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最新专利技术
  • 基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法
    基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法_北京理工大学_202511583323.2
    本发明公开了基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法，属于红外传感技术领域，其包括热辐射传感器结构、芯片衬底和MEMS驱动结构，利用MEMS驱动结构中各驱动单元结构形式的优选设计，使得热辐射传感器结构可由多个驱动单元悬空支撑...
    2026-02-19
  • 半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器
    半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610017860.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器，属于半导体领域。该半导体结构包括：衬底；形成于衬底的隔离结构，所述隔离结构将衬底分隔为多个区域；所述隔离结构包括金属格栅、相对形成于金属格栅内外两侧的第一半导体结构和第二半导体结构；...
    2026-02-19
  • 一种芯片的异质整合封装结构及封装方法
    一种芯片的异质整合封装结构及封装方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511675194.X
    本发明公开了一种芯片的异质整合封装结构及封装方法，属于芯片的异质整合封装结构及封装方法领域，包括步骤一：准备玻璃晶圆，并在所述玻璃晶圆上设置通孔一；步骤二：在所述玻璃晶圆上设置线路层一，并在所述线路层一上设置与所述通孔一相对的通孔二；步骤三...
    2026-02-19
  • 一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法
    一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法_松煜科技(南通)有限公司_202511423156.5
    本发明公开了一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法，属于硅太阳能电池技术领域。本发明的方法包括：对电池片进行切割得到半片电池片，置于化学气相沉积设备的腔体中，进行真空预热处理；然后通入氨气与笑气吹扫半片电池片的切割面，再进行电离预处理，氮吹，抽...
    2026-02-19
  • TOPCon电池及其制备方法
    TOPCon电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511525024.3
    本申请涉及一种TOPCon电池及其制备方法，获取TOPCon电池基体；利用丝网印刷网版，在TOPCon电池基体的正面印刷银浆，形成正面非均匀栅线结构的金属电极；其中，正面非均匀栅线结构包括主栅线和细栅线；主栅线分布非均匀：沿电池边缘区域的主...
    2026-02-19
  • 钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法
    钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511558362.7
    本申请涉及一种钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法，获取制绒处理后的半导体衬底层，对半导体衬底层的第一表面进行硼扩散，生成硼掺杂层；对半导体衬底层的第二表面进行去绕镀和抛光，并二次制绒形成绒面，然后依次沉积生成隧穿氧化层和本征多晶硅层，对本...
    2026-02-19
  • 一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法
    一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法_博海新能源(德阳)有限公司_202511614669.4
    本发明属于太阳能电池制造领域，具体的说是一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法，包括以下步骤：样品准备：取3‑5片专用少子测试使用、来自正常来料且为同一批次、同一包装盒的N型单晶硅片，本发明通过在制绒后，或是制绒后直接进行碱抛和R...
    2026-02-19
  • 一种SnS2/CsPbBr3异质结及制备方法和用途
    一种SnS2/CsPbBr3异质结及制备方法和用途_陕西科技大学_202511682337.X
    本发明属于异质结构筑技术领域，特别涉及一种SnS22/CsPbBr33异质结及制备方法和用途。SnS22/CsPbBr33异质结的制备方法为：以水热法合成的六边形2D SnS22纳米片作为生长模板，结合溶液法合成的3D CsPbBr33纳米...
    2026-02-19
  • 感光芯片封装结构及其制备方法
    感光芯片封装结构及其制备方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511682579.9
    本发明公开一种感光芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：将玻璃盖板设置于第一载板的第一临时键合层上，并在玻璃盖板的第一表面开设第一凹槽；将玻璃盖板与第一载板解除键合，并将玻璃盖板通过第一表面设置于第二载板的第二临时键合层...
    2026-02-19
  • 光传感器制造方法
    光传感器制造方法_上海羲禾科技股份有限公司_202610031491.9
    本申请提供一种光传感器制造方法，涉及芯片制造的技术领域。光传感器制造方法，包括：在衬底表面沉积二氧化硅，所述衬底上有第一硅波导和锗外延结构，沉积的所述二氧化硅用于填平所述第一硅波导的凹槽；对所述衬底设置有锗外延结构的一侧进行抛光；去除所述衬...
