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最新专利技术
  • 热氧化方法和热氧化装置
    热氧化方法和热氧化装置_珠海格力电子元器件有限公司_202511970004.7
    本申请提供了一种热氧化方法和热氧化装置。该方法用于提高碳化硅晶片的片内均匀性，热氧化方法包括：提供多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片，待热氧化晶片的材料为碳化硅；将多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片放置于晶舟，并且将待热氧化晶片与第一预备晶...
    2026-04-10
  • 一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方
    一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方_常州元晶摩尔微电子有限公司_202512011041.1
    本发明公开了一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方，涉及半导体晶圆制备技术领域，包括起始多晶硅原料、稀土复合氧化物添加剂和痕量功能性掺杂剂；所述稀土复合氧化物添加剂为Yb2O3与Er2O3的混合物，其质量比为1 : 1～3 : 1，添加...
    2026-04-10
  • 一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆
    一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆_北京电控集成电路制造有限责任公司_202512011089.2
    本申请提供一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆，涉及晶圆制备技术领域，可以降低晶圆修边过程中的碎边和破片风险。该修边方法包括：依次对第i片晶圆处理形成N片晶圆堆叠，对第i片晶圆处理包括：对第i片晶圆的正面边缘区域修边，修边后的第i片晶圆呈凸台状...
    2026-04-10
  • 一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆
    一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202610243827.8
    本发明属于半导体加工制造技术领域，本发明提供了一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆，该制备方法包括在第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅，得到第一键合体；提供设置有埋氧层的支撑衬底作为第二键合体，对第一键合体与第二键合体实施键合...
    2026-04-10
  • 基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法
    基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法_上海大学_202511674406.2
    本发明公开了一种基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法，使用超短脉冲激光在SOI表面硅薄膜及器件非有效占用的位置处烧蚀加工出微米级孔洞阵列及狭缝，再将样品浸入氢氟酸溶液中腐蚀掩埋层。当观察到水平与垂直方向的相邻两个圆孔之间的SiO...
    2026-04-10
  • 改善4H-SiC界面陷阱密度的方法及芯片
    改善4H-SiC界面陷阱密度的方法及芯片_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202511962862.7
    本发明提供一种改善4H‑SiC界面陷阱密度的方法及芯片，该方法包括：提供4H‑SiC基板，并在所述4H‑SiC基板上制备热氧化层，形成4H‑SiC样品；在预设压力环境下进行第一阶段退火，使用NO2在所述4H‑SiC样品的界面形成初始氮化层；...
    2026-04-10
  • 一种芯片平坦化方法及集成电路芯片
    一种芯片平坦化方法及集成电路芯片_上海微阱电子科技有限公司_202512035772.X
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种芯片平坦化方法及集成电路芯片，通过接收目标电路层图案；根据所述目标电路层图案，确定所述净空区的辅助图案信息；在衬底上设置介质层；根据所述辅助图案信息在所述净空区对应的介质层上刻蚀得到辅助凹槽；根据所...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450397.4
    本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包含：一硅覆绝缘(SOI)基板，包含一基底板、位于该基底板上的一埋入氧化物层，以及位于该埋入氧化物层上的一元件层；一电路元件，设置于该元件层上且被该SOI基板中的一沟槽隔离区围绕；以及一埋...
    2026-04-10
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_成都高真科技有限公司_202511657145.3
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，半导体器件的制备方法包括：提供基板，基板包括有源区以及与有源区对应的凹槽部，凹槽部暴露有源区；在凹槽部背离有源区的一侧依次形成第一隔离材料层和第二隔离材料层，第一隔离材料层填充凹槽部；对第一...
    2026-04-10
  • 降低RC延迟的铜扩散阻挡层、金属互连结构的制备方法
    降低RC延迟的铜扩散阻挡层、金属互连结构的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511769628.2
    本发明公开了一种降低RC延迟的铜扩散阻挡层，包括铜镁合金，所述铜镁合金中的镁的含量以原子百分比计为1%‑5%。本发明还提供了一种金属互连结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一衬底，所述衬底上设置有介质层，所述介质层中形成有通孔；S2、于...
