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最新专利技术
  • 一种金属硅化物制备方法和半导体器件
    一种金属硅化物制备方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610044939.0
    本申请提出了一种金属硅化物制备方法和半导体器件，该方法在形成硅化物阻挡层的临时氧化硅层之前，在衬底上沉积氮化硅薄膜；将氮化硅薄膜氧化成第一氧化硅层；在第一氧化硅层表面形成第二氧化硅层，第一氧化硅层和第二氧化硅层共同构成氧化硅层，此时位于NM...
    2026-03-04
  • 一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法
    一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411107661.4
    一种晶体管中源漏硅回刻的形成方法，包括：提供基底，基底包括器件区，器件区的基底的顶部凸立有沟道凸起部；在器件区中，形成横跨沟道凸起部的栅极结构，且栅极结构覆盖沟道凸起部的部分顶部和部分侧壁；在沟道凸起部的表面和栅极结构的表面形成侧墙材料层；...
    2026-03-04
  • 半导体装置
    半导体装置_鸿海精密工业股份有限公司_202411091490.0
    一种半导体装置包含基板、栅极结构、阱区、第一基极区以及第二基极区。栅极结构位于基板上。阱区位于基板内，其中阱区与栅极结构在垂直方向上至少部分重叠。第一基极区位于基板内且位于阱区的一侧，其中第一基极区与栅极结构在垂直方向上不重叠。第二基极区位...
    2026-03-04
  • 一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构
    一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610050736.2
    本发明涉及氮化镓晶体管技术领域，且公开了一种碳化硅‑氮化镓异构集成高压功率器件结构，包括由若干相互并列的MOS元胞组成的碳化硅器件，和由两个GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；单个所述MOS元胞包括半导体外延...
    2026-03-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511639179.X
    本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括多个间隔设置的有源区及设于有源区间的隔离结构；第一半导体层，包括与有源区顶面直接接触的第一部分，以及与有源区侧壁直接接触的第二部分，第一部分与第二部分不连续；栅极结构，位于...
    2026-03-04
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510391177.7
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；下沟道图案和下源极/漏极图案，在有源图案上，其中，下沟道图案和下源极/漏极图案在第二方向上交替地布置；上沟道图案和上源极/漏极图案，上沟道图案在下沟...
    2026-03-04
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510464455.7
    一种示例半导体器件包括：晶体管；第一器件；后侧绝缘结构，位于所述晶体管和所述第一器件下方；前侧导电结构，位于所述晶体管和所述第一器件上；钝化结构，位于所述第一器件与所述后侧绝缘结构之间；后侧导电图案，位于所述后侧绝缘结构与所述晶体管之间；以...
    2026-03-04
  • 堆叠半导体器件
    堆叠半导体器件_三星电子株式会社_202511122988.3
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：在第一层级处的第一源极/漏极图案；在与第一层级垂直不同的第二层级处的第二源极/漏极图案；以及在第一源极/漏极图案上的第一接触结构，其中第一源极/漏极图案的一部分在第一接触结构的第一凹陷中。
    2026-03-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511371538.8
    提供一种方法，包括提供具有用于n型场效晶体管(nFETs)的N型区和用于p型场效晶体管(pFETs)的P型区的基板；在N型区和P型区形成栅极介电层以包绕垂直堆叠的通道；将栅极介电层于N型区的第一部分进行偶极处理，而栅极介电层于P型区的第二部...
    2026-03-04
  • 一种阵列式传感器及其制造方法
    一种阵列式传感器及其制造方法_上海濮洋技术有限公司_202411078573.6
    本发明提供了一种阵列式传感器及其制造方法，所述方法包括：提供基板；在基板上形成层间介质层，以及位于层间介质层内的TFT和第一电容的第一极板，其中，所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层上形成第一电容的第二极板；在所述第一...
