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最新专利技术
  • 柔性电极结构及压电驱动器件
    柔性电极结构及压电驱动器件_深圳振华富电子有限公司_202511765636.X
    本申请提供了一种柔性电极结构及压电驱动器件，柔性电极结构包括柔性电极片体。在该柔性电极片体上设置有第一通槽和第二通槽中的至少一者，即该结构可包含第一通槽、或第二通槽、或两者同时存在。第一通槽完全设置在柔性电极片体的轮廓内部，其整体不超出电极...
    2026-03-03
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411174804.3
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torq...
    2026-03-03
  • 磁性存储器元件及其制作方法
    磁性存储器元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411181648.3
    本发明公开一种磁性存储器元件及其制作方法，其中该磁性存储器元件包括一存储单元结构，其包括一底电极、一磁隧穿结叠层位于该底电极上，以及一顶电极位于该磁隧穿结叠层上，其中该顶电极的一上部包括一弧形凹陷。一内连线结构设置在该顶电极上并填充该弧形凹...
    2026-03-03
  • 一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法
    一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法_北京科技大学_202511602889.5
    本发明提供了一种基于阵列非晶丝的磁性微粒检测装置的制造方法，涉及微机电生物磁传感器制造领域。该发明首先使用非晶丝作为磁敏材料，通过晶圆上的凹槽实现非晶丝的精准安装，并将非晶丝布置成为阵列结构，提升检测灵敏度，同时克服了非晶丝磁敏材料在生物检...
    2026-03-03
  • 一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法
    一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511675118.9
    本申请公开了一种利用氖离子注入调控磁性薄膜垂直磁各向异性及磁离子效应的方法。属于磁性材料制备以及优化技术领域。本申请选用惰性氖离子对磁性薄膜进行辐照预处理，显著增强了薄膜的垂直磁各向异性，为制造高稳定性、高密度的存储单元奠定了坚实基础。此外...
    2026-03-03
  • 一种全电学操控的磁隧道结器件
    一种全电学操控的磁隧道结器件_北京航空航天大学_202511743657.1
    本发明是关于一种全电学操控的磁隧道结器件，属于磁隧道结技术领域。包括从上到下依次设置的SOT电极、自由层、势垒层、固定层、SAF，所述SAF下方设置有用于产生杂散场的功能层；所述功能层采用具备面内磁各向异性的反铁磁+铁磁双膜层或具备垂直磁各...
    2026-03-03
  • 一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法
    一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法_南京大学_202511685141.6
    本发明公开了一种铁磁层成分梯度结构的零场自旋轨道矩存储器及其制备方法，该存储器的核心结构包含具有垂直成分梯度的CoFeB铁磁层，通过调控Co、Fe、B元素的梯度分布，诱导非均匀Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用(DMI)，使...
    2026-03-03
  • 半导体封装体
    半导体封装体_旭化成微电子株式会社_202511760989.0
    本发明提供一种半导体封装体。半导体封装体具有内置多个霍尔元件的半导体芯片以及配置于所述半导体芯片的一面侧的多个外部端子。第一霍尔元件和第二霍尔元件被配置为在俯视时关于半导体封装体的中心的点呈点对称。第一霍尔元件在俯视时至少有一部分被多个第一...
    2026-03-03
  • 一种磁通量子比特的制备方法
    一种磁通量子比特的制备方法_西安交通大学_202511765091.2
    本发明属于纳米电子学、超导技术和量子信息科学交叉技术领域，涉及一种磁通量子比特的制备方法，包括：1. 衬底处理；2. 铝膜沉积与氧化；3. 光刻与刻蚀形成大结构；4. 双层电子束胶与悬桥结构形成；5. 第一次倾角蒸发与氧化；6. 第二次倾角...
    2026-03-03
  • 一种带密封筒的超导开关
    一种带密封筒的超导开关_中国科学院电工研究所_202511656405.5
    本发明公开了一种带密封筒的超导开关，属于超导技术领域，本发明由超导开关本体、上冷凝板及不锈钢直筒组成。超导开关本体放置于不锈钢直筒底部且超导开关本体的下法兰与不锈钢直筒的下端密封焊接。上冷凝板位于不锈钢直筒上部且与不锈钢直筒的上端密封焊接。...
