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  • 本申请提供了一种灰化方法及半导体器件的制备方法,在灰化方法中,由于半导体衬底经过双重图形化工艺和刻蚀工艺后形成了侧墙,相邻侧墙之间的间隙内形成有有机物膜层;执行循环处理过程,每一循环处理过程包括依次进行的物理轰击步骤和化学灰化步骤,物理轰击...
  • 本发明公开了一种晶圆的分离方法,包括:在晶圆的表面上形成一层刻蚀掩膜,并在刻蚀掩膜上进行光刻处理;将光刻后的晶圆浸泡在刻蚀液中,利用湿法刻蚀去除晶圆表面上的刻蚀掩膜;对刻蚀后的晶圆进行清洗,获得晶圆分离后产生的若干个晶片。采用本发明的技术方...
  • 本发明公开了一种玻璃‑硅键合结构的加工划片方法,利用激光束对玻璃‑硅键合结构预设区域进行辐照改性,得到改性区域;改性区域沿玻璃‑硅键合结构的厚度方向贯穿玻璃‑硅键合结构的玻璃层和硅片层;将改性后的玻璃‑硅键合结构进行化学湿法蚀刻,使得改性区...
  • 本申请涉及半导体器件制造领域,具体为晶圆洗边方法和装置。晶圆洗边方法包括:步骤S110,获取晶圆洗边区域,并在洗边区域内由晶圆边缘至晶圆中心方向依次获取第一特征位置、第二特征位置与第三特征位置;步骤S120,在第一预设时间内,旋转晶圆的同时...
  • 本发明公开一种清洗晶圆的方法及晶圆清洗系统,其中该清洗晶圆的方法包含以下步骤。提供一晶圆,其中晶圆具有一待洗表面。提供一第一喷嘴以及一第二喷嘴位于待洗表面的上方。旋转晶圆。提供一第一流体以及一第二流体分别经由第一喷嘴及第二喷嘴喷洒至待洗表面...
  • 本发明涉及晶圆清洗技术领域,具体为一种具有自适应流速调控功能的晶圆用清洗装置,包括操作架、调控机构和清洗机构,所述操作架的内部上侧安装水箱,所述水箱底端连接调控机构,所述调控机构中分流箱和分流管件对内部的清洗液进行分流,所述分流管件将分流后...
  • 本发明公开了一种高效沥水慢提拉清洗槽式装置,包括框架、设置于框架上四周的同步带轮组件、对称设置于框架内前后两侧的喷气管组件、设置于框架上一侧的排气管组件、设置于同步带轮组件上的平皮带、设置于平皮带上的花篮支撑组件、设置于花篮支撑组件上的多个...
  • 本公开涉及一种半导体制造设备,包括设备本体、真空压力规及散热件,设备本体中设置有真空腔,真空压力规用于测量真空腔的压力,且具有测量腔,散热件包括连接在设备本体和真空压力规之间的壳体,壳体内部形成有散热腔,散热腔用于连通真空腔及测量腔,以对真...
  • 本申请公开了一种半导体衬底处理装置及处理方法,涉及半导体制造设备领域,半导体衬底处理装置包括:处理槽,用于容纳刻蚀溶液;保持机构,用于保持半导体衬底并使半导体衬底浸入所述刻蚀溶液中;鼓泡装置,用于向所述处理槽中供给气体;控制器,配置为控制鼓...
  • 本发明提供一种开盖机构及半导体工艺设备,开盖机构包括:连接组件,用于与上电极组件连接;抬升组件,与工艺腔室连接,抬升组件具有沿竖直方向设置的空心轴和可移动地设置在空心轴内部的驱动轴;连接组件活动连接在空心轴上,连接组件绕空心轴可转动并且在竖...
  • 本申请的实施例提供了一种基板处理设备,包括多个依次排列的反应室、处理单元和在多个反应室之间传递基板的机械手,处理单元包括设置在不同反应室中的清洗腔、热板干燥腔和异丙醇干燥腔,热板干燥腔用于加热干燥具有大于设定宽度间隙的基板,异丙醇干燥腔用于...
  • 本发明提供一种压合方法及装置;该压合方法,包括:提供一待压合物;提供一下压模,设有供该待压合物承放的一支撑座;提供一上压模,可受驱动而相对该下压模作上下位移;该上压模设有可受驱动作上下位移的柱塞及可受该柱塞压抵的压块机构;一荷重量测单元位于...
  • 本发明提供一种压合方法及装置;该压合方法包括:提供一待压合物,其在一集成电路元件的上侧罩覆一上盖,并设有高度不同的多个压合区段于该上盖;提供一下压模,设有供该待压合物承放的一支撑座;提供一上压模,可受驱动而相对该下压模作上下位移;该上压模设...
  • 本发明提供一种压合方法及装置;该压合方法包括:提供一待压合物、一下压模及一上压模;该上压模设有一驱力机构与可受该驱力机构驱动的一压块机构;该驱力机构设有可容置流体的一容室、可借助位移改变该容室中该流体压力的一活塞、及可作上下位移的柱塞;压合...
  • 本发明提供一种压合方法及装置;该压合方法,包括:提供一待压合物,设有多个压合区段于该待压合物的一上表面;提供一下压模,设有供该待压合物承放的一支撑座;提供一上压模,可受驱动而相对该下压模作上下位移;该上压模设有一驱力机构与可受该驱力机构驱动...
  • 本发明提供一种能够抑制处理室内的蚀刻量的不均匀的清洗方法、半导体器件的制造方法、程序产品及基板处理装置。具有:(a)工序,从第1方向上的一处或多处第1位置向构成为能够沿着与所述第1方向垂直的面容纳基板的处理室内供给清洗气体和与所述清洗气体发...
  • 本发明提供通过根据多个判断项目判断基板处理有无再现性来抑制误判断可能性的基板处理装置、判断方法、半导体器件的制造方法及程序产品。基板处理装置包括:基板处理部,其对基板进行处理;气体供给部,其向所述基板处理部供给对所述基板进行处理的气体;获取...
  • 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制品。课题在于提供一种抑制由经热分解的处理气体引起的阶梯覆盖率降低的技术。具备:(a)将积存于储存部的处理气体导入处理室的工序;(b)在开始向所述处理室导入所述处理气体后,以规...
  • 提供能够提高处理容器内的气流的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有处理容器、在处理容器内的保持位置以水平姿势保持基板的保持部和从处理容器的侧方向处理容器的内部供给处理流体的流体供给部,在基板保持于保持部的状态下,包括基板的上...
  • 本发明提供处理装置和处理方法,能够适当地调整被处理物与搬入单元的把持部的相对朝向。对在正面上设定有不可接触区域和可接触区域的板状的被处理物进行处理的处理装置具有:第1保持部和第2保持部,它们对被处理物进行保持;区域信息获取部,其获取与第1保...
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