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最新专利技术
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511279527.7
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种半导体器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构及半导体器件， 其中， 该方法包括：提供半导体衬底， 所述半导体衬底中形成有沟槽；在所述沟槽表面形成第一氧化层；在所述沟槽中的...
    2025-11-21
  • 垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构
    垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构_复旦大学_202510993421.7
    本发明提供了一种垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构， 该垂直沟道晶体管的制备方法包括：在衬底上形成从下至上依次堆叠的底层源漏层、第一扩展层、沟道层、第二扩展层、顶层源漏层， 底层源漏层、沟道层和顶层源漏层的材料为硅， 第一扩展层和...
    2025-11-21
  • MOSFET器件及其制备方法
    MOSFET器件及其制备方法_武汉大学_202510901838.6
    本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法， 属于半导体领域。包括：制备P型衬底；对P型衬底进行刻蚀， 形成源极凹槽和漏极凹槽；采用MPCVD工艺在源极凹槽和漏极凹槽中制作硼氮共掺杂N型金刚石层；在P型衬底表面形成栅氧化层；分别在源极凹槽...
    2025-11-21
  • 一种提高铁电存储器极化保持性的方法
    一种提高铁电存储器极化保持性的方法_绍芯实验室_202510816025.7
    本申请涉及一种提高铁电存储器极化保持性的方法， 该方法包括在斜切衬底上外延生长BiFeO₃薄膜， 通过改变薄膜厚度调控应力， 并结合反向电场脉冲实现电荷注入， 从而有效提升极化保持时间。斜切衬底具体为沿[100方向]、斜切角度为2°‑5°的...
    2025-11-21
  • 一种短沟道二维半导体器件制备方法
    一种短沟道二维半导体器件制备方法_绍芯实验室_202510815421.8
    本申请涉及一种短沟道二维半导体器件的制备方法， 该方法包括：在第一衬底上制备石墨烯层， 在石墨烯上方通过激光直写制备金属电极， 通过源表施加电压使石墨烯中部断裂形成间隙；随后旋涂聚甲基丙烯酸甲酯并进行加热固化， 通过机械方式将该结构整体转移...
    2025-11-21
  • SGT器件的制造方法
    SGT器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811926.7
    本申请公开了一种SGT器件的制造方法， 涉及半导体器件技术领域， 包括：提供一衬底， 衬底中形成有沟槽；沉积形成第一氧化层；在沟槽内填充多晶硅；刻蚀去除沟槽外的第一多晶硅层；刻蚀减薄第一氧化层和第一多晶硅层；刻蚀第一区域沟槽内的第一多晶硅层...
    2025-11-21
  • 优化金属氧化物半导体场效应晶体管特性的方法
    优化金属氧化物半导体场效应晶体管特性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779426.X
    本申请公开了一种优化金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)特性的方法， 尤其适用于沟槽栅功率MOSFET的制造。该方法旨在解决因防止栅源漏电(IGSS)失效所需栅极深凹蚀与沟槽拐角塌肩影响注入轮廓之间的矛盾。该方法包括：形成栅导电层后...
    2025-11-21
  • 碳化硅MOS管结构和碳化硅MOS管结构的制作方法
    碳化硅MOS管结构和碳化硅MOS管结构的制作方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396874.7
    本发明实施例公开了一种碳化硅MOS管结构制作方法， 包括：生成外延层， 所述外延层具有第一表面和第二表面；在所述外延层上生成第一体区、第二体区和加强层， 所述第一体区和所述第二体区沿与第一方向交叉的第二方向延伸， 所述加强层位于所述第一体区...
    2025-11-21
  • 一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺
    一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511271193.9
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层和源极， 半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱...
    2025-11-21
  • 用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件
    用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件_江苏应能微电子股份有限公司_202511309274.3
    本发明提供一种用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件， 包括：P型衬底， N型外延层， 第一P型埋层， N型埋层， 第二P型埋层， 第一P型阱区， N型阱区， 第二P型阱区， 阳极P+区， 阳极N+区， 浮空N+区， 阴极N+区， 阴极P...
