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最新专利技术
  • 一种用于垂直结构芯片的板级封装结构及其制造方法
    一种用于垂直结构芯片的板级封装结构及其制造方法_深圳中科四合科技有限公司_202511634396.X
    本发明涉及芯片制造技术领域，公开了一种用于垂直结构芯片的板级封装结构，其特征在于，包括：芯板，设有若干个相连的芯片封装单元，每个芯片封装单元内设有基岛和连接焊盘，基岛和连接焊盘的底下分别设置有贯穿所述芯板的第一导通柱和第二导通柱；所述基岛的...
    2026-02-14
  • 一种用于平面结构芯片的板级封装结构及其制造方法
    一种用于平面结构芯片的板级封装结构及其制造方法_深圳中科四合科技有限公司_202511634473.1
    本发明涉及芯片制造技术领域，公开了一种用于平面结构芯片的板级封装结构及其制造方法，包括：芯板，顶面设有若干个芯片封装单元，每个芯片封装单元内设有一个用于贴装封装芯片的芯片固定位；封装芯片，安装于所述芯片固定位上，与所述芯片固定位电连接；第一...
    2026-02-14
  • 一种GaN基半导体器件及其制备方法
    一种GaN基半导体器件及其制备方法_上海鸿劢电子科技有限公司_202511532749.5
    本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括壳体和GaN基芯片，所述壳体的顶部设置有第一安装槽，且GaN基芯片安装在第一安装槽内，所述壳体上设置有多个引脚和焊盘。该种GaN基半导体器件及其制备方法，在进行...
    2026-02-14
  • 带有具有用插入式管芯焊盘填充的中心开口的引线框架的集成电路封装
    带有具有用插入式管芯焊盘填充的中心开口的引线框架的集成电路封装_意法半导体国际公司_202511086602.8
    本公开涉及带有具有用插入式管芯焊盘填充的中心开口的引线框架的集成电路封装。一种集成电路封装包括引线框架，该引线框架具有界定中心腔体的引线。引线框架的引线具有上表面，该上表面有具有第一表面粗糙度的表面纹理或终饰。插入式管芯焊盘被安置在中心腔体...
    2026-02-14
  • 热盘升降机构及解键合装置
    热盘升降机构及解键合装置_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610043811.2
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，公开了一种热盘升降机构及解键合装置。该解键合装置包括两个相对设置的加热盘和热盘升降机构，待解键合体位于两个加热盘之间，其中一个加热盘远离待解键合体的一侧固定于热盘升降机构。该热盘升降机构包括主支撑架，在...
    2026-02-14
  • 芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法
    芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法_通富通科(南通)微电子有限公司_202511418645.1
    本公开实施例提供一种芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法，其中，芯片结构制备方法包括：提供芯片本体；分别在芯片本体功能面的功能区域和非功能区域形成阵列排布的多个功能凸块和多个支撑凸块；其中，沿第一方向上，相邻两个支撑凸块之间的间距...
    2026-02-14
  • 植球方法及装置
    植球方法及装置_珠海妙存科技有限公司_202511480244.9
    本申请实施例提出了植球方法及装置，应用于植球技术领域，其中植球方法应用于植球装置，植球装置包括精密萃盘、第一钢网模块和第二钢网模块，方法包括：将萃盘上的多个芯片放入所述精密萃盘；通过所述第一钢网模块和助焊剂喷雾机，使助焊剂附着于所述芯片的金...
    2026-02-14
  • 一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法
    一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610042433.6
    本发明属于芯片封装技术领域，特别属于一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法。在载板表面制作出线路、电容焊盘、贴装位、基板焊盘；在基板焊盘上形成高铜柱，对结构模塑封装形成塑封体，对塑封体减薄直至暴露出高铜柱的横截面，在该横截面上电镀形成镍...
    2026-02-14
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_杰华特微电子股份有限公司_202510135168.1
    本申请提供了一种半导体封装结构及其制造方法，该制造方法包括：在半导体管芯上形成种子金属层，种子金属层与半导体管芯上的接合焊盘电性接触；在种子金属层上形成重布线层；形成图案化的绝缘层，图案化的绝缘层具有形成至少一个第一开口和至少一个第二开口；...
    2026-02-14
  • 一种功率芯片封装用键合结构及键合方法
    一种功率芯片封装用键合结构及键合方法_上海航天电子通讯设备研究所_202511051795.3
    本发明涉及微电子封装技术领域，尤其涉及一种功率芯片封装用键合结构及键合方法。该键合结构包括：键合衬底、键合层、功率芯片，其中：所述键合层位于所述键合衬底和所述功率芯片中间；所述键合层是通过交替沉积的高温金属和低熔点钎料的等温扩散形成；所述键...