    2026-03-04
  • 电子装置
    电子装置_三星显示有限公司_202511090465.5
    电子装置包括级。级包括：节点控制电路；第一晶体管，连接在第一电力线和第一输出节点之间；第一电容器，连接在第一晶体管的栅电极和第一输出节点之间；第二晶体管，连接在第一时钟线和第二输出节点之间；第二电容器，连接在第二晶体管的栅电极和第二输出节点...
    2026-03-04
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411342037.2
    本申请提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包括形成介电材料叠层于基板上方，此基板具有阵列区及周边区；在介电材料叠层中形成多个电容结构的容置孔；以及形成电容结构于此些容置孔中，且电容结构包括多个储存电容位于阵列区中，其中各储存电容在介电材料...
    2026-03-04
  • 集成器件以及集成器件的制备方法
    集成器件以及集成器件的制备方法_北京京东方光电科技有限公司_202411096517.5
    本申请公开了一种集成器件以及集成器件的制备方法，该集成器件包括基板、以及设置在基板第一侧的至少一个第一电容结构与至少一个第一电感结构，其中，第一侧设置有凹槽；第一电容结构连续设置在凹槽的底部和侧壁上；第一电容结构的电容值与第一电容结构在凹槽...
    2026-03-04
  • 集成电路(IC)
    集成电路(IC)_三星电子株式会社_202510798681.9
    一种集成电路(IC)包括：多个第一层，其在第一方向上延伸并在与第一方向垂直的第二方向上设置；以及第二层，其包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一单元层、以及连接到第一单元层并在相对于第一方向与第三方向对称的第四方向上延伸的第二...
    2026-03-04
  • 一种半导体器件和版图优化方法
    一种半导体器件和版图优化方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511291609.3
    一种半导体器件和版图优化方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区上方形成有栅极结构；形成于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于定义所述有源区；形成在所述浅沟槽隔离结构中的第一伪有源区...
    2026-03-04
  • 瞬态电压抑制器与制作方法
    瞬态电压抑制器与制作方法_汎星半导体股份有限公司_202510700662.8
    本发明公开了一种瞬态电压抑制器与制作方法，其包含：一第一瞬态电压抑制单元，在一第一基板区域上形成且具有一第一对外端与一第一连接端；一第二瞬态电压抑制单元，在一第二基板区域上形成且具有一第二对外端与一第二连接端；以及一连接路径，其至少部分不在...
    2026-03-04
  • 静电防护器件结构及其制备方法
    静电防护器件结构及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511571936.4
    本发明提供一种静电防护器件结构及其制备方法，在该器件结构中，通过在降容器件结构与衬底之间设置隔离埋层能够使得降容器件结构与衬底之间的寄生电容减小，从而使得该静电防护器件结构的总体电容减小，进而，降低其对被高速信号的干扰，以确保信号完整性。
    2026-03-04
  • 一种中间带隙光伏电池及其制备方法
    一种中间带隙光伏电池及其制备方法_上海隆宇芯航能源科技有限公司_202511670925.1
    本发明涉及一种中间带隙光伏电池及其制备方法，所述光伏电池为多层结构，包括吸收层、集电极，发射极、前后窗口层；所述吸收层为具有中间带隙的吸收层；所述制备方法包括生长吸收层；在生长吸收层时，通过掺杂或量子点方式形成中间带隙。设计合理，构思巧妙，...
    2026-03-04
  • 一种背接触电池及制备方法
    一种背接触电池及制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511803076.2
    本发明公开了一种背接触电池及制备方法，应用于光伏电池领域，电池包括电池基底；在第一方向上，电池基底的背表面具有交替布置的第一区域和第二区域，第一区域设置有第一型结构，第二区域设置有第二型结构；在在第二方向上，第一区域与第二区域之间部分层叠的...
    2026-03-04
  • 一种背接触电池及其制备方法
    一种背接触电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511803096.X
    本发明公开了一种背接触电池及其制备方法，应用于光伏电池领域，包括电池基底；在第一方向上，背接触电池的背面包括交替分布的第一区域和第二区域，在第二方向上，第一区域从内向外设置有层叠的第一型结构和第二型结构，第一型结构和第二型结构之间分布有第一...
    2026-03-04
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