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最新专利技术
  • 一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法
    一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511628162.4
    本发明公开了一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层以及硅衬底层上的TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构，TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构...
    2026-02-19
  • 一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法
    一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法_深圳市华南微电子有限公司_202511659873.8
    本申请提供的一种4H‑SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法，其中一种4H‑SiC MOSFET芯片的主结区结构提及，衬底上形成N‑漂移层，在N‑漂移层嵌入P阱，场氧化层设置在P阱的表面，且在P阱的范围内，场氧化层分为多个场氧化块...
    2026-02-19
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511628662.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体还包括基区、第一区域、第二区域和第三区域，基区设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧；第二区域设置为第二导电类型且位于第一表面；第三区域设...
    2026-02-19
  • LDMOS器件及其制造方法
    LDMOS器件及其制造方法_杰华特微电子股份有限公司_202510405365.0
    本申请提供了一种LDMOS器件及其制造方法，该LDMOS器件包括：外延层；位于外延层中的漂移区和体区；位于外延层上，并横跨漂移区和体区的栅极结构；位于漂移区内的漏极注入区；位于体区内的源极注入区和多个体区注入区；其中，源极注入区包括：多个第...
    2026-02-19
  • 高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法
    高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548214.7
    本发明提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该结构包括衬底、漂移区、源极区域、漏极区域、栅极结构及浅沟槽隔离结构。其创新之处在于，在位于栅极与漏极之间的浅沟槽隔离结构内，埋设了电学悬浮的导电体。在器件承受高压时，该悬浮导电...
    2026-02-19
  • 降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法
    降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548230.6
    本发明提供一种降低导通电阻的LDMOS器件及其制造方法。该LDMOS器件包括半导体衬底、形成于其内的漂移区、源区和漏区，以及栅极结构。其关键在于，在漂移区内形成有高载流子迁移率层，该层构成沟道与漏区之间导电通路的一部分。该高载流子迁移率层可...
    2026-02-19
  • 半导体结构
    半导体结构_北京燕东微电子科技有限公司_202511841782.6
    本申请提供一种半导体结构，包括半导体基板，沿厚度方向，半导体基板包括依次层叠设置的第一半导体层至第三半导体层，其中：第三半导体层包括有源区，有源区中设有重掺区，重掺区的掺杂浓度大于第三半导体层的掺杂浓度；第二半导体层中设有多层隔离层，每层隔...
    2026-02-19
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610023786.1
    本发明公开了一种LDMOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。LDMOS器件包括第一场板和第二场板；第一场板插入漂移区并贯穿栅氧化层，第一场板包括第一PN结，第一PN结的PN结交界面高于漂移区表面，使得第一PN结在漂移区中仅包括第一类离子...
    2026-02-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068896.5
    一种半导体装置包括第一电极、具有第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域的衬底以及设置在衬底上的第二电极。该半导体装置具有导电体、绝缘体、设置在导电体周围的栅电极和栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有多条曲线。所述多条曲线包括具有第一曲率半径R...
    2026-02-19
  • 异质结Cascode器件的终端结构及其制造方法
    异质结Cascode器件的终端结构及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511608831.1
    本发明公开了一种异质结Cascode器件的终端结构，第一JFET和第二MOSFET分别形成于位于有源区的接触面呈异质结的第一和第二外延层中，第一外延层的禁带宽度较大；终端结构形成于环绕在有源区周侧的终端区中。JFET终端结构和MOSFET终...
    2026-02-19
  • 芯片结构及具有其车辆
    芯片结构及具有其车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511782224.7
    本发明提供了一种芯片结构及具有其的车辆，芯片结构包括：集成电阻模块，集成电阻模块位于芯片的栅极区域，集成电阻模块的一端与栅极pad连接，集成电阻模块的另一端与栅极总线连接，集成电阻模块包括第一电阻结构、第二电阻结构和第三电阻结构，其中，一电...
    2026-02-19
  • 抗辐射功率器件及其制造方法
    抗辐射功率器件及其制造方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511867043.4
    本发明提供了一种抗辐射功率器件及其制造方法，包括第一导电类型外延层、形成于第一导电类型外延层中的第一导电类型区域与第二导电类型区域、形成于第一导电类型外延层上的栅极结构与源极金属层；所述源极金属层与部分栅极结构的氧化层上形成有抗辐射层。本发...
    2026-02-19
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202610013831.5
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域，包括第一栅极、源极电极和漏极电极，还包括：第二栅极，第二栅极连接外部电路控制单元；多晶电阻，连接于第一栅极和第二栅极之间；触发通道，连接于漏极电极和第一栅极之间，...
    2026-02-19
  • 场效应晶体管及其制备方法和2T0C DRAM单元
    场效应晶体管及其制备方法和2T0C DRAM单元_上海集成电路制造创新中心有限公司_202411014739.8
    本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法和2T0C DRAM单元，场效应晶体管包括依次设于衬底上的绝缘层和栅电极，依次设于栅电极上的栅介质薄膜和非晶氧化物半导体沟道薄膜，设于非晶氧化物半导体沟道薄膜两端上的源电极和漏电极，设于最顶层的钝化层...
    2026-02-19
  • 多路复用器和电子设备
    多路复用器和电子设备_合肥鑫晟光电科技有限公司_202411061628.2
    本公开提供一种多路复用器和电子设备。其中，多路复用器包括衬底基板，设置在衬底基板上的至少一个氧化物薄膜晶体管；氧化物薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的第一栅极、第二栅极、有源层、源极和漏极；有源层设置在第一栅极背离衬底基板的一侧，且在有源层和...
    2026-02-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411064017.3
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；沟道层结构，悬置于衬底上方，在纵向上，沟道层结构包括一个或多个间隔的沟道层；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道层结构，栅极结构沿栅极结构延伸方向环绕沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的衬底上，在沟道...
    2026-02-19
  • 薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置
    薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置_乐金显示有限公司_202510609253.7
    公开了一种薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置。本公开的一个实施方式旨在提供一种薄膜晶体管及显示装置，其包括：有源层；有源层上的覆盖绝缘膜；覆盖绝缘膜上的第一覆盖层；以及与有源层间隔开且与有源层至少部分地交叠的栅极。其中，第一覆盖层覆...
    2026-02-19
  • 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板
    薄膜晶体管及制备方法、阵列基板_昆山国显光电有限公司_202511604482.6
    本申请涉及显示技术领域，并提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括衬底、第一源漏极、第一栅极、第一绝缘层、第二源漏极、半导体层和第二栅极，其中第一源漏极位于衬底的一侧；第一栅极位于第一源漏极背向衬底的一侧且与第一源漏极绝缘设...
    2026-02-19
  • 一种非易失性二维浮栅存储晶体管及其制备方法和应用
    一种非易失性二维浮栅存储晶体管及其制备方法和应用_北京科技大学_202511711223.3
    本发明公开了一种非易失性二维浮栅存储晶体管及其制备方法和应用，属于二维半导体材料技术领域。本发明提供的一种非易失性二维浮栅存储晶体管，包括依次设于衬底层上的二维半导体层、电极层、隧穿介电层、浮栅电极层、阻挡介电层和控制栅电极层；电极层包括源...
    2026-02-19
  • 半导体器件
    半导体器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511562851.X
    本申请公开了一种半导体器件。半导体器件具有第一区域，半导体器件包括：衬底；外延层，设置于衬底在第一方向上的一侧，外延层背离衬底的一侧开设有沟槽，沟槽包括位于第一区域内的第一沟槽，第一沟槽沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交；电阻结构，设置...
    2026-02-19
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