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  • 本发明涉及芯片检测技术领域, 公开了一种基于人工智能的芯片检测方法及系统, 包括时钟频率获取、时钟频率对比、时钟抖动获取和时钟抖动对比。本发明提供的方法能够全面评估芯片的时钟输出、信号稳定性、功耗水平以及热管理能力, 确保仅在所有指标均符合...
  • 本发明涉及缺陷定位的技术领域, 具体公开了一种用于缺陷定位的同轴高压和镂空功能的卡盘, 包括:底壳, 底壳包括两个连接块以及圆形支架, 连接块与圆形支架连接, 连接块上开设有第一槽口, 圆形支架周边开设有第一通槽, 第一槽口上设置有旋转调钮...
  • 本申请涉及激光器的技术领域, 尤其是涉及一种垂直腔面发射激光器的评估方法, 包括, S1、通过模板将电路图案转移到晶圆上, 模板上阵列排布有若干检测区域, 检测区域内含有阵列分布的芯片;S2、对检测区域的芯片进行抽样测试;S3、针对抽样的芯...
  • 本发明公开了一种电路板自动测试装置及测试方法, 包括底座和支架, 支架上设有横梁及支撑件, 底座上设有用于放置被测电路板的限位机构, 横梁上设置可驱动检测定位板上下移动的上下移动机构, 支撑件上设有与检测定位板滑动配合的导向机构, 检测定位...
  • 本申请属于电路检测技术领域, 具体公开了一种卫星舱板加热回路检测装置及方法。该装置应用于舱板加热回路单元, 包括控制单元和成像单元;舱板加热回路单元包括多个检测区域, 每个检测区域的边界上设置有定位回路;控制单元在确定每个检测区域的回路阻值...
  • 本发明涉及数据分析技术领域, 具体为一种芯片数据分析方法、终端设备及存储介质, 本发明中, 通过同步采集芯片多传感器多维时序数据流, 在目标分析窗口内识别各维度稳态、上升沿、下降沿和振荡四种变化模式类型, 同时量化变化主导维度标识、维度间时...
  • 本发明属于PCBA板检测技术领域, 具体涉及一种汽车用PCBA板检测装置, 包括:检测机体、安装于检测机体内部用于调节检测位置的龙门滑台以及安装于龙门滑台表面并进行检测的飞针检测头;传送组件, 包括贯穿安装在检测机体内部并位于飞针检测头底侧...
  • 本申请公开了一种集成电路的检测系统、方法、电子设备及存储介质。所述检测系统包括信号发生模块, 用于向待测电路提供激励电流;磁场探测模块, 用于接收所述待测电路在激励电流的刺激下产生的垂直磁场分量, 并将其转化为电压信号;信号提取模块, 用于...
  • 本申请实施例提供一种对FPGA芯片的IOB进行测试的方法以及FPGA芯片。所述FPGA芯片包括激励单元、检验单元以及测试电路, 该方法包括:利用激励单元向测试电路输出激励信号;利用测试电路传输激励信号;利用检验单元对测试电路的末端输出端口输...
  • 本发明提供一种芯片、芯片崩应测试方法及芯片测试方法, 在芯片上电后能够触发自动崩应, 并能通过芯片相应的IO管脚的电位状态变化来实时反馈和监控崩应进展状态, 由此在芯片崩应期间, 测试机台无需额外向芯片发送相应指令就可以获取芯片的崩应进展状...
  • 本发明公开了一种半导体器件中二极管的老化检测方法及系统, 涉及二极管检测相关技术领域, 方法包括:获取目标半导体器件的二极管接入电路, 部署微自检器执行各二极管的状态自检与判定;若自检结果为异常, 触发询问验证检定;包括:生成询问指令发送至...
  • 本发明涉及一种高压二极管反向漏电流检测装置, 第三电阻R3的一端连接高压二极管D2的P极、另一端接GND, 高压二极管D2的N极与高压电源X1相连;第三电阻R3的电压检测端连接放大器N1正端, 第二电阻R2的一端接放大器负端、另一端接地, ...
  • 本发明公开了一种用于发光二极管的检测装置, 本发明涉及发光二极管的检测领域, 包括检测主体, 所述检测主体的顶部设置有发光晶体, 检测主体底部靠四角位置均固定连接有固定吸盘, 检测主体的侧面设置有通电槽, 发光晶体的底部设置有长针脚和短针脚...
  • 本申请公开了一种IGBT的检测方法、系统及车辆, 涉及IGBT技术领域, 应用于包括IGBT驱动模块、电流源模块和温度传感器的IGBT的检测系统, 电流源模块连接IGBT驱动模块, 温度传感器采集系统对应散热器上的散热器温度值, 接收到IG...
  • 本发明公开了一种IGBT模块的组装测试方法、设备及存储介质, 涉及IGBT测试领域。该方法的步骤包括:将IGBT芯片封装为IGBT模块;为IGBT模块配置驱动器件、并配置驱动器件的参数;初步测试:在初步给定的电流和电压的条件下, 确定IGB...
  • 本发明属于功率器件测试技术领域, 具体是涉及一种氮化镓器件动态导通电阻测试电路与方法。本发明的电路包括多模式功率回路模块, 用于构成整个测试平台的主功率路径, 通过更改外部负载配置, 可灵活切换为不同的工作模式, 模拟器件在不同拓扑中的导通...
  • 本发明涉及显示器件监测技术领域, 公开了一种电致发光器件的坏点监测方法及系统, 该方法包括:将电致发光器件划分为多个待监测区域, 根据每个待监测区域的历史数据集合设定监测特征;按照监测特征获取每个待监测区域的实时监测数据, 生成每个实时监测...
  • 本发明公开了一种基于双传感器卡尔曼滤波加权平均算法的碳化硅功率器件结温在线精确提取方法, 所述方法如下:步骤一、功率器件的损耗模型接收来自逆变器的相电流、直流母线电压、占空比, 并从芯片的数据手册中获取SIC MOSFET的导通电阻、参考直...
  • 本申请涉及一种测试晶体管的方法。一种方法可包括:闭合电耦合到晶体管的栅极的复位开关, 使得该栅极处于第一电压, 从而对该栅极进行充电, 其中该晶体管包括该栅极和源极, 并且该源极电耦合到第一电压源;将该晶体管的该栅极置于高阻抗状态;断开复位...
  • 一种测试电路、测试系统及测试方法, 测试电路包括:多个并联的测试单元;其中, 测试单元包括:测试结构、以及与测试结构串联的控制结构, 控制结构用于在测试结构短路时, 使对应的测试单元构成断路。本发明有利于缩短测试时间, 提高测试效率。
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