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最新专利技术
  • 液处理装置、液处理方法和存储介质
    液处理装置、液处理方法和存储介质_东京毅力科创株式会社_202510562581.6
    本发明提供在对基片进行液处理时，防止因处理液的温度变化而产生不良情况的液处理装置、液处理方法和存储介质。液处理装置包括：向基片吐出从处理液供给源供给的处理液的喷嘴；将处理液供给源与喷嘴连接的第一流路；第二流路，一端与第一流路中的第一连接部连...
    2025-12-03
  • 基片处理装置和在线圈的周围设置铁氧体屏蔽部的方法
    基片处理装置和在线圈的周围设置铁氧体屏蔽部的方法_东京毅力科创株式会社_202510561855.X
    本发明提供一种基片处理装置，在不损害非接触供电的效率的情况下有效地防止磁通泄漏。基片处理装置包括：保持基片的旋转台；旋转驱动部，使旋转台绕旋转轴线旋转；至少1个电加热器，设置于旋转台；至少1个受电线圈，其设置于旋转台，与电加热器电连接；至少...
    2025-12-03
  • 热处理装置和热处理方法
    热处理装置和热处理方法_东京毅力科创株式会社_202510550852.6
    本发明提供一种热处理装置和热处理方法，能够使在基板形成膜时因泡引起的缺陷减少。本公开的热处理装置具备：载置部，形成于基板的膜固化前的该基板被载置于该载置部；以及加热部，其以低于所述膜中包含的溶剂的沸点的温度将载置于所述载置部的所述基板进行加...
    2025-12-03
  • 接合装置
    接合装置_株式会社新川_202510529337.X
    本发明实现接合的可靠性提高。接合装置(1)包括：搬送机构(20)，对基板(SB)进行搬送；接合工具(43)，将电子零件(CH)接合在基板(SB)；以及抗氧化路径(100)，具有沿着搬送机构(20)延伸并包围搬送机构(20)的壁部(110)，...
    2025-12-03
  • 接合装置
    接合装置_株式会社新川_202510527783.7
    本发明实现接合的可靠性提高。接合装置(1)包括：搬送机构(20)，对基板(SB)进行搬送；接合工具(43)，将电子零件(CH)接合在基板(SB)；以及抗氧化路径(100)，具有沿着搬送机构(20)延伸并包围搬送机构(20)的壁部(110)，...
    2025-12-03
  • 晶圆的检测装置及晶圆的检测方法
    晶圆的检测装置及晶圆的检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511096636.5
    本发明提供了一种晶圆的检测装置及晶圆的检测方法，所述装置包括：检测台、多个驱动传感器、控制器和notch定位感应器；所述多个驱动传感器设置在所述检测台上，所述多个驱动传感器用于承载晶圆且生成所述晶圆的多个检测区域所对应的多个重力检测数据；所...
    2025-12-03
  • 一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置
    一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511095534.1
    本发明提供了一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括在对第一批次晶圆集中每个晶圆依次进行预设测试的过程中，实时获取每个晶圆的预设测试结果，得到第一批次晶圆集的第一检测结果，第一检测结果包括至少L个晶圆的预设测试...
    2025-12-03
  • 晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备
    晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备_广州增芯科技有限公司_202511093747.0
    本申请提供一种晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备，涉及芯片检测技术领域。该晶圆缺陷检测方法包括：控制目标超声设备向键合晶圆依次发射多个超声波信号，其中，目标超声设备的超声探头上设置有：多个换能器单元；多个换能器单元包括：至少两个不同探测...
    2025-12-03
  • 宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法
    宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法_中国计量大学_202511067717.2
    本发明公开一种宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法，包括：制备不同质量的宽禁带半导体晶圆衬底并生长外延薄膜；在不同的温度下利用多光谱增强椭偏仪在外延薄膜的同一个位置分别测量拉曼光谱、白光干涉光谱和椭偏光谱；根据拉曼光谱和白光...
    2025-12-03
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996404.9
    形成半导体器件的方法包括：在互连结构上方形成导电焊盘，并且导电焊盘电耦接至互连结构，其中互连结构设置在衬底上方并且电耦接至形成在衬底上的电子组件；在导电焊盘和互连结构上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成牺牲测试结构，并且牺牲测试结构电耦接至...
    2025-12-03
  • 一种基于CMP清洗后的TSV晶圆重金属残留检测分析方法及系统
    一种基于CMP清洗后的TSV晶圆重金属残留检测分析方法及系统_立川(杭州)半导体设备有限公司_202510955933.4
    本申请提供一种基于CMP清洗后的TSV晶圆重金属残留检测分析方法及系统，涉及集成电路技术领域，用于改善检测分析方法评估结果不够准确的技术问题。方法包括：获取待分析晶圆的表面形貌数据和表面重金属浓度分布数据；基于表面形貌数据，将待分析晶圆的表...
