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最新专利技术
  • 一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法
    一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法_合肥阿基米德电子科技有限公司_202610003482.9
    本发明公开了一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法，涉及半导体技术领域，碳化硅金刚石复合衬板包括碳化硅基体、金刚石层、冶金结合金属层、绝缘陶瓷层和铜层。制备方法包括：步骤一，对碳化硅基体进行表面处理，形成若干凹坑；步骤二，在碳化硅基体设置有凹...
    2026-03-08
  • 芯片、半导体器件及电子设备
    芯片、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512040205.3
    本公开涉及一种芯片、半导体器件及电子设备，该芯片包括芯片本体和环形结构，环形结构围绕芯片本体的外周向设置，环形结构包括沿自身厚度方向层叠布置的第一金属互连结构、衬底以及第二金属互连结构；其中，衬底上设置有连接孔，连接孔连接于第一金属互连结构...
    2026-03-08
  • 一种高效的GPU芯片液冷散热装置
    一种高效的GPU芯片液冷散热装置_盱眙鑫旺电子有限公司_202511537325.8
    本发明涉及芯片技术领域，具体为一种高效的GPU芯片液冷散热装置，包括安装架，安装架外壁顶部固定设有冷板，冷板顶部设有发热芯片，安装架外壁位于冷板底部设有散热机构；散热机构包括安装架内壁处相对设置的两个储液筒，储液筒设有容纳液体的储液腔，储液...
    2026-03-08
  • 具有增强散热结构的功率模块
    具有增强散热结构的功率模块_无锡芯动半导体科技有限公司_202511642786.1
    本发明涉及一种具有增强散热结构的功率模块。按照本发明提供的技术方案，一种具有增强散热结构的功率模块，所述功率模块包括：功率模块本体，至少包括封装基座以及装配于所述封装基座上的功率单元，以利用功率单元形成所需的电能转换电路拓扑；增强散热结构，...
    2026-03-08
  • 一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备
    一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202411099875.1
    本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备。包括：在封装有目标芯片的基板表面的预设区域粘贴固定翘曲抑制构件，形成第一初始封装体；通过回流焊，将第一初始封装体固定贴装在目标PCB板的预设区域，形成第二...
    2026-03-08
  • 静电保护电路、芯片及设备
    静电保护电路、芯片及设备_成都奕斯伟计算技术有限公司_202511714179.1
    本申请公开了静电保护电路、芯片及设备，属于半导体技术领域。电路中的检测模块在静电保护电路的电源正极存在静电电流的情况下，输出第一信号；驱动模块基于第一信号向放电模块输出第二信号，第二信号的电平值大于第一信号的电平值；放电模块在第二信号满足导...
    2026-03-08
  • 适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法
    适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640172.X
    本发明提供一种适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法，该方法包括：在具有零层对位标记区域和沟道区域的衬底上形成第一介质层；对零层对位标记区域进行刻蚀，在衬底中形成沟槽；在沟槽内表面及沟道区域上形成用于阻挡外延生长的第二介质层；对第二介...
    2026-03-08
  • 半导体封装件和制造半导体封装件的方法
    半导体封装件和制造半导体封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511724798.9
    本公开提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，设置在基底上；模制层，在基底上覆盖半导体芯片，模制层包括主体部和设置主体部上的标记图案；标记框架，设置在主体部上，标记框架的一部分被去除以形成标记区域...
    2026-03-08
  • 芯片堆叠结构
    芯片堆叠结构_湖北星辰技术有限公司_202511758488.9
    本公开实施例提供一种芯片堆叠结构，该芯片堆叠结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆设置有第一对准标识；与所述第一晶圆键合的第二晶圆，所述第二晶圆设置有第二对准标识；其中，所述第一对准标识与所述第二对准标识在键合面上的投影上具有预设的位置对应关系；...
    2026-03-08
  • 定位标记及其形成方法
    定位标记及其形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511785764.0
    本申请提供了一种定位标记的形成方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括划片道区域，划片道区域上形成有硬掩模层，划片道区域上具有定位标记区；针对定位标记区的硬掩模层执行第一次光刻工艺与第一次刻蚀工艺，在定位标记区的硬掩模层上形成第一开口；...
    2026-03-08
  • 一种引线框架的生产方法
    一种引线框架的生产方法_山东芯通微电子科技有限公司_202511666775.7
    本发明提供了一种引线框架的生产方法，涉及引线框架生产领域，采用的方案是：包括以下步骤：S01：设计蚀刻引线框架，将蚀刻框架的引脚单边预留出设定的冲压余量；S02：蚀刻加工；S03：通过冲压工艺去除引脚蚀刻后的冲压余量；S04：塑封；S05：...