    2025-11-21
  • 载流子存储层的精细控制制造方法
    载流子存储层的精细控制制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780312.7
    本发明公开了一种载流子存储层的精细控制制造方法， 旨在解决现有技术在高深宽比沟槽结构中难以精确控制载流子存储掺杂区的问题。该方法包括：对半导体衬底进行第一沟槽刻蚀， 并进行第一次离子注入形成载流子存储层；随后进行第二沟槽刻蚀， 形成更深的第...
    2025-11-21
  • 一种平面栅IGBT器件及其制作方法
    一种平面栅IGBT器件及其制作方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202511315100.8
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种平面栅IGBT器件及其制作方法， 该器件包括：衬底、掺杂区和栅极区， 以及与掺杂区一一对应设置的P型浮空区；栅极区位于衬底之上；掺杂区位于衬底上， 以及位于栅极区之下， 且位于栅极区的两端；掺杂区包括...
    2025-11-21
  • HBT器件及其制作方法
    HBT器件及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809085.6
    本申请公开了一种HBT器件及其制作方法， 该器件包括：衬底， 其中形成有隔离结构， 从俯视角度观察， 隔离结构为环形；衬底上形成有硅锗层， 硅锗层上方形成有第一多晶硅层、第二多晶硅层和硅层， 第一多晶硅层形成于第二多晶硅层的两侧且第一多晶硅...
    2025-11-21
  • 齐纳二极管及其制造方法
    齐纳二极管及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779539.X
    本发明公开了一种齐纳二极管包括：具有第二导电类型的第一外延层， 在第一外延层中形成有场氧和第一导电类型掺杂的第一阱区并由场氧隔离出第一有源区；在第一有源区中形成有第一导电类型的齐纳注入区， 在齐纳注入区的顶部形成有第二导电类型的第二注入区；...
    2025-11-21
  • 降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统
    降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511293502.2
    本发明提供了一种降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统， 通过在三维柱状半导体单元外围设置与金属电极电气隔离的环形电势调控层， 并将其离散为多个独立弧形电极单元， 在单元间设置间隙以实现电学分段控制；进一步对独立弧形电极单元设计沿径向递减的阶...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_武汉大学_202510816150.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法， 属于半导体领域。该方法包括：提供衬底；在衬底表面制作第一半导体层， 所述第一半导体层包括具有第一掺杂类型的金刚石层；在第一半导体层表面制作第二半导体层， 所述第二半导体层包括具有第二掺杂类型的氧化镓...
    2025-11-21
  • 搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法
    搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202510941094.0
    本申请实施例提供一种搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法， 涉及半导体技术领域。快恢复二极管包括：自上而下依次分布的阳极区、第一导电类型的漂移层和阴极区；所述漂移层顶部边缘的终端区域设置有缺陷复合区， 所述缺陷复合区为氢离子注入区， 且...
    2025-11-21
  • 滤波结构及其制备方法
    滤波结构及其制备方法_电波微讯(宁波)通信技术有限公司_202510944828.0
    本发明涉及一种滤波结构及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 该滤波结构在衬底内形成了柱状的滤波电容， 实现了占用面积较小的情况下提供大的电容值。然后在垂直于衬底的方向上， 在衬底的第一侧形成第一导电层， 该第一导电层包括第一导电部以及第二导...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510796128.1
    本发明提供了一种半导体结构及其制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 把MIM电容的制作集成在高k金属栅工艺中形成高阻值电阻的工艺中， 用作为高阻值电阻的金属作为MIM电容的上极板， 用金属栅结构中的金属栅极作为下极板， 且用一张高...
    2025-11-21
  • 金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法
    金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661864.6
    本公开提出一种金属‑绝缘体‑金属装置结构及其形成方法， 该金属‑绝缘体‑金属装置结构包括设置在一基板上方的一第一导电层以及设置在第一导电层上的一介电叠层。介电叠层包括第一介电层设置于第一导电层上， 且第一介电层具有第一氧浓度。介电叠层还包括...
    2025-11-21
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