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最新专利技术
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511412067.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。发光二极管包括：衬底、外延结构和低折射率层；外延结构位于衬底上，低折射率层位于衬底远离外延结构的一面，低折射率层的折射率小于衬底的折射率，低折射率层的折射率大于空气的折射率；低折射率层的出光面为凹凸不...
    2026-02-12
  • 一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条
    一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条_浙江前程照明有限公司_202511289170.0
    本发明涉及LED灯珠技术领域，尤其涉及一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条，该方法包括以下步骤：采用高纯氧化铝基板沉积氧化铟锡电极并光刻微电路，倒装焊接Micro‑LED芯片，通过微流道填充量子点溶液并旋涂ZIF‑8形成500nm多孔保护...
    2026-02-12
  • 发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置
    发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置_乐金显示有限公司_202510891139.8
    公开了发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置。该拾取控制方法包括：第一操作，将印模装载在转移头上，将转移头运送到第一基板，并且拾取具有印模的发光元件芯片；第二操作，将转移头与拾取发光元件芯片的印模一起运送到第二基板，并使用位于转移头下方的图像...
    2026-02-12
  • 发光元件转移设备和转移发光元件的方法
    发光元件转移设备和转移发光元件的方法_三星显示有限公司_202511039524.6
    本申请涉及发光元件转移设备和转移发光元件的方法。发光元件转移设备包括：第一转移头；第二转移头，设置在第一转移头下方；印戳，设置在第二转移头下方；倾斜调整构件，调整第二转移头的倾斜；以及缓冲构件，设置在第二转移头下方以与印戳相邻并且在向下方向...
    2026-02-12
  • 一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源
    一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511347223.X
    本发明公开一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源，涉及光源制造技术领域，包括：S1、提供承载件；S2、在承载件的第一区域上固晶暖白光芯片，并进行烘烤处理；S3、对步骤S2中的暖白光芯片进行焊线；S4、对步骤S3中已完成焊线的暖白光芯片...
    2026-02-12
  • 一种柔性可穿戴光疗仪匀光结构的制备方法
    一种柔性可穿戴光疗仪匀光结构的制备方法_北京创盈光医疗科技有限公司_202511525724.2
    本发明涉及光疗仪技术领域，具体地说，涉及一种柔性可穿戴光疗仪匀光结构的制备方法，其包括如下步骤：在本发明提供的技术方案中，采用异丙醇溶液对柔性FPC导电基板超声清洗10分钟，通过激光蚀刻工艺制作导电线路，采用3D打印制备0.5mm厚蜂窝状镂...
    2026-02-12
  • 一种LED点胶封装工艺及LED灯珠
    一种LED点胶封装工艺及LED灯珠_中山市木林森电子有限公司_202511813723.8
    本发明公开一种LED点胶封装工艺及LED灯珠，包括根据要点胶的LED支架内的LED芯片总发光面积和芯片数量，确定点胶胶水的胶粉质量比例和点胶位置；使用点胶机根据所述点胶位置，将确定好胶粉质量比例的胶水，分别对LED支架内的LED芯片进行上层...
    2026-02-12
  • 一种含氮化硅波导的硅光集成芯片及其制备方法
    一种含氮化硅波导的硅光集成芯片及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202411026708.4
    本发明公开了一种含氮化硅波导的硅光集成芯片及其制备方法，包括：提供一硅光晶圆，所述硅光晶圆依次包括第一衬底、BOX层、硅基无源器件、有源器件、第一SiO22包覆层；提供一氮化硅晶圆，所述氮化硅晶圆依次包括第二衬底、第一热氧化SiO22层、氮...
    2026-02-12
  • 基于分区设计的适老及影视两用LED光源及其封装工艺
    基于分区设计的适老及影视两用LED光源及其封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511397250.8
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种基于分区设计的适老及影视两用LED光源及其封装工艺，包括4PIN脚双碗杯式的双路支架和多个LED晶片；所述双路支架设置有外围功能区和内围功能区，内围功能区上涂覆有覆盖于其上的各LED晶片的暖白色荧光胶，...
    2026-02-12
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202411034815.1
    本申请提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括基板和发光组件，基板包括衬底和键合层，键合层设于衬底的一侧，键合层包括多个间隔的键合部；发光组件设于键合层远离衬底的一侧，发光组件包括多个发光器件，一发光器件对应至少两个键合部设置且连接；每...
