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最新专利技术
  • 一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池
    一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池_北京昇帆科技有限公司_202511783613.1
    本发明提供一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池，由多个模块组成，每个模块包括电池组件和基板，所述电池组件粘贴在基板上，所述基板包括电路层和夹持所述电路层的第一覆盖层和第二覆盖层，所述电路层分为若干组电缆线，每组电缆线包括1根正电缆线和1根负电...
    2026-03-10
  • 一种高反射黑色太阳能背板
    一种高反射黑色太阳能背板_绍兴华源新材料科技有限公司_202511698924.8
    本发明公开了一种高反射黑色太阳能背板，包括白色反射层I、白色反射层II、白色反射层III、黑色反射层I和黑色反射层II；三层白色反射层中分别含有钛白粉，钛白粉在白色反射层中的含量符合：白色反射层I＜白色反射层II＜白色反射层III；黑色反射...
    2026-03-10
  • 一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法
    一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法_宏润泰阳(宣城)绿色能源有限公司_202511580168.9
    本发明公开一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法，解决现有BC电池互联短路频发、成本高、柔韧性差及绝缘可靠性低的问题。复合焊带包括复合金属芯、双层绝缘层及分段接触段；接触段去除绝缘层露镀镍银合金的金属芯，其余区域保留绝缘层；制备采用卷对卷...
    2026-03-10
  • 一种高可靠性的光伏组件及系统
    一种高可靠性的光伏组件及系统_英利能源发展有限公司_202511674307.4
    本发明公开的一种高可靠性的光伏组件及系统，属于光伏技术领域，所述光伏组件包括：正极接线端子、负极接线端子和两组光伏单元；每组光伏单元均包括电池单元、汇流带和两个二极管；其中一个二极管连接于汇流带与电池单元的负极之间；另一个二极管连接于汇流带...
    2026-03-10
  • 共振隧穿光电二极管
    共振隧穿光电二极管_中国科学院半导体研究所_202511729475.9
    本公开提供一种共振隧穿光电二极管，涉及红外光电器件技术领域。该共振隧穿光电二极管包括：衬底；材料层，位于衬底上方，材料层包括：吸收区，增益区，用于调控红外信号的信号增益，增益区包括：下势垒层；势阱层，位于下势垒层上方；上势磊层，位于势阱层上...
    2026-03-10
  • 改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法
    改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511676121.2
    本申请提供一种改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底的背面依次形成层间介质层、阻挡层、金属层、第一金属硬掩模层、第一硬掩模层、第二金属硬掩模层和第二硬掩模层；步骤二，实施第一刻蚀，在第二金属硬掩模层和第二...
    2026-03-10
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610098801.9
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，包括光电感应区和逻辑区，衬底包括相对设置的正面和反面；多个光电二极管，由衬底的正面间隔设置在光电感应区；多个半导体器件，由衬底的正面间隔设置在逻辑区；至少一个...
    2026-03-10
  • 芯片封装结构和芯片封装方法
    芯片封装结构和芯片封装方法_苏州科阳半导体有限公司_202511799333.X
    本申请提供的一种芯片封装结构和芯片封装方法，涉及半导体技术领域。该芯片封装结构包括第一基板、第二基板、芯片和防反玻璃。第一基板设有第一通孔和分布在第一通孔外周的第一重布线层，第一重布线层连接有第一凸点和第二凸点；第一凸点相对第二凸点更靠近第...
    2026-03-10
  • 芯片封装结构和芯片封装方法
    芯片封装结构和芯片封装方法_苏州科阳半导体有限公司_202511799334.4
    本申请提供的一种芯片封装结构和芯片封装方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括第一玻璃基板、第二玻璃基板和芯片。第一玻璃基板的一侧表面具有透光区和布线区；布线区位于透光区的外围；布线区设有第一布线层和与第一布线层电连接的至少两组连接端...
    2026-03-10
  • 一种量子点焦平面探测器及其制备方法
    一种量子点焦平面探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511801344.7
    本发明属于探测器相关领域，公开了一种量子点焦平面探测器及其制备方法，所述量子点焦平面探测器ROIC晶圆、像素绝缘层、金属层、空穴传输层、量子点层、缓冲层、电子传输层及公共电极层。像素绝缘层设于ROIC晶圆上表面，其上开设有阵列孔洞且延伸至R...
    2026-03-10
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610113824.2
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，所述衬底内间隔设置多个光电二极管；第一氧化区和第二氧化区，交替设置在相邻所述光电二极管之间的所述衬底内，所述第一氧化区和所述第二氧化区的形状不同，所述第一氧化...
