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最新专利技术
  • 显示装置
    显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410384584.0
    本公开提供了一种显示装置， 属于显示领域。该显示装置包括驱动背板、发光层和色转换层；发光层设置于所述驱动背板一侧， 且包括多个发光单元， 一所述发光单元包括发光器件， 所述发光器件包括第一发光器件和第二发光器件， 所述第一发光器件用于发出第...
    2025-11-18
  • 显示面板及其制备方法
    显示面板及其制备方法_成都辰显光电有限公司_202410354056.0
    本发明公开了一种显示面板及其制备方法， 其属于显示技术领域， 显示面板包括基板及设置在所述基板上的发光器件， 所述显示面板还包括反射层， 所述发光器件的正出光面及侧出光面均设有所述反射层， 所述反射层为填充有片状填料的透明胶层。显示面板的制...
    2025-11-18
  • 一种用于LED防爆灯的复合材料及LED防爆灯
    一种用于LED防爆灯的复合材料及LED防爆灯_亚安防爆科技有限公司_202511163995.8
    本发明公开了一种用于LED防爆灯的复合材料， 包括：沉积在基片上的第一层， 第一层是掺杂Gd和Co的AZO层；沉积在第一层上的第二层， 第二层是掺杂Ce和Fe的AZO层；沉积在第二层上的第三层， 第三层是掺杂Gd和Fe的AZO层；沉积在第三...
    2025-11-18
  • 带有复合图形化微结构的蓝宝石衬底及其制备方法
    带有复合图形化微结构的蓝宝石衬底及其制备方法_福州大学_202510876914.2
    本发明提出带有复合图形化微结构的蓝宝石衬底及其制备方法， 外延层结构包括自下而上依次设置的蓝宝石衬底、GaN图形化微结构和氧化硅层；所述GaN图形化微结构设置于蓝宝石衬底表面；所述氧化硅层设置于GaN图形化微结构表面。本发明能够增强微结构之...
    2025-11-18
  • 铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法
    铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511196667.8
    本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法， 可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属电...
    2025-11-18
  • 发光二极管外延片及发光二极管
    发光二极管外延片及发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202511262095.9
    本发明公开了一种发光二极管外延片及发光二极管， 涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二多量子阱层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层和第一GaN层， 其发光波长为λ1；第...
    2025-11-18
  • 带有绿光荧光转换层的双波长发光LED器件
    带有绿光荧光转换层的双波长发光LED器件_福州大学_202510926587.7
    本发明提供一种带有绿光荧光转换层的双波长发光LED器件， 包括：衬底；位于衬底上的InGaN/GaN绿光量子阱层；与所述绿光量子阱层直接接触的氮化镓层；位于氮化镓层上方的N型层；位于N型层上方的InGaN/GaN蓝光多量子阱层；位于蓝光多量...
    2025-11-18
  • 一种多波段LED的外延结构及其制备方法
    一种多波段LED的外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202510891898.4
    本发明涉及发光二极管的技术领域， 公开了一种多波段LED的外延结构及其制备方法， 所述外延结构包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层， 所述多量子阱发光层包括依次层叠的第一多量子阱层、第二多...
    2025-11-18
  • 一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管
    一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511258616.3
    本发明公开了一种一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管， 所述侧面修复方法包括：通过在所述发光二极管的上表面形成第一环形凹槽和多个第一凹槽， 多个所述第一凹槽连接所述第一环形凹槽， 在所述发光二极管的下表面形成第二环形凹槽和多个第二凹...
    2025-11-18
  • 具有横向光回收结构的深紫外LED的制备方法及深紫外LED
    具有横向光回收结构的深紫外LED的制备方法及深紫外LED_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511244901.X
    本申请提供的具有横向光回收结构的深紫外LED的制备方法及深紫外LED， 属于半导体技术领域， 包括AlGaN深紫外LED外延结构， 所述AlGaN深紫外LED外延结构包括及自下而上依次设置的AlN模板、n‑AlnGa1‑nN层、多量子阱层、...
