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最新专利技术
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_上海新微半导体有限公司_202512029563.4
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成外延结构，并在外延结构上形成依次堆叠的刻蚀停止层及高阻层；图形化刻蚀停止层及高阻层，以定义出器件区和电阻区，器件区的刻蚀停止层及高阻层得以去除，而电阻区的刻...
    2026-04-13
  • 一种HEMT器件制造方法及其HEMT器件
    一种HEMT器件制造方法及其HEMT器件_华南理工大学_202610204055.7
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种HEMT器件制造方法及其HEMT器件，本发明通过光刻工艺在栅层结构上标记出栅区域，通过去除栅区域以外的栅层结构以形成栅极结构，进而限定出栅极金属B的窗口，然后直接沉积栅极金属B，解决了现有技术中，因为光...
    2026-04-13
  • 一种半导体器件、其制作方法、功率放大器及电子设备
    一种半导体器件、其制作方法、功率放大器及电子设备_华为技术有限公司_202411383098.3
    本申请提供一种半导体器件、其制作方法、功率放大器及电子设备。半导体器件包括：衬底、沿第一方向排列的多个第一电极、多个第二电极、多个控制电极、介质层和散热凸块，其中，散热凸块的热导率大于衬底的热导率。介质层包括多个介质通孔，散热凸块通过介质通...
    2026-04-13
  • 一种双沟道GaN HEMT器件及其制备方法
    一种双沟道GaN HEMT器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202411384130.X
    本发明涉及GaN基高电子迁移率晶体管制备技术领域，尤其是涉及一种双沟道GaN HEMT器件及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、P‑GaN外延层和栅极，第一沟道层和第一势垒层、第二沟道...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202411385420.6
    本发明提供半导体装置。半导体装置包括基板、栅极结构、第一层间介电层、源极结构、漏极结构、介电图案、第一场板以及第二场板。栅极结构设置于基板上。第一层间介电层设置于基板上，且部分覆盖栅极结构。源极结构以及漏极结构设置于基板上，且位于栅极结构的...
    2026-04-13
  • 一种低噪声InP HEMT器件及其制备方法
    一种低噪声InP HEMT器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511722635.7
    本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其是涉及一种低噪声InP HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；依次层叠设置在衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；设置在势垒层上的重掺杂帽层；设置在重掺杂帽层上的源漏金属电极；以及栅极结构；栅极结构包括栅槽和...
    2026-04-13
  • 一种宽禁带半导体器件
    一种宽禁带半导体器件_苏州科技大学_202511823682.0
    本发明属于功能器件，公开了一种宽禁带半导体器件，具体为基于沟道电阻调制的高线性GaN HEMT器件，其栅源间距为0.1～10微米，栅长为0.5～10微米，栅漏间距为0.1～10微米。本发明从器件本身角度出发通过对外延结构的设计来提高器件栅源...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511861370.9
    本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层；第一势垒层；介质层，位于第一势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，包括沿衬底厚度方向相互连通的第一子槽和第二子槽，第一子槽贯穿介质层以及第一势垒层，第二...
    2026-04-13
  • 一种GaN基增强型高电子迁移率晶体管
    一种GaN基增强型高电子迁移率晶体管_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511913183.0
    本发明公开了一种GaN基增强型高电子迁移率晶体管，涉及微电子器件技术领域，包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；位于所述势垒层上的p‑GaN帽层。本发明的GaN基增强型高电子迁移率晶体管包含一联通结构，该联通结构一端与器...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511936031.2
    本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例中的半导体器件包括半导体基底、沟道层、势垒层和栅极结构。其中，沟道层形成于半导体基底之上，势垒层形成于沟道层之上，势垒层至少具有两种厚度，栅极结构位于势垒层的第一区域的上方，第一区域...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511947893.5
    本申请涉及半导体电子器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域一侧；双向HEMT，设置于第一区域，双向HEMT包括第一源极和第二源极，双向HEMT在工作状态下被配置为第一源极、第二...
    2026-04-13
  • 双向半导体器件及其制造方法
    双向半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511948610.9
    本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、沟道层、第一势垒层、栅极结构、第二势垒层、第一输入输出电极和第二输入输出电极。沟道层和第一势垒层依次形成在衬底上。栅极结构和第二势垒层形成在第一势垒层上。第二势垒层...
    2026-04-13
  • 双向半导体器件及其制造方法
    双向半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511952649.8
    本申请实施例公开了一种双向半导体器件及其制造方法。双向半导体器件包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的第一势垒层、位于第一势垒层上的第一栅极结构和第二栅极结构、位于第一势垒层上的第二势垒层、以及第一输入输出电极和第二输入输出电极。在...
    2026-04-13
  • AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法
    AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511963822.4
    本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法。AlGaN/GaN HEMT包括衬底，缓冲层以及势垒层，在所述势垒层表面至少沉积2层介质层，每层所述介质层内均设有窗口，窗口内外延生长厚度不小于介质层的p‑GaN层，由下之上，所...
    2026-04-13
  • 一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法
    一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法_中国科学技术大学_202512008594.1
    本发明公开了一种常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：金刚石衬底，其表面设有氢终端并形成二维空穴气构成的导电沟道；环绕所述导电沟道的器件隔离区；设于所述导电沟道两端的源极和漏极；设于所述源极与漏极之间的固定电荷调控...
    2026-04-13
  • 一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法_厦门理工学院_202512034314.4
    本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明所述高电子迁移率晶体管包括顺次接触设置的衬底、成核层、AlGaN渐变缓冲层、GaN通道层、InGaN插层、AlGaN势垒层、势...
    2026-04-13
  • 一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法
    一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法_南京大学_202610258897.0
    本发明提供了一种抗辐照高性能增强型氮化镓基功率器件及其制作方法，属于半导体技术领域。通过在传统增强型P‑GaNHEMT器件结构的基础上，创新性地引入P型InaGa1‑aN背势垒层、InbGa1‑bN/GaN超晶格层、由介质层和栅极肖特基金属...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_积亚半导体股份有限公司_202411865486.5
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一元件区域、一接面终端区域、一切割道区域及一保护层，其中接面终端区域环设于元件区域外围，具有多个防护环设置于接面终端区域中且环设于元件区域外围。切割道区域环设于接面终端区域外围。保护层...
    2026-04-13
  • 碳基半导体器件及其制备方法
    碳基半导体器件及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511654820.7
    本公开提供了一种碳基半导体器件及其制备方法。碳基半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层由碳基材料制成；氧化层；栅极；以及在栅极两侧形成的侧墙，侧墙的形状为包括第一部分和第二部分的弯折形状，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一方...
    2026-04-13
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511848204.5
    本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可应用于半导体技术领域。该场效应晶体管包括：衬底；依次设置在衬底上的缓冲层、第一n型外延层和第二n型外延层；第一p型保护层，包括沿第一方向同轴设置于第一n型外延层以及第二n型外延层中部区域的第一...
    2026-04-13
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