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最新专利技术
  • 基板处理装置和基板处理方法
    基板处理装置和基板处理方法_细美事有限公司_202511193965.1
    本发明公开了一种基板处理方法，包括：将处理液体供应到旋转的基板上；以及通过激光照射组件用激光照射在其上形成有处理液体的液膜的旋转的基板，从而加热基板，其中，基板被划分为一个或多个单位照射区域，激光照射组件指定一个或多个单位照射区域中的任一单...
    2026-03-14
  • 基板表面处理方法
    基板表面处理方法_日扬科技股份有限公司_202510897959.8
    本发明涉及一种基板表面处理方法，包含下列步骤：对基板的表面进行平坦化处理步骤；以及对基板的表面进行电浆处理步骤，其中平坦化处理步骤与电浆处理步骤于基板之表面上非同时地以可调整之顺序进行。此基板表面处理方法可解决传统单一制程或同步式复合制程所...
    2026-03-14
  • 氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511455140.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氧化铝硬掩模层的刻蚀方法及半导体工艺设备。氧化铝硬掩模层的刻蚀方法，包括：向工艺腔室内通入工艺气体并激发形成等离子体，以对工艺腔室内的氧化铝硬掩模层进行刻蚀；其中，工艺气体包括BCl3。半导体工艺...
    2026-03-14
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_细美事有限公司_202510749675.4
    本发明公开了基板处理装置以及基板处理方法。根据本发明的实施例的基板处理装置，用于处理包括第一半导体层和第二半导体层的层叠结构的基板，其特征在于，所述基板处理装置包括：第一工艺模组，用于利用氟气选择性蚀刻所述第二半导体层；第二工艺模组，用于利...
    2026-03-14
  • 半导体图形结构的刻蚀方法
    半导体图形结构的刻蚀方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746020.8
    本发明公开了一种半导体图形结构的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底至少具有两种半导体材料区，各种半导体材料区中的半导体材料不同。定义出半导体图形结构的形成区域。采用原子层刻蚀对各半导体图形结构的形成区域中的半导体材料进行刻蚀形成各种...
    2026-03-14
  • 一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法
    一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511931442.2
    本发明公开了一种基于化学刻蚀的微孔微槽正面刻蚀方法，包括：在硅基底表面依次沉积Si3N4层、SiO2和SiOxNy层，作为微孔微槽基底；采用感应耦合等离子体刻蚀技术，设置偏置功率为100~240W，通入刻蚀气体，对微孔微槽基底进行HMO刻蚀...
    2026-03-14
  • 一种砷化镓晶圆侧蚀改善方法及晶圆结构
    一种砷化镓晶圆侧蚀改善方法及晶圆结构_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202610081793.7
    本发明提供一种砷化镓晶圆侧蚀改善方法及晶圆结构，所述方法包括提供一砷化镓晶圆；在所述砷化镓晶圆的正面形成保护层；将所述砷化镓晶圆的背面贴附于承载膜上；采用激光从所述砷化镓晶圆的正面进行切割，将其分割成多个晶粒，并在所述晶粒的切割道侧面形成重...
    2026-03-14
  • 基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统
    基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统_深圳市极梓光学科技有限公司_202511836000.X
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统，包括以下步骤：S1：对SiC晶锭进行清洗与固定调平；S2：设定飞秒激光的脉冲宽度、重复频率、功率、扫描速度及扫描间距，并将激光焦点精确定位在晶锭内部...
    2026-03-14
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411148039.8
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，方法包括：半导体结构背面切割道上设置深度小于切割道的切割槽；设置背金层覆盖封装单元及切割槽显露表面；切割槽内填充不低于背金层的隔离保护层；设置隔离保护层的位置切割半导体结构得到分离的封装单元，隔离保...
    2026-03-14
  • 一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备
    一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备_苏州频普半导体科技有限公司_202511690593.3
    本发明涉及晶圆片分片的领域，公开了一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备，包括固定框，所述固定框下内壁中间连接多根支杆，所述支杆顶端安装清洗框，所述清洗框内设置升降托料结构，所述固定框上内壁设置切分结构，所述固定框下内壁右侧设置移动限位结构；...
    2026-03-14
  • 一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质
    一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511742590.X
    本公开提供了一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质，方法包括将所述晶圆放置在一清洗槽内的清洗液中进行清洗，且所述清洗液在始于所述清洗槽的流体路径中循环；检测所述流体路径中处于过滤节点上游的所述清洗液中的颗粒数量；根据所述颗粒数量...