    2026-02-14
  • 一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法
    一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202511721309.4
    本发明提供了一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法，所述方法包括：S1、制备目标半导体芯片2；S2、提供一承载框架1，通过纳米银焊膏3将所述目标半导体芯片2封装在所述承载框架1上，以得到第一半成品；S3、对所述目标半成屏进行纳米银烧结...
    2026-02-14
  • 一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法
    一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202511358656.5
    本发明公开了一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法，包括：步骤一：准备承载板，在所述承载板上涂覆解离膜，所述承载板上方设置芯片，所述芯片的上方设置金属接点；步骤二：在所述芯片的外围设置塑封层；步骤三：将承载板去除；步骤四：在芯片的金属接点...
    2026-02-14
  • 封装方法、封装结构及包封模具
    封装方法、封装结构及包封模具_长电科技(宿迁)有限公司_202511493095.X
    本发明提供一种封装方法、封装结构及包封模具，半导体结构的散热板的防溢料区与包封模具顶壁内表面之间为过盈配合，使得在合模步骤中在扣合压力的作用下包封模具顶壁内表面会挤压防溢料区，使其变形，从而将散热板的散热区与半导体结构的待包封区域隔离，在塑...
    2026-02-14
  • 扇出型系统级封装方法及封装结构
    扇出型系统级封装方法及封装结构_南通通富科技有限公司_202511553681.9
    本公开实施例提供一种扇出型系统级封装方法及封装结构，该方法包括：在临时载盘上形成至少一层重布线层；在重布线层的第一表面形成多个导电柱；将多个第一芯片贴装于重布线层的第一表面；形成包裹导电柱和第一芯片的第一塑封层；对第一塑封层进行切割，之后去...
    2026-02-14
  • 一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用
    一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用_北京大学_202511579765.X
    本发明公开了一种晶圆级超平整氮化硼/石墨烯异质薄膜的制备方法及应用，属于二维材料与集成电路封装技术领域。本发明通过超平整单晶氮化硼膜的逐层干法转移，实现了对石墨烯等二维材料进行完整封装；本发明的氮化硼/二维材料/氮化硼异质薄膜结构中，超平整...
    2026-02-14
  • 一种半导体功率器封装装置
    一种半导体功率器封装装置_江苏铨力微电子有限公司_202511991619.8
    本发明提供了一种半导体功率器封装装置，涉及芯片封装技术领域，包括：放置条和封装机构，所述封装机构设置位于所述放置条的顶部；所述封装机构包括第一注胶出口管、顶部第二注胶出口管、底部第二注胶出口管和连通口；所述第一注胶出口管位于所述顶部第二注胶...
    2026-02-14
  • 扇出型半导体封装件
    扇出型半导体封装件_爱思开海力士有限公司_202510275672.1
    一种扇出型半导体封装件包括：半导体芯片；设置在半导体芯片上的金属柱；设置在金属柱上的接合金属层；设置在接合金属层上的接合布线；在半导体芯片上方并且围绕金属柱、接合金属层和接合布线的密封层；以及设置在密封层和接合布线上的重分布层。
    2026-02-14
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510313392.5
    提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括：第一再分布基板；安装在第一再分布基板上并且彼此水平间隔开的第一和第二半导体芯片；第一模制层，其被设置为围绕第一和第二半导体芯片并且暴露第一和第二半导体芯片的底表面；桥接芯片，其安装在第...
    2026-02-14
  • 管芯附接膜结构和包括其的半导体封装
    管芯附接膜结构和包括其的半导体封装_三星电子株式会社_202511064249.3
    提供了管芯附接膜结构和包括其的半导体封装。该管芯附接膜结构包括切割膜、绝缘粘合层和导电粘合层，绝缘粘合层包括上表面和与上表面相反的下表面，绝缘粘合层的下表面接触切割膜的上表面并包括绝缘填料，导电粘合层接触绝缘粘合层的上表面并包括导电填料。
    2026-02-14
  • 一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用
    一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用_哈尔滨工业大学_202511568502.9
    本发明公开了一种纳米线转接板及其制备方法和在电子封装中的应用，属于集成电路芯片封装技术领域。本发明解决了现有转接板存在的互连密度、导通能力以及高频信号完整性等有待提高的问题。本发明采用多孔阳极氧化铝为转接板主体，利用其可调控的孔道密度和孔径...
    2026-02-14
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