    2026-03-10
  • 一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法
    一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法_江苏润阳世纪光伏科技有限公司_202511567369.5
    本发明公开了一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法，其包括：S1、提供制有塔基和poly层的硅片；S2、提供石英隔离器件，其具有用于在硅片表面扩散形成叉指状PN结的扩散结构；扩散结构是由硼扩散石英管路和磷扩散石英管路相互交叉但互不相通...
    2026-03-10
  • 选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法
    选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511642369.7
    本公开涉及一种选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法。选择性发射极的制备方法包括：提供衬底；衬底包括金属栅线接触区和非金属栅线接触区；对衬底进行离子扩散处理，在衬底的第一表面上形成第一掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层为重掺杂；在第一掺...
    2026-03-10
  • 感存算一体化仿生视觉传感模组的双极欧姆接触方法及装置
    感存算一体化仿生视觉传感模组的双极欧姆接触方法及装置_东莞潜星电子科技有限公司_202511664326.9
    本发明涉及视觉传感模组技术领域，公开了一种感存算一体化仿生视觉传感模组的双极欧姆接触方法及装置。所述方法包括：在硅基底上依次构建底层N型掺杂区、中间P型光敏吸收区和顶层N重掺杂区；在中间P型光敏吸收区和顶层N重掺杂区中形成第一梯度界面、在底...
    2026-03-10
  • 太阳电池的焊接方法
    太阳电池的焊接方法_通威太阳能(合肥)有限公司_202511676213.0
    本申请涉及一种太阳电池的焊接方法，包括如下步骤：提供电池片，电池片的侧面设有栅线；在电池片的侧面形成有机保焊膜，使得有机保焊膜覆盖于栅线的外表面；将栅线上需要焊接焊丝的部位所覆盖的有机保焊膜完全去除，使得栅线上需要焊接焊丝的部位裸露；其中，...
    2026-03-10
  • 一种异质结双极晶体管器件的制备方法
    一种异质结双极晶体管器件的制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511713622.3
    本申请公开了一种异质结双极晶体管器件的制备方法，涉及红外探测器、半导体技术，包括：提供外延材料片；基于所述外延材料片进行光刻胶涂覆、曝光、显影，形成地线图形；使用第一腐蚀液对所述外延材料片进行湿法腐蚀，形成地线电极结构，所述第一腐蚀液为、和...
    2026-03-10
  • 一种芯片及其接触孔制作方法、红外探测器
    一种芯片及其接触孔制作方法、红外探测器_北京智创芯源科技有限公司_202511772142.4
    本申请涉及芯片制备领域，特别是涉及一种芯片及其接触孔制作方法、红外探测器，该方法包括：将芯片固定在托盘中，芯片的第一表面与托盘的底板之间具有低温相变材料，托盘的盖板具有镂空区域，芯片的第二表面部分外露于镂空区域；将固定有芯片的托盘置于刻蚀设...
    2026-03-10
  • 一种碲镉汞芯片及其增透膜的制作方法、探测器
    一种碲镉汞芯片及其增透膜的制作方法、探测器_北京智创芯源科技有限公司_202511772144.3
    本申请涉及芯片制备领域，公开了一种碲镉汞芯片及其增透膜的制作方法、探测器，方法包括：准备待加工碲镉汞芯片；在所述待加工碲镉汞芯片的一侧表面制作多孔材料层；所述多孔材料层背离所述待加工碲镉汞芯片的表面分布有孔隙，所述多孔材料层作为第一增透膜；...
    2026-03-10
  • 一种生产柔性太阳能毯的方法和一种柔性太阳毯
    一种生产柔性太阳能毯的方法和一种柔性太阳毯_北京昇帆科技有限公司_202511776682.X
    本发明提供一种生产柔性太阳能毯的方法和一种柔性太阳毯，该方法具体包括：将电池芯片阵列采用单模块层压方式通过第一粘接膜预封装至封装膜表面，形成组合件模块，所述电池芯片阵列为由电池芯片按照阵列形成的太阳能电池组件；对所述组合件模块进行测试；将多...
    2026-03-10
  • 一种背接触电池及其制备方法和应用
    一种背接触电池及其制备方法和应用_英利能源发展有限公司_202511845444.X
    本发明提供一种背接触电池及其制备方法和应用，太阳能电池技术领域。本发明的背接触电池的制备方法，包括如下步骤：S1.在硅片背面进行局部激光刻蚀，制备出背面连续周期性凹槽结构，并在凹槽结构表面沉积隧穿层；S2.将第一复合浆料和第二复合浆料分别间...
    2026-03-10
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