述LED单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述...
    2025-11-30
  • 高压发光二极管及发光装置
    高压发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202410565990.7
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及高压发光二极管及发光装置，该高压发光二极管，高压发光二极管，包括：衬底；多个发光单元，设置于所述衬底上，且各发光单元之间通过隔离槽间隔；桥接电极，横跨于隔离槽上方，且将相邻两个发光单元电连接；其特征在于，所...
    2025-11-30
  • 一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片
    一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片_北京大学_202511508814.0
    本发明提供了一种微型发光二极管阵列芯片制备方法及芯片，涉及微型发光二极管显示技术领域，包括：在微型发光二极管外延片的上表面制备两种掩膜阵列，并根据其覆盖范围将微型发光二极管外延片划分为隔离区、保护区和像素区；实施离子注入，使得隔离区、保护区...
    2025-11-30
  • 一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法
    一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511476491.1
    本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法，包括以下步骤：S1，外延清洗；S2，图形化光刻；S3，ICP干法刻蚀；S4，S4，湿法修复药液配置；S5，侧壁损伤湿法处理；S6，后处理；S7，效果表征；本申请针对...
    2025-11-30
  • 一种Micro-LED微显示器件及其制备方法
    一种Micro-LED微显示器件及其制备方法_南昌大学_202510999100.8
    本发明公开了一种Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及半导体显示技术领域，通过简单的技术方案即可解决现有技术中存在的光学串扰、电流分布不均的问题。制备方法包括以下步骤：在衬底上生长GaN基外延层；对GaN基外延层进行台面刻蚀，在中心...
    2025-11-30
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