    2025-12-03
  • 一种阳极键合定位装置及其使用方法
    一种阳极键合定位装置及其使用方法_苏州大学_202511472144.1
    本发明公开了微电子制造技术领域的一种阳极键合定位装置及其使用方法，包括：框架、键合定位机构和运料机构；其中，所述键合定位机构包括加热盘、键合压枪、压枪推杆、压枪凸轮、转杆、转杆支柱、挡板凸轮、挡板推杆和定位挡板；所述转杆穿过压枪凸轮和挡板凸...
    2025-12-03
  • 一种阳极键合方法
    一种阳极键合方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511128470.0
    本申请提供了一种阳极键合方法，属于阳极键合技术领域。所述方法为：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底为具有多层结构的硅基衬底，包括介质层和形成在介质层上的硅层；将第一衬底和第二衬底在竖直方向上对准，使第一衬底的硅层朝向第二衬底的待沉积表面，两者...
    2025-12-03
  • 一种功率模块的焊接方法及功率模块
    一种功率模块的焊接方法及功率模块_南方科技大学_202510861619.X
    本发明公开一种功率模块的焊接方法及功率模块，焊接方法包括步骤：提供基体和待焊物，基体的表面包括第一金属层，待焊物的表面包括第二金属层；在第一金属层上设置焊接层；对焊接层的表面和第二金属层的表面进行表面活化处理后相对设置，通过热压键合形成功率...
    2025-12-03
  • 面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器
    面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器_德氪微电子(深圳)有限公司_202511060607.3
    本发明提供面发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器，包括制作第一Pad和第二Pad后塑封，获取塑封体A；在塑封体A的上表面制作第一耦合电路，对第一耦合电路进行塑封，获取塑封体B；在塑封体B的上表面，制作与第一耦合电路在垂直方向上相对应的第二耦...
    2025-12-03
  • 侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器
    侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器_德氪微电子(深圳)有限公司_202511060606.9
    本发明提供侧发式数字隔离器的制造方法、数字隔离器，方法包括：S1：通过RDL制作第一Pad和第二Pad；S2：对第一Pad和第二Pad进行塑封，获取塑封体A；S3：在塑封体A的上表面通过RDL制作在水平方向上相对应的第一耦合电路和第二耦合电...
    2025-12-03
  • 一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺
    一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺_江苏纳沛斯半导体有限公司_202510933911.8
    本发明公开了一种基于显示驱动芯片的铜镍金凸块生产工艺，其包括如下步骤：S1、晶圆前置清洗处理；S2、钝化层开口，暴露焊盘，在晶圆上蚀刻形成沉孔；S3、在沉孔内填充金属；S4、在晶圆进行黄光工艺，在晶圆上形成正面重布线层；S5、对晶圆进行减薄...
    2025-12-03
  • 用于在晶片级将金属主体附接到薄半导体管芯的方法
    用于在晶片级将金属主体附接到薄半导体管芯的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510587405.8
    一种方法包括提供厚度为250微米或更小的半导体晶片。半导体晶片包括多个管芯位点，每个管芯位点包括垂直功率半导体器件。该方法还包括将金属晶片附接到半导体晶片。金属晶片具有与半导体晶片类似的形状。在将金属晶片附接到半导体晶片之前或之后，将半导体...
    2025-12-03
  • TO-247分立器件功率模块及其封装方法
    TO-247分立器件功率模块及其封装方法_广东美创希科技有限公司_202410563900.0
    本申请涉及半导体封装技术领域，提供TO‑247分立器件功率模块及其封装方法，TO‑247分立器件功率模块的封装方法，包括：在基板表面涂覆焊膏，并将至少一个晶体管放置在基板的预设位置；按照预设温度曲线对焊膏进行温度控制，焊膏熔融，以形成晶体管...
    2025-12-03
  • 半导体晶圆及其制备方法
    半导体晶圆及其制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511472328.8
    本发明提供一种半导体晶圆及其制备方法，制备方法包括：提供晶圆，测量晶圆的翘曲数据，依据翘曲数据，在晶圆背面沉积弓形应力膜，其中，弓形应力膜满足以下规则：若晶圆正面x方向的翘曲，则由分布在背面y方向弓形应力膜校正；若晶圆正面y方向的翘曲，则由...
    2025-12-03
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