    2026-02-19
  • 用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器
    用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202610032905.X
    本申请提供了一种用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器，属于半导体制造领域；解决了铝锑化物或砷铝锑化物势垒层侧壁因暴露大气形成的富含Sb22O55的自然氧化层所导致的界面态密度高、暗电流大的问题；该方法包括以下步骤：将已完成...
    2026-02-19
  • 基于喷涂法制备锌镁氧电子传输层的硒电池及其制备方法
    基于喷涂法制备锌镁氧电子传输层的硒电池及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511466980.9
    本发明公开了基于喷涂法制备锌镁氧电子传输层的硒电池及其制备方法，属于薄膜太阳能电池制备工艺技术领域，包括透明导电基底、电子传输层、硒吸光层和电极，电子传输层采用基于喷涂法制备的锌镁氧电子传输层，具体制备方法为：制备锌镁氧喷涂液后，缓慢加入5...
    2026-02-19
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511525088.3
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括硅基底，硅基底自表面向内掺入有碳原子且碳原子在硅基底中形成内扩层，内扩层中，碳原子的质量百分比为0.15 wt%~2.5 wt%；掺杂导电层，掺杂导电层设置于硅基底表面，掺杂导电...
    2026-02-19
  • 一种选择性刻蚀的TOPCon电池及其制备方法
    一种选择性刻蚀的TOPCon电池及其制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511104367.2
    本发明公开了一种选择性刻蚀的TOPCon电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法在现有TOPCon电池生产流程的扩散掺杂工序后，新增选择性刻蚀工序，包括光刻胶涂覆、曝光(掩模板遮挡栅线印刷区域)、显影、干刻(以Cl22和NF33为气...
    2026-02-19
  • TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件
    TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511912360.3
    本发明提供了一种TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，所述TBC电池P区结构包括：依次叠层设置于硅基体背面的第一隧穿氧化层、第一掺硼多晶硅层、第二隧穿氧化层和第二掺硼多晶硅层；其中，所述第二掺硼多晶...
    2026-02-19
  • 一种BC电池印刷图形结构及方法
    一种BC电池印刷图形结构及方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511741719.5
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种BC电池印刷图形结构及方法，包括种子层、铜浆层、防护绝缘层和低温银浆层，种子层包括预设位置印刷高温银浆的多个种子点和线段，种子点和线段形成竖向列对齐，多个种子点上覆盖有铜浆层，铜浆层上覆盖有防护绝缘层...
    2026-02-19
  • 一种电池片、电池组件和光伏系统
    一种电池片、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511952543.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池片、电池组件和光伏系统。电池片包括硅基底、若干第一极性细栅和第二极性细栅、若干第一极性主栅和第二极性主栅；第一极性主栅包括第一主体段和若干第一枝杈段，第一主体段与第一极性细栅相交，并与第二极性细...
    2026-02-19
  • 光伏电池、叠层电池及光伏组件
    光伏电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610026784.8
    本申请涉及光伏电池领域，提供一种光伏电池、叠层电池及光伏组件，光伏电池包括：电池片本体的至少一侧电池片表面包括在第一方向上相对设置的第二区以及设置在相对第二区之间的第一区；第一区具有在第二方向上相对的边缘区以及设置在相对边缘区之间的中间区；...
    2026-02-19
  • 一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法
    一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法_苏州大学_202511324703.4
    本发明公开了一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法，光电材料技术领域。本发明将铯源、铋源或锑源、锌源或锑源、配体和溶剂混合均匀后在搅拌条件下真空干燥；随后升温，快速注入氯源或溴源，结束后立即浸入冰水浴冷却至室温，反应结束后，向...
    2026-02-19
  • 一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法
    一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法_无锡中微晶园电子有限公司_202511581305.0
    本发明属于功率半导体工艺技术领域，特别涉及一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法。包括N‑低掺杂体硅区；N+正面高浓度掺杂区，对称布设于所述N‑低掺杂体硅区的正面两侧；P型掺杂区，靠近每侧所述N+正面高浓度掺杂区的内侧布设；N+背面高...
    2026-02-19
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