    2025-11-18
  • 一种双色温COB光源的封装方法
    一种双色温COB光源的封装方法_广东索亮智慧科技有限公司_202510730639.3
    本发明提供一种双色温COB光源的封装方法， 涉及LED光源封装技术领域。该双色温COB光源的封装方法， 包括以下步骤：步骤一：基板预处理、步骤二：芯片固晶、步骤三：引线键合、步骤四：荧光粉层制备、步骤五：封装胶填充和步骤六：固化处理。通过对...
    2025-11-18
  • 用于太空传能的光导微波器件、封装结构及系统
    用于太空传能的光导微波器件、封装结构及系统_西安电子科技大学_202510906979.7
    本发明公开了一种用于太空传能的光导微波器件及其封装结构， 将激光和微波融合组网, 为全链路空间传能系统中的微波产生单元和能量传输路径提供新方案。其包括半绝缘衬底(1)、缓冲层(2)、有源层(3)、金属电极(4)， 该所述半绝缘衬底上刻蚀有微...
    2025-11-18
  • 一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法
    一种大功率光源COC、CPO硅光光引擎及耦合方法_武汉钧恒科技有限公司_202511257927.8
    本发明涉及一种大功率光源COC， 热沉上表面上设有第一电极焊盘， DFB芯片的N电极贴在第一电极焊盘上， 热沉上在DFB芯片的后方设有第二电极焊盘， MPD芯片的P电极贴在第二电极焊盘上， MPD芯片上沿远离DFB芯片的方向依次具有光敏面以...
    2025-11-18
  • 光学封装结构及其形成方法
    光学封装结构及其形成方法_江阴长电先进封装有限公司_202510814887.6
    本发明涉及一种光学封装结构及其形成方法。所述光学封装结构包括：光学集成芯片， 包括光学元件区域以及位于光学元件区域外部的电芯片区域；电子芯片， 贴装于光学集成芯片的电芯片区域上；透明盖结构， 包括透明块体和透明膜， 透明块体贴装于光学集成芯...
    2025-11-18
  • 背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件
    背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511254951.6
    本公开实施例涉及光伏领域， 提供一种背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件， 背接触电池包括：基底， 基底具有沿第一方向相对的第一表面侧和第二表面侧， 第二表面侧包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区， 且相邻第一区和第二区之间具有间隔...
    2025-11-18
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511239229.5
    本公开涉及光伏技术领域， 提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件， 以尽可能降低激光切割对切割区附近的膜层的影响， 从而提高太阳能电池的效率和良率。太阳能电池包括：分片电池， 其中， 分片电池包括沿厚度方向设置的第一侧和第二侧、以及连接第...
    2025-11-18
  • 一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511013178.4
    本发明适用于太阳能电池技术领域， 提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统， 背接触太阳能电池包括：硅基底， 硅基底的背面包括P型掺杂区、及N型掺杂区；设于P型掺杂区的第一界面层， 第一界面层包括至少一层氧化铝层， 氧化铝层的氧原子数量...
    2025-11-18
  • 一种太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统
    一种太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202510964342.3
    本申请提供了一种太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括硅基底和钝化结构；钝化结构包括：介质层、设于介质层背向硅基底一侧的第一多晶硅层、以及至少一个第二多晶硅层；其中， 第一多晶硅层为氮掺杂的多晶硅层， 至少一处第一多晶硅...
    2025-11-18
  • 光伏电池、光伏组件
    光伏电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511256533.0
    本公开实施例涉及光伏领域， 提供一种光伏电池、光伏组件， 光伏电池包括：电池基片， 具有沿第一方向相对的两个表面侧， 至少一个表面侧包括沿第二方向相对的互联区和非互联区， 以及位于互联区和非互联区之间的连接区；沿第二方向间隔排布的多个栅线，...
    2025-11-18
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511254554.9
    本申请涉及光伏组件技术领域， 具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底， 硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。第一区域包括第一子区和第二子区。其中， 第一子区设置有第一掺杂...
    2025-11-18
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