    2026-02-12
  • 一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组
    一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组_广州市晶鑫光电科技有限公司_202511567039.6
    本发明公开了一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组，其通过在灯珠底部新增与阳极和阴极无电性连接的第三焊盘，以及在铜基板上与第三焊盘对应的辅助电流通路，将传统的单条“车道”拓宽为多条“车道”，为电流提供了低阻通路显著提升了电流容量、...
    2026-02-12
  • 定位治具及显示模组的制备方法
    定位治具及显示模组的制备方法_惠州市艾比森光电有限公司_202511568735.9
    本发明提供了一种定位治具及显示模组的制备方法，定位治具用于显示模组的制备，该定位治具能够通过其内周侧壁与灯珠的外周侧壁紧配合，并能够其外周侧壁与面罩的罩孔侧壁紧配合，实现面罩位置的校正，以将灯板与面罩的定位误差控制在极小范围，从而精准锁定灯...
    2026-02-12
  • 一种LED封装结构及LED显示屏
    一种LED封装结构及LED显示屏_安徽芯源半导体有限公司_202511583153.8
    本发明公开了一种LED封装结构，包括：硅转接板、重布线层、多个LED芯片和封装胶体；硅转接板设有第一表面和第二表面；硅转接板设有硅通孔；硅通孔贯穿硅转接板；重布线层设于硅转接板的第一表面；重布线层通过焊球与硅通孔电连接；LED芯片设于重布线...
    2026-02-12
  • LED显示器件以及LED显示器件的制造方法
    LED显示器件以及LED显示器件的制造方法_苏州秋水半导体科技有限公司_202310890109.6
    本申请公开了LED显示器件以及LED显示器件的制造方法，该LED显示器件包括驱动基板、第一发光组件和第二发光组件；驱动基板包括多个第一像素供电电极和第二像素供电电极；第一发光组件包括第一发光层组、第一像素界定电极和第二像素界定电极，第一像素...
    2026-02-12
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_乐金显示有限公司_202510894951.6
    根据本说明书的一个实施方式的显示装置可以包括：包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域的基板；位于所述显示区域中的信号线；位于所述非显示区域中的测试焊盘；以及位于所述非显示区域中并且被配置为将所述测试焊盘和所述信号线进行电连接的连接线。所述测...
    2026-02-12
  • 显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置
    显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置_深超光电(深圳)有限公司_202511059267.2
    本发明公开一种显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置。所述显示面板包含基板、像素阵列、多条扫描线、多条数据线以及静电防护结构。静电防护结构设置在至少部分边框区域，并且包含堆叠排列的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第二绝缘层...
    2026-02-12
  • 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
    显示面板、显示面板的制备方法及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511597911.1
    本发明实施例公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。显示面板衬底、发光元件、多个触控电极、多个遮光结构以及滤光层。发光元件位于衬底的一侧。多个触控电极和多个遮光结构，沿衬底的厚度方向，触控电极与遮光结构至少部分交叠，且触控电极与遮...
    2026-02-12
  • 基于给体-受体-弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应-突触晶体管及其制备方法
    基于给体-受体-弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应-突触晶体管及其制备方法_中国科学院化学研究所_202411040898.5
    本发明提供一种基于给体‑受体‑弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应‑突触晶体管及其制备方法。其由底栅顶接触结构的全有机可拉伸光晶体管构筑而成，并通过相关聚合物的共混比例、预聚集形态以及自组装形貌优化杂化光敏有源层。...
    2026-02-12
  • CMOS集成电路及制备方法
    CMOS集成电路及制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511445323.6
    本公开提供了一种CMOS集成电路及其制备方法。该CMOS集成电路包括：N个晶体管层，N≥2，N个晶体管层在CMOS集成电路的垂直方向中设置成上下排布方式，N个晶体管层包括：一个第一晶体管层，位于CMOS集成电路的最下层，第一晶体管层中形成有...
    2026-02-12
  • 基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_杭州纤纳光电科技股份有限公司_202411044638.5
    本发明涉及一种基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池的结构包括由下往上的透明基底、透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和背电极层，在电子传输层及背电极层之间设置有复合空穴阻挡层，复合空穴阻挡层包括有机...
    2026-02-12
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