    2026-04-10
  • 一种层间介电层的形成方法及半导体结构
    一种层间介电层的形成方法及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511771216.2
    本发明提供一种层间介电层的形成方法及半导体结构，方法包括如下步骤：提供衬底，衬底表面形成有多个栅极结构，相邻的栅极结构之间存在空隙；通过第一HARP工艺在衬底表面形成填充空隙并超出栅极结构表面的第一氧化物层，位于空隙处的第一氧化物层中形成有...
    2026-04-10
  • 一种刻蚀方法
    一种刻蚀方法_重庆芯联微电子有限公司_202511916101.8
    本发明提供一种刻蚀方法，该刻蚀方法包括步骤：提供一半导体结构，半导体结构包括第一布线层及自下而上依次堆叠于第一布线层上的第一刻蚀停止层、层间介质层及硬掩膜层，且硬掩膜层中开设有第一开口，层间介质层中开设有至少两个沟槽，沟槽位于第一开口的下方...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511919974.4
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构及其制作方法中，在介质层上形成钝化层，钝化层覆盖介质层上的顶部金属层；在钝化层上形成具有互连孔开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀钝化层，形成与互连孔开口位置对应的第一通孔，第一通孔贯穿钝化层且...
    2026-04-10
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511948324.2
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端。载板结构的制备方法包括：在临时载板上开设容纳孔，容纳孔沿临时载板的厚度方向贯穿设置；将基板嵌入容纳孔，并令基板朝向容纳孔的孔壁的侧表面与容纳孔的孔壁临时键合；对基板图案化处理，形成...
    2026-04-10
  • 一种TSV结构及其制备方法
    一种TSV结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511950717.7
    本发明公开了一种TSV结构及其制备方法，包括在第一基片上设置介质层；在介质层上进行光刻图形化；对光刻胶暴露区域的介质层以及第一基片进行刻蚀，得到微孔；将导电浆料刮涂于第二基片上；将第一基片的介质层和第二基片涂有导电浆料的面相对，然后在负压环...
    2026-04-10
  • 一种半导体器件的制备方法
    一种半导体器件的制备方法_上海鼎泰匠芯科技有限公司_202511955514.7
    本发明公开一种半导体器件的制备方法，包括提供一半导体器件层，半导体器件层的上方至少形成有金属层及钝化层，钝化层形成于金属层的上方且贯穿金属层，以将金属层隔离为源极金属层和栅极金属层，源极金属层、栅极金属层分别与半导体器件层电连接。于钝化层及...
    2026-04-10
  • 一种DTC电容及其制备方法
    一种DTC电容及其制备方法_上海微阱电子科技有限公司_202512035372.9
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种DTC电容及其制备方法，通过刻蚀硅衬底得到多个第一槽体，在相邻的第一槽体之间形成硅墙壁；在形成所述第一槽体的硅衬底的衬底表面设置第一绝缘层；涂敷临时填充层；刻蚀所述临时填充层，暴露所述硅墙壁的顶面上...
    2026-04-10
  • 半导体器件的制造方法和半导体器件
    半导体器件的制造方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610252765.7
    本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在基底上方依次形成第一刻蚀停止层、第一介电层、第二刻蚀停止层和第二介电层，基底包括衬底和衬底上方的前层金属层；刻蚀第二介电层、第二刻蚀停止层及第一介电层以暴露第一刻蚀停止层...
    2026-04-10
  • 一种晶圆TSV通孔修复方法
    一种晶圆TSV通孔修复方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511871643.8
    本发明提供了一种晶圆TSV通孔修复方法，将晶圆放置在晶圆载物台上，检测晶圆上TSV通孔是否贯通，找寻未完全贯通的TSV通孔，定位所述未完全贯通的TSV通孔位置坐标；激光操作台基于接收的未完全贯通的TSV通孔位置坐标，使用激光烧蚀设备烧蚀未贯...
    2026-04-10
  • 半导体管芯及其制造方法
    半导体管芯及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511327075.5
    本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本公开涉及半导体管芯(100)，半导体管芯(100)包括：半导体主体(10)、绝缘层(20)和金属化(30)，其中导体线(31)形成在金属化(30)中并且布置在半导体管芯(100)的有源区域(101)之外，...
    2026-04-10
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