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最新专利技术
  • 半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202411139689.6
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质，半导体器件包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路，外围电路被配置为：在第一编程循环的验证阶段，对目标存储单元耦接的字线施加第一验证电压；在利用半导体器件进行运算阶段，对目标存...
    2026-05-10
  • 字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路
    字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路_华邦电子股份有限公司_202510135308.5
    本发明提供一种字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路。字线编码器包括字线驱动电路。字线驱动电路包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。第一驱动晶体管的第一端接收第一信号，且第一驱动晶体管的控制端接收第一控制信号。第二驱动晶体管耦接到第一驱...
    2026-05-10
  • 存储装置及存储系统
    存储装置及存储系统_铠侠股份有限公司_202510200827.5
    本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储系统。本发明的实施方式的存储装置包含多个串、多个位线、多个字线、源极线及控制器。多个串各自包含串联连接的多个存储单元。多个位线分别连接于多个串各自的一端。多个字线分别连接于多个存储单元。源极线连接于多个...
    2026-05-10
  • 非易失性存储器装置及其操作方法
    非易失性存储器装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510618638.X
    提供了一种非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；页缓冲器单元，包括通过所述多条位线连接到所述多个存储器单元的页缓冲器；以及控制逻辑电路，被配置为：基于读取命...
    2026-05-10
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质
    存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411207799.1
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质。其中，存储器装置包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储单元；以及外围电路，与存储单元阵列耦接并被配置为：对多个存储单元中的目标存储单元执行读取操作时，在耦接于目标存储...
    2026-05-10
  • 存储器操作方法、存储器及存储系统
    存储器操作方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411217979.8
    本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该方法包括：响应于获取存储器的温度为第一温度，在读取过程中的数据保存阶段，对数据输入开关单元施加第一导通电压；响应于获取存储器的温度为第二温度，在数据保存阶段，对数据输入开...
    2026-05-10
  • 存储器系统及其操作方法、存储介质
    存储器系统及其操作方法、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411262772.2
    本申请实施例提供一种存储器系统及其操作方法、存储介质。其中，存储器系统包括：存储器装置；存储器控制器，与所述存储器装置耦接且被配置为：响应于第一编程操作过程中的掉电，将所述第一编程操作对应的待写入数据进行编码处理，得到编码数据；将所述编码数...
    2026-05-10
  • 一种矿用保护装置用数据记录系统及控制方法
    一种矿用保护装置用数据记录系统及控制方法_兖州东方机电有限公司_202511786391.9
    本发明涉及矿用保护装置控制技术领域，尤其是一种矿用保护装置用数据记录系统及控制方法，包括电压采集电路、电流采集电路、数字量输入电路、数字量输出电路、电源电路、CPU、外部EEPROM存储器、内部FLASH存储器；所述电压采集电路、所述电流采...
    2026-05-10
  • 存储器及其中的读取电路
    存储器及其中的读取电路_兆易创新科技集团股份有限公司_202411259944.0
    本公开涉及一种用于存储器的读取电路，其包括：位线选择晶体管，其第一端耦接到位线，并且其栅极在预充电过程中接收栅极电压以保持所述位线选择晶体管导通；预充电模块，被配置为在所述预充电过程中对所述位线选择晶体管的第二端和所述位线进行预充电；以及栅...
    2026-05-10
  • 内存存储装置
    内存存储装置_华邦电子股份有限公司_202411410304.5
    一种内存存储装置。内存存储装置包括存储单元阵列及控制器电路。存储单元阵列包括多个第一存储单元。控制器电路耦接到存储单元阵列。控制器电路用以调整第一等待期间及第一导通期间，并根据第一等待期间及第一导通期间读取第一存储单元所存储的数据，直到第一...
    2026-05-10
  • 电压产生电路、存储器及存储系统
    电压产生电路、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411179169.8
    本申请提供了一种电压产生电路、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。该电压产生电路包括：时钟倍压电路，以及，电荷泵电路；时钟倍压电路包括：第一信号产生电路、第二信号产生电路以及第一输出电路；第一信号产生电路，被配置为在输入的第一时钟信号的控制...
    2026-05-10
  • 一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质
    一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质_西安格易安创集成电路有限公司_202411259562.8
    本申请公开了一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质，其中，该存储单元的编程方法包括：确定待编程存储单元的数量；根据待编程存储单元的数量确定对应的电压增量和/或时间增量；其中，电压增量与待编程存储单元的数量呈正相关，时间增量与待编程存储...
    2026-05-10
  • 存储器编程方法、存储器控制设备及存储器
    存储器编程方法、存储器控制设备及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411259642.3
    本公开提供一种存储器编程方法、存储器控制装置及存储器，属于数据存储技术领域。该方法包括：确定存储器中目标单元块的状态参数；根据目标单元块的状态参数确定编程调整参数；响应于编程指令，对目标单元块中的至少一页进行编程，得到编程结束时的当前编程完...
    2026-05-10
  • 闪存装置及其编程方法
    闪存装置及其编程方法_华邦电子股份有限公司_202411440165.0
    本发明提供一种闪存装置及其编程方法。闪存装置包括存储器阵列以及存储器控制电路。存储器阵列具有多个位群组。存储器控制电路经配置以依序对位群组进行编程操作。在位群组中的目标位群组未通过编程验证的情况下，存储器控制电路对目标位群组执行一或多次编程...
    2026-05-10
  • 具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器
    具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510532023.5
    本公开涉及具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器。一种装置包括控制电路，该控制电路被配置为连接到非易失性存储器阵列的多个平面。该控制电路被配置为：将多个并行信号转换为多个串行信号，向用于该多个平面中的每个平面的相应控制电路传送该多...
    2026-05-10
  • efuse存储器
    efuse存储器_上海华力集成电路制造有限公司_202411215927.7
    本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元结构包括：由MOS晶体管组成的控制管和熔丝结构。MOS晶体管形成于第一有源区中。熔丝结构形成于和第一有源区平行的第二有源区中。熔丝结构包括第一和第二熔丝连接区和位于第一和第二熔丝连接区之间的有...
    2026-05-10
  • efuse存储器及其操作方法
    efuse存储器及其操作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411216062.6
    本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元包括：主熔丝、备份熔丝、主选择控制管和备份选择控制管。主备份熔丝的第一端相连并作为位线端口。主选择控制管的栅极作为主字线端口。备份选择控制管的栅极作为备份字线端口。主选择控制管连接在主熔丝的第...
    2026-05-10
  • 移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置
    移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202411206173.9
    本发明公开了移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置，其中，第一晶体管切换输入电压信号和第三节点的导通关系，第二晶体管切换工作电压信号和第三节点的导通关系，第三晶体管切换工作电压信号和第四节点的导通关系，第四晶体管切换第四节点和第二节点的导通关...
    2026-05-10
  • 移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置
    移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202411224002.9
    本发明公开了移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置，其中，第一晶体管切换输入电压信号和第五节点之间的电路；第二晶体管切换负电压信号和第四节点之间的电路；第三晶体管切换第四节点和第二节点之间的电路；第四晶体管切换正电压信号和第二节点之间的电路；...
    2026-05-10
  • 一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法
    一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法_中国电子科技集团公司第三十研究所_202511576965.X
    本发明提出了一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法，包括：选取一个m+1级Fibonacci NFSR1；选取一个m+2级Fibonacci NFSR2；Fibonacci NFSR1与Fibonacci NFSR2环状连接，得到一个2...
    2026-05-10
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