Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法
    用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法_国家能源集团科学技术研究院有限公司_202511480229.4
    本发明公开了一种用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法，所述高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极具备梯度层结构，且高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极包括用于与压电材料结合的粘附阻挡层和导电层，粘附阻挡层...
    2026-02-27
  • 磁性隧道结及磁存储单元
    磁性隧道结及磁存储单元_中电海康集团有限公司_202511645533.X
    本发明提供一种磁性隧道结，包括：依次设置的参考层、势垒层和自由层；其中，参考层和自由层采用交错磁体形成，交错磁体的第一晶向与隧穿方向的夹角为第一锐角，参考层和自由层在沿第一晶向的倒空间动量方向积分后得到的横向动量分布中具有局域非零自旋极化，...
    2026-02-27
  • 一种利用衬底层厚度调控的自旋场效应管单元及制备方法
    一种利用衬底层厚度调控的自旋场效应管单元及制备方法_西北有色金属研究院_202511782867.1
    本发明公开了一种利用衬底层厚度调控的自旋场效应管单元，包括基底以及依次设置的第一电极层、SiC衬底层、MXenes层和第二电极层，其中，SiC衬底层包括横向设置的低厚度SiC区I、高厚度SiC区Ⅱ和低厚度SiC区Ⅲ，且MXenes层中对应为...
    2026-02-27
  • 霍尔元件、霍尔传感器及电子设备
    霍尔元件、霍尔传感器及电子设备_瑞声科技(新加坡)有限公司_202411166089.9
    本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种霍尔元件、霍尔传感器及电子设备，该霍尔元件包括基底、霍尔感应层、电极、阻挡层、导体接垫，霍尔感应层设置于基底上；电极设置有多个，多个电极连接霍尔感应层；阻挡层设置于霍尔感应层远离基底的一侧，阻挡层覆...
    2026-02-27
  • 一种室温霍尔整流器及其制备方法
    一种室温霍尔整流器及其制备方法_深圳国际量子研究院_202610078123.X
    本发明涉及非线性电子器件的技术领域，具体涉及一种室温霍尔整流器及其制备方法。所述室温霍尔整流器包括从下至上依次设置的衬底、非线性霍尔效应层、源漏电极、阻挡层和测量电极，所述非线性霍尔效应层由表面为(111)晶面的L111序的合金构成。本发明...
    2026-02-27
  • 具有非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用
    具有非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用_浙江大学杭州国际科创中心_202511496828.5
    本发明公开了一种非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用，该具有非易失性的铌酸锂神经突触器件，包括层叠设置的亲氧电极、储氧层、阻变层以及惰性电极，其中，所述阻变层的材料为非晶型铌酸锂，其中，所述非晶型铌酸锂中包括有氧空位，铌元素与氧元...
    2026-02-27
  • 施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置
    施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置_苏州大学_202511633758.3
    本发明公开了一种施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置，施密特触发器包括柔性衬底、栅电极、生物相容的栅介质层以及P型与N型有机半导体，通过三个顶电极实现互补连接，栅介质层电容值随电场变化且具有滞后特性，使器件在单一结构中具备双阈值电...
    2026-02-27
  • 一种压变存储器
    一种压变存储器_上海交通大学_202511740413.8
    本申请提供一种压变存储器，每个所述压变存储器单元包括由上至下依次设置的第一电极、第一介质层、存储功能层、第二介质层和第二电极；所述存储功能层具有非晶特性以及浓度高于101414 cm‑3‑3的缺陷态，组分选自硫系阈值开关材料、氧化物、氮化物...
    2026-02-27
  • 晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法
    晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511726037.7
    本发明公开一种晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法，该晶圆级熔融键合方法包括：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆具有相对的正面和背面；在第一硅晶圆的正面形成凹槽并在凹槽的顶部边缘拐角处形成倒角；通过热氧生长方式在第一硅晶圆的正面形成氧化硅介电...
    2026-02-27
  • 一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法
    一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511743889.7
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法，制备方法包括步骤：准备图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片，图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片均具有键合面；图形化衬底为由不同材料复合而成的叠层结构，在至少任一层中设有图形化凹槽...
