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  • 本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,该显示面板包括:基板、阵列排布的多个像素单元、围坝隔离结构和封装层,围坝隔离结构设置在任意相邻的两个子像素之间,围坝隔离结构环绕子像素设置,围坝隔离结构与发光元件不接触,围坝隔...
  • 本发明提供一种电子装置,包含一第一衬底;一第二衬底,与该第一衬底相邻设置,其中,该第一衬底与该第二衬底之间具有一拼接缝;多个发光元件,分别设置于该第一衬底与该第二衬底上;一覆盖层,设置于该第一衬底和该第二衬底上,且该覆盖层覆盖该多个发光元件...
  • 本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种补全400‑430nm蓝光成分的多晶片激发荧光粉LED光源及其制备方法和应用,包括协同激发单元和光谱补全单元。本发明的补全400‑430nm蓝光成分的多晶片激发荧光粉LED光源中,协同激发单元与光谱补全...
  • 本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种蓝光晶片激发荧光粉获得匹配叶菜光合光谱的植物LED光源,包括碗杯支架、设于碗杯支架的碗杯功能区的LED晶片组及覆盖于LED晶片组并填充碗杯支架的荧光胶。本发明的光谱匹配更精准,突破光合瓶颈:通过双蓝光波...
  • 公开了一种显示装置。根据本公开内容的一个方面,该显示装置包括:基板,在该基板中限定包括第一子像素的多个子像素;电力线,其设置在基板上;驱动晶体管,其设置在基板上的第一子像素中;第一反射电极和第二反射电极,其设置在第一子像素中的驱动晶体管上;...
  • 本发明涉及一种能够一体封装发光元件和驱动元件的同时能够提高光效率的发光驱动封装件及其制造方法,包括基板,形成有第一垫片部和第二垫片部;驱动元件,贴装在所述基板的所述第一垫片部;发光元件,贴装于所述基板的所述第二垫片部,基于接收所述驱动元件施...
  • 本公开涉及显示装置。根据本公开的一个方面,显示装置包括:基板,所述基板包括多个子像素;黑堤,所述黑堤围绕所述多个子像素中的每个子像素;以及多个发光二极管,所述多个发光二极管位于所述多个子像素中。所述多个发光二极管包括设置在所述多个子像素中的...
  • 本公开涉及显示装置。根据本公开的一方面,一种显示装置包括:基板,其中限定有包括第一子像素的多个子像素;电源线,其设置在基板上;驱动晶体管,其在基板上设置在第一子像素中;第一反射电极和第二反射电极,它们在第一子像素中设置在驱动晶体管上;第一发...
  • 本发明公开了一种显示装置,其包括显示面板,该显示面板包括:基板;被设置在基板上的绝缘层;被布置在绝缘层上的多个第一电极;被布置在多个第一电极上的多个发光元件;被布置在多个发光元件上的多个第二电极;包围多个发光元件的光学层;被设置在光学层上的...
  • 提供了显示装置,该显示装置包括:基板,该基板包括显示区域和非显示区域;像素驱动电路,该像素驱动电路位于基板上的显示区域中;堤部,该堤部位于像素驱动电路上;第一钝化层,该第一钝化层位于堤部上;发光器件,该发光器件设置在堤部上并与堤部交叠;第一...
  • 公开了显示装置和显示面板。该显示装置包括:第一基板,所述第一基板包括与多个子像素对应的多个子像素区域;第一电极,所述第一电极中的每一个设置在所述第一基板上并且设置在所述多个子像素中的每一个中;发光层,所述发光层设置在所述第一电极上;第二电极...
  • 根据本公开的示例性配置的显示装置可以包括:基板;多个像素驱动电路,该多个像素驱动电路设置在该基板上;多个绝缘层,该多个绝缘层设置在该多个像素驱动电路上;多个堤,该多个堤设置在该多个绝缘层上;多个微LED,该多个微LED设置在该多个堤上并且分...
  • 提供了一种显示装置,包括:基板,基板包括显示区域和非显示区域;像素驱动电路,像素驱动电路位于基板上的显示区域内;绝缘层,绝缘层位于像素驱动电路上;堤部,堤部设置在位于绝缘层上的包括第一子像素和第二子像素的多个子像素中;第一电极,第一电极设置...
  • 提供了一种显示设备。该显示设备包括:基板,在该基板中限定了包括多个子像素的多个像素;设置在基板上的多个晶体管;设置在基板上的绝缘层;设置在绝缘层上的粘合剂层;以及在多个子像素中的每一个中设置在粘合剂层上的多个发光二极管,其中,绝缘层包括设置...
  • 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括:可拉伸的下基板,其被划分成第一区域和与第一区域不同的第二区域;图案层,其设置在下基板上,并且包括设置在第一区域中的板图案和设置在第二区域中的线图案;第一金属层,其设置在板图案和线图案...
  • 本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开一种低串扰的Micro‑LED外延片、制备方法、Micro‑LED显示系统。低串扰的Micro‑LED外延片包括依次层叠的驱动背板、发光结构和光子晶格隔离结构层,发光结构包括于驱动背板上依次层叠的P型...
  • 本发明涉及一种用于神经形态计算的铁电异质结晶体管及其制备方法,晶体管由下至上依次包括栅电极、介电层、铁电层、半导体层、源电极以及漏电极;所述铁电层为具有电子捕获位点的有机无机杂化铁电钙钛矿材料,所述半导体为二维双极性半导体材料。本发明利用通...
  • 本发明公开了一种结构可拉伸的有机薄膜晶体管及其制备方法,该有机薄膜晶体管的半导体沟道层为单片式集成结构,通过微纳加工,被图案化为预设的二维微结构。通过该结构设计,使得器件在承受宏观拉伸时,应变主要通过半导体实心区域的刚体位移、旋转或平面外屈...
  • 本发明公开了一种基于非对称载流子散射势分布的有机场效应整流晶体管及其制备方法,属于有机半导体器件领域。本发明在有源层的导电沟道区域内,构建了一种预设的非对称载流子散射势分布。该散射势分布利用了固有的结构不对称性与晶体管工作时由栅压调控产生的...
  • 本发明公开一种基于PEDOT/CuO纳米颗粒/ZnO纳米阵列异质结的自供电紫外光探测器及其制备方法,包括以下步骤:清洗衬底;在衬底上生长ZnO纳米阵列;在ZnO纳米阵列上沉积CuO纳米颗粒;在CuO纳米颗粒/ZnO纳米阵列上旋涂PEDOT层...
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