    2026-03-08
  • 一种系统级板级封装方法及其产品
    一种系统级板级封装方法及其产品_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511774973.5
    本发明公开了一种系统级板级封装方法及其产品，该方法包括以下步骤：准备若干颗高带宽内存芯片；将高带宽内存芯片键合在临时载板上，制作塑封料通孔并塑封；去除临时载板，在高带宽内存芯片上形成扇出型再布线层；将系统级芯片与高带宽内存芯片电性互连；填充...
    2026-03-08
  • 芯片载板及其制作方法、芯片封装结构
    芯片载板及其制作方法、芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511787167.1
    本申请实施例提供的一种芯片载板及其制作方法、芯片封装结构，芯片载板的制作方法，包括：在玻璃基板的第一表面形成第一保护层，在第一保护层上形成多个第一通孔，通过所述第一通孔，对玻璃基板进行激光诱导，形成多个诱导区域，在诱导区域，对玻璃基板进行蚀...
    2026-03-08
  • 基于玻璃中介层的应力解耦式传感器封装结构及其封装方法
    基于玻璃中介层的应力解耦式传感器封装结构及其封装方法_深圳中科四合科技有限公司_202511804161.0
    本发明提供一种基于玻璃中介层的应力解耦式传感器封装结构及其封装方法，所述方法包括：制备带TGV通孔的玻璃基载板并金属化填充，形成玻璃中介层；在预设区域通过SOI晶圆键合、硅薄膜转移及半导体工艺制作压阻式参考传感器，随后在玻璃中介层表面贴装焊...
    2026-03-08
  • 半导体通孔的制备方法、半导体中介层及其制备方法
    半导体通孔的制备方法、半导体中介层及其制备方法_浙江大学杭州国际科创中心_202610107455.6
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体通孔的制备方法、半导体中介层及其制备方法。本发明提供的一种半导体中介层的制备方法，先在半导体衬底的预设通孔区域形成晶格缺陷，再生长外延半导体材料层；通过腐蚀工艺选择性除去预设通孔区域的非晶或多晶半...
    2026-03-08
  • 基板结构及其制备方法、芯片封装结构
    基板结构及其制备方法、芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511783929.0
    本申请实施例提供一种基板结构及其制备方法、芯片封装结构，基板结构的制备方法，包括：在临时载板的一侧设置截止层；在所述截止层背离所述基板的一侧设置载板制品，所述载板制品具有预设区域；对所述载板制品的所述预设区域进行图案化处理形成具有连接通孔的...
    2026-03-08
  • 引线框架及电流传感器
    引线框架及电流传感器_成都万智芯科技有限公司_202511676611.2
    本申请提供一种引线框架及电流传感器。该引线框架包括基岛和至少两个原边引脚，基岛包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分沿第二方向排布，第一部分沿第一方向凸出于第二部分；第二部分在第一方向的至少一侧沿第一方向延伸以形成延伸部；延伸部在第一方...
    2026-03-08
  • 导电导孔及其制造方法
    导电导孔及其制造方法_申泰公司_202511353873.5
    导电导孔及其制造方法。电部件由延伸穿过玻璃基板的金属化孔提供。所述电部件可以通过迫使悬浮在液体介质中的导电颗粒的悬浮液通过所述孔制造。悬浮液可在气压差、离心力或静电力等气压差下被迫进入孔内。所述孔中的液体介质可以被干燥，并且所述颗粒可以被烧...
    2026-03-08
  • 一种毫米波封装天线模块的互连结构
    一种毫米波封装天线模块的互连结构_广东工业大学_202511700740.0
    本发明公开了一种毫米波封装天线模块的互连结构，涉及毫米波通信技术领域，包括整体封装结构、基板材料与叠层结构、关键互连结构、性能指标与验证、样机加工与组装；其中，关键互连结构具体包括PCB与SiP芯片互连结构、SiP芯片间互连结构、SiP与G...
    2026-03-08
  • 一种用于Fan-out WLP的界面增强结构及其制作方法
    一种用于Fan-out WLP的界面增强结构及其制作方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511660268.2
    本发明公开了一种用于Fan‑out WLP的界面增强结构及其制作方法，属于半导体封装技术领域，包括多层聚酰亚胺层和铜重布线层，在虚拟区域的铜重布线层上设置有多个槽孔，所述槽孔将铜重布线层分割成多个孤立单元，通过热压固化使槽孔内填充的聚酰亚胺...
    2026-03-08
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