    2026-02-27
  • 晶圆键合方法及晶圆键合系统
    晶圆键合方法及晶圆键合系统_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511911912.9
    本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合系统，属于半导体材料加工技术领域。该晶圆键合方法包括：在原始晶圆的待键合面上制备隔离膜层形成成膜晶圆的工序；对所述成膜晶圆表面进行等离子活化的工序；对经所述等离子活化工序的成膜晶圆激光修复的工序；对经过激...
    2026-02-27
  • 一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法
    一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511673021.4
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法。所述铥掺杂氧化亚锡薄膜包括从下到上依次堆叠的衬底、Tm : SnO材料层和封装层；以Tm : SnO材料层的原子总含量计，所述Tm : SnO材料层中Tm的掺杂浓度为2‑...
    2026-02-27
  • 低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用
    低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202610067132.9
    本申请涉及半导体材料技术领域，公开了低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用。该低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片的制备方法包括：对碳化硅衬底进行表面刻蚀，得到第一碳化硅衬底；在所述第一碳化硅衬底上气相沉积碳化硅层，得到碳化硅外延片前体；在...
    2026-02-27
  • 一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用
    一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用_郑州大学_202511763945.3
    本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用，制备方法的步骤为：(1)将三氧化二铝基底进行清洗、干燥，然后采用氟硅烷疏水修饰得到疏水基底；(2)将金属掩模板置于疏水基底上，进行氧气等离子体处理，得到具有亲疏水...
    2026-02-27
  • 半导体器件多晶硅层中离子注入方法
    半导体器件多晶硅层中离子注入方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411108126.0
    本发明提供一种半导体器件多晶硅层中离子注入方法，该方法包括：提供需进行离子注入的半导体器件，半导体器件上形成有多晶硅层；于多晶硅层中的预设区域进行具有导电类型离子及氮离子的离子注入；对离子注入后的多晶硅层进行热处理工艺。本方法通过在向多晶硅...
    2026-02-27
  • 图案转移方法及装置、设备及存储介质
    图案转移方法及装置、设备及存储介质_武汉大学_202511608408.1
    本申请提供了一种图案转移方法及装置、设备及存储介质，属于半导体领域。该方法包括：执行第一光刻步骤，在晶圆表面形成图形化的第一刻蚀阻挡层；执行第一湿法刻蚀步骤，在晶圆表面形成晶向识别图案，并去除第一刻蚀阻挡层；获取晶圆表面的晶向识别图案的深度...
    2026-02-27
  • 一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统
    一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610063657.5
    本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统；承载台，用于承放多个硅片；光源，多个光源位于承载台正上方设置，用于对硅片的表面进行光照；液晶遮光板，设于硅片与光源之间，所述液晶遮光板的透光率可通过电信号...
    2026-02-27
  • 晶圆划片方法
    晶圆划片方法_安徽光智科技有限公司_202511572192.8
    本申请公开一种晶圆划片方法，包括步骤：S110，在片环上粘附划片膜；S120，在划片膜的一侧粘附双面膜；S130，将晶圆粘附于双面膜；S140，对晶圆进行划片；S150，对划片膜进行解胶，将双面膜与划片膜分离；S160，通过加热台对双面膜进...
    2026-02-27
  • 晶圆边缘疏水表面处理方法
    晶圆边缘疏水表面处理方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695343.9
    本发明公开了一种晶圆边缘疏水表面处理方法，在键合界面外围边沿的环形区域进行疏水处理，形成疏水环以阻挡清洗液渗入，同时保持键合中心区域的亲水性以确保粘附强度；本发明在晶圆键合后清洗晶圆表面，由于边缘有疏水层阻挡液体渗透，清洗液不会渗入键合界面...
    2026-02-27
  • 晶圆研磨清洗工艺改善方法
    晶圆研磨清洗工艺改善方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511787414.8
    本发明公开了一种晶圆研磨清洗工艺改善方法，在晶圆进行研磨液研磨之后，额外引入化学清洗液对晶圆进入清洗模块前进行预清洗，去除晶圆表面携带的大量的TiN杂质颗粒，减少对清洗模块自身的污染，避免后续清洗晶圆时清洗模块自带的杂质颗粒回粘在晶圆表面造...
    2026-02-27
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证