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  • 本发明公开了一种基于混合腔结构的连续域束缚态激光器及其制备方法。该激光器沿垂直方向由下至上依次包括衬底、光学限制层、N型间隔层、有源层、P型间隔层、光子晶体层及电流扩展层。底部的光学限制层与顶部的光子晶体层共同构成垂直混合谐振腔,有源层位于...
  • 本发明涉及光放大器技术领域,尤其涉及一种半导体光放大器及其制备方法,堆叠结构,堆叠结构包括依次堆叠的衬底、N包层、N型刻蚀停止层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层;两个浅沟槽沿第一方向间隔排布,两个浅沟槽之间的堆叠结构作为脊...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种侧向耦合光栅双卡帕半导体激光器。包括:衬底、外延叠层以及由外延叠层经刻蚀形成的功能波导区;功能波导区包括脊波导和侧向耦合光栅,脊波导为沿外延叠层厚度方向刻蚀形成的脊型结构,侧向耦合光栅对称分布于脊...
  • 本发明提供了一种窄发散角半导体激光器,包括在有源外延结构上刻蚀得到的沿出光方向依次相连的输入脊型波导区,锁相区和近场强度调制区,其中:输入脊型波导区包括侧向周期分布的第一脊型波导阵列,所述第一脊型波导阵列包括多个第一脊型波导;锁相区包括一个...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种多结边发射半导体激光器及其制备方法,制备方法包括:提供衬底;在衬底上形成堆叠结构,堆叠结构包括从下至上层叠的M层PN结层、位于相邻两层PN结层之间的隧道结层以及位于顶层的盖层;在堆叠结构远离衬底的表面形...
  • 本发明涉及光电子材料技术领域,尤其涉及一种发光波长为1178nm的量子阱材料及其制备方法。包括:在衬底上生长镓砷磷(GaAsP)应变补偿势垒层;在应变补偿势垒层上生长GaAs间隔层;在间隔层上采用低温工艺生长高In组分(35~40%)InG...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种大功率半导体激光器外延片及其制备方法。包括:反应室升温至680~750℃并恒温5~15min,将衬底进行高温脱氧;降温至620~680℃,在衬底表面生长GaAs缓冲层,再依次生长下限制层和下波导层...
  • 本发明提供一种寿命得到改善的半导体激光元件。半导体激光元件具有:第一半导体层,其是作为V族元素至少包含As的III‑V族化合物半导体层;第一导电侧的第二半导体层,其配置在第一半导体层上,是作为V族元素至少包含P的III‑V族化合物半导体层;...
  • 本发明提供一种基于量子阱混杂结构的半导体激光器及其制备方法,通过设计有源区叠层结构由AlGaInP势垒层及AlxGayInzP量子阱层交替层叠形成,且有源区叠层结构的最上层及最下层均为AlGaInP势垒层,同时有源区叠层结构最上层及最下层的...
  • 本发明公开了一种低ASE阈值的钙钛矿薄膜异质结构及其制备方法、激光器,涉及钙钛矿激光器技术领域;钙钛矿薄膜异质结构包括钙钛矿薄膜以及设于其上或者掺杂于其中的胶体量子点,钙钛矿薄膜在第一预设波长的泵浦激光的激发下可产生第二预设波长的增益激光,...
  • 本发明涉及一种具有梯度出光功率的VCSEL面阵及其在光学导航系统的应用,主要包括多个阵列排布的VCSEL发光单元,其特征在于,每个所述VCSEL发光单元的物理结构参数根据其所处位置呈规律性的差异化设计,使所有VCSEL发光单元在同一驱动电压...
  • 一种基于非线性SOA产生边带的PDH激光锁频系统,包括种子激光源、第一耦合器、第二耦合器、第一声光移频器、第二声光移频器、半导体光放大器、环形器、参考腔、光电探测器、混频器、解调滤波模块以及伺服控制器。通过利用非线性SOA替代传统电光调制器...
  • 本发明提供一种气液混合火花放电装置和火花放电方法,涉及纳米颗粒和原子制造领域。本发明所提供的气液混合火花放电装置,包括密封外壳,密封壳体的内腔中装载有绝缘液体,绝缘液体中被通入有气体并形成气泡;密封外壳的侧壁上穿设有两个火花电极,两个火花电...
  • 本公开涉及一种电离装置,其适用于离子发生器和/或从气溶胶流中分离颗粒的电离装置。该电离装置包括支架、至少一个电晕放电电极和至少一个对电极,其中,所述支架具有纵向,所述支架在垂直于所述纵向的横截面中具有彼此正交的第一方向和第二方向,所述电晕放...
  • 本发明公开了一种多模式离子发生电路及离子发生器,涉及等离子技术领域。该电路具体包括调节单元,其输入端连接电源输入线;变压输出单元,接收来自调节单元的电能进行变压处理;至少两个离子输出单元,均连接至变压输出单元的第二端以向外释放对应种类的离子...
  • 本发明涉及电度表技术领域,尤其涉及一种具有防盗电功能的电度表。包括有安装板、电度表和触片,电度表安装于安装板上,电度表上间隔设置有触片,电度表上设置有导轨,导轨上设置有平移机构,导轨上滑动设置有滑动框,平移机构用于驱动滑动框进行移动,滑动框...
  • 本发明公开了一种预制舱式二次组合设备机架布置结构及运维方法,包括长方体形的舱体,所述舱体的内部两侧长边舱壁上分别固定有一列位于地板上方、与所述舱体为一体式结构的机架,所述机架靠近所述舱体的内部一侧为开放式结构,所述机架由上至下依次固定有散热...
  • 本发明公开了一种具有安全机构的环网柜,属于环网柜技术领域。包括柜主体,柜主体上滑动连接有调节板,安装在柜主体上的驱动组件的输出端与调节板固定连接;防护组件包括防护板,防护板通过导向架与柜主体的固定架滑动连接,导向架内开设有第一限位槽和第二限...
  • 本申请提供一种高压配电箱和储能柜,涉及储能系统技术领域。高压配电箱包括主控单元、电池控制单元、集中接线排、第一电源模块;主控单元连接高压配电箱的高压母线排,高压母线排的一端用于连接高压配电箱所在的储能柜中的储能模块,高压母线排的另一端用于连...
  • 本发明公开了一种绝缘母线联接型环网柜,涉及配电设备技术领域,包括柜体,柜体内设有两个主路单元,主路单元的底部设有进出线套管,进出线套管与电流互感器连接,电流互感器通过互感器支架安装于柜体内,两个主路单元的进出线套管通过绝缘母联器连接。其两个...
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