    2026-03-03
  • 一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法
    一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411062153.9
    本申请公开了一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法，属于量子设备制造领域。其中的封装结构包括金属材质的封装盒、以及封装于封装盒内的超导量子芯片。并且该超导量子芯片包括：设置通孔的衬底，形成于衬底正反面的第一超导层和第二超导层，以及形成于通...
    2026-03-03
  • 高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法
    高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法_中国计量科学研究院_202511661528.8
    本申请涉及一种高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法，包括：提供双晶衬底；双晶衬底的第一表面上包括沿背离双晶衬底的方向依次排列的高温超导体层、金属层及光刻胶层；采用紫外光刻机显微镜确定双晶衬底的晶界线后，并于金属层内形成具有预设图形的对准标记...
    2026-03-03
  • 铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法
    铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法_复旦大学_202511779801.7
    本发明涉及一种铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法，包括：底部阵列选通结构，用于在阵列规模扩展时提供逐单元寻址并抑制阵列中未选通单元的潜流路径；可调导电通道结构，用于在光激发下产生可随时间累积与衰减的持续光电导效应；面内...
    2026-03-03
  • 一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法
    一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法_深圳斐博森机器人科技有限公司_202511687280.2
    本发明涉及仿生触觉技术领域，具体为双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法。其中，双螺旋压电纤维阵列传感器，包括：弹性基层，所述弹性基层上设置有感应区域；至少一个感应组，设在所述弹性基层的感应区域，所述感应组包括第一压电纤维和第二压电纤维，所述第...
    2026-03-03
  • 晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品
    晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品_中国科学院半导体研究所_202511559189.2
    本公开实施例提供一种晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品。晶圆键合方法，包括：提供半导体材料供体晶圆和支撑晶圆，在支撑晶圆上形成第一介质层，在半导体材料供体晶圆待键合至支撑晶圆的一侧形成第二介质层；对第一介质层进行化学机械抛光以形...
    2026-03-03
  • 晶圆对晶圆直接键合方法
    晶圆对晶圆直接键合方法_法国原子能源和替代能源委员会_202511625954.6
    本发明涉及一种将第一微电子器件(100)在第二微电子器件上直接键合(200)的方法，包括：提供具有第一平坦表面(110)的第一器件，以及具有第二平坦表面(210)的第二器件，用包含至少第一含氟气体的等离子体气体(具有一定的氟的原子百分比F)...
    2026-03-03
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510850262.5
    本公开的目的在于提供能够简化制造工序的半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置的制造方法具备以下工序：准备工序，准备由碳化硅构成的厚度分别恒定的两张结晶基板；粘贴工序，将两张结晶基板粘贴而形成粘贴结晶基板；外延生长工序，在粘贴结晶基板的第一...
    2026-03-03
  • 具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法
    具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法_威弗洛得有限公司_202511104368.7
    根据本发明的实施方式提供了一种具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法，其包括：第一GaN缓冲层形成步骤，其中在用于GaN生长而供应的源中使用金属‑有机源作为碳掺杂用前体，来掺杂碳；以及第二GaN缓冲层形成步骤，...
    2026-03-03
  • 一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺
    一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511719800.3
    本发明提供了一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺，应用于半导体技术领域。在本发明中，目标晶圆片包括相对设置的正面(第一面)和背面(第二面)，其背面先形成多晶硅层，然后在第一面的表层和多晶硅层上形成绝缘层；由于多晶硅层和绝缘层的氧化速率不同，因...
    2026-03-03
  • 一种改善晶圆性能的辐照系统
    一种改善晶圆性能的辐照系统_成都中核高通同位素股份有限公司_202610056802.7
    本申请涉及一种改善晶圆性能的辐照系统，属于辐射加工技术领域。改善晶圆性能的辐照系统包括辐照式放射源、第一靶盘、扫描式放射源和第二靶盘，辐照式放射源发出的辐射射线能够同时覆盖第一靶盘上安装的多个晶圆；扫描式放射源发出的辐射射线集中于一点，第二...
    2026-03-03
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