    2026-03-14
  • 半导体产线料盒的侦测装置及其方法
    半导体产线料盒的侦测装置及其方法_铧友益科技股份有限公司_202411111079.5
    一种半导体产线料盒的侦测装置，包含适用于供料盒放置的定位单元、与所述定位单元间隔设置的照光单元，及与所述照光单元间隔设置的处理单元。所述照光单元包括支架，及至少一个设置于所述支架并适用于朝向所述料盒发出结构光的激光光源。所述处理单元包括用于...
    2026-03-14
  • 一种检测装置
    一种检测装置_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411114531.3
    本发明公开了一种检测装置，包括：传感器模块，包括图像传感器和距离传感器，用于检测晶圆外周与承载台上的聚焦环的间距及晶圆的边缘位置与距离传感器的间距；处理器模块，与传感器模块通信连接以调节各个传感器的开闭，并接收各个传感器的检测数据以判断晶圆...
    2026-03-14
  • 一种处理液供给装置
    一种处理液供给装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411128720.6
    本发明涉及半导体器件制造领域，具体为一种处理液供给装置，装置包括出液管路、控制模块、至少两个回吸单元以及至少两条进液管路，进液管路的一端与各自对应的回吸单元连接，进液管路的另一端与出液管路的一端连接，出液管路的另一端用于喷淋处理液，进液管路...
    2026-03-14
  • 修复设备
    修复设备_合肥京东方星宇科技有限公司_202411163416.5
    本公开提供一种修复设备。本公开提供的修复设备包括：元件取放模块、控制模块、第一载台和第二载台。第一载台承载第一基板，第二载台承载第二基板。第一基板具有至少一个第一电子元件，第二基板具有至少一个第二电子元件。元件取放模块包括：位于第一基板与第...
    2026-03-14
  • 衬底处理系统
    衬底处理系统_株式会社斯库林集团_202511132020.9
    本发明涉及一种衬底处理系统(10)，具备：衬底处理装置(1)，对衬底供给处理液；供给部(200)，将处理液引导到衬底处理装置(1)；及热回收部(40)，从自衬底处理装置(1)排出的排液回收热量。供给部(200)具备：调温部(20)，使处理液...
    2026-03-14
  • 流体系统、包括其的半导体处理系统以及流量控制方法
    流体系统、包括其的半导体处理系统以及流量控制方法_ASMIP私人控股有限公司_202511183450.3
    一种流体系统包括导管、联接到导管的浓度传感器以及处理器。处理器设置成与浓度传感器通信并且响应于记录在存储器上的指令以接收浓度控制选择，进一步接收指示夹带在由导管输送的流体中的流体‑载体中的流体成分的浓度的信号，并且确定流体成分的浓度。当浓度...
    2026-03-14
  • 一种硅片清洗设备
    一种硅片清洗设备_浙江艾科半导体设备有限公司_202511505478.4
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种硅片清洗设备，包括：清洗槽；设置在清洗槽内的载台；与载台相连接的驱动部，所述驱动部用以带动载台做出竖直以及水平方向的往复直线运动；设置在载台上的支撑板，所述支撑板与载台之间为弹性连接，所述支撑板与...
    2026-03-14
  • 一种晶圆加工温控系统
    一种晶圆加工温控系统_杭州先导热电科技有限公司_202511589511.6
    本发明公开了一种晶圆加工温控系统，涉及晶圆加工领域，旨在解决现有的晶片加工温控方案无法保证半导体晶圆加工设备的温控要求以及水质要求的问题，包括水生产处理区域以及与水生产处理区域连接的晶圆加工区域，晶圆加工区域包括晶圆加工设备以及与晶圆加工设...
    2026-03-14
  • 具有泄漏侦测的液态化学品供应系统及相关方法
    具有泄漏侦测的液态化学品供应系统及相关方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511611634.5
    本发明提供一种与液态化学品供应系统相关的方法。该方法包括：接收储存槽，其中保持液态化学品；将入口喷嘴附加到储存槽，入口喷嘴包括：其中界定第一开口，第一开口与储存槽内部流体连通；其中界定第二开口，第二开口与储存槽内部气体连通；其中界定第三开口...
    2026-03-14
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