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最新专利技术
  • 一种功率器件终端结构
    一种功率器件终端结构_电子科技大学_202511344948.3
    本发明属于半导体集成电路领域，特别是一种功率器件终端结构，终端结构设置在过渡区和终端区上，终端结构包括位于器件主边缘附近的边终端区与位于器件四周倒角的角终端区，边终端区和角终端区包括：多个P型环、N+截止环，在终端区的N型外延层表面上设置有...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511588632.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区设置于外延层中；其中，第二掺杂区位于第一掺杂区外围，第二掺杂区内设置有多个间隔分布的子掺杂区，子掺杂区的掺杂...
    2026-02-13
  • 高压MOS器件和集成电路
    高压MOS器件和集成电路_北京燕东微电子科技有限公司_202512009820.8
    本申请提供一种高压MOS器件和集成电路，通过对高压MOS器件结构进行优化，在外延层中增加场板结构，可以提高器件击穿电压，降低器件表面提前发生击穿的可能性，还可以保证芯片或者集成电路的面积不会增大，甚至有利于减小芯片或者集成电路的面积，而且不...
    2026-02-13
  • 一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法
    一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511522945.4
    本发明公开了一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：衬底；衬底为本征金刚石衬底；轻掺杂金刚石外延层，位于衬底的上表面；重掺杂金刚石外延层，位于轻掺杂金刚石外延层的上表面；纳米石墨层，位于重掺杂金刚石外延层...
    2026-02-13
  • 用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层
    用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层_德州仪器公司_202510902501.7
    本公开大体上涉及一种用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层。在一实例中，半导体装置包含半导体衬底(202)、栅极氧化物层(302)、栅极电极(502)、第一源极/漏极区(802)和第二源极/漏极区(802)。所述栅极氧化物层(302)在所述半...
    2026-02-13
  • 一种低电感均流碳化硅功率模块
    一种低电感均流碳化硅功率模块_武汉脉冲芯电子科技有限公司_202511568159.8
    本申请属于碳化硅功率芯片封装技术领域，更具体地，涉及一种低电感均流碳化硅功率模块，通过在碳化硅功率子模块的两只碳化硅功率芯片中间设置去耦电容，可有效补偿碳化硅功率芯片的开关瞬态能力、缩短能量循环路径，进而能抑制电压尖峰、削弱电磁干扰和降低芯...
    2026-02-13
  • 一种处理器最小系统封装结构
    一种处理器最小系统封装结构_天津津航计算技术研究所_202511611983.7
    本发明涉及一种处理器最小系统封装结构，属于异构芯片集成技术领域。本发明设计了一种将flipchip和wire bonding两种互联方式相结合，并对于DDR和FLASH两种芯片进行RDL堆叠后的wire bonding的处理器最小系统封装结...
    2026-02-13
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_南京南瑞半导体有限公司_202511362624.2
    本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，绝缘栅双极型晶体管包括栅线总区、内阻单元以及栅引线区，内阻单元和栅线总区连接，所述内阻单元包括至少3个填充有多晶硅的沟槽，其中，一个沟槽为依据多晶硅整体电阻率ρ00、内阻单元的目标电阻值R00...
    2026-02-13
  • 一种集成沟道二极管的垂直沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法
    一种集成沟道二极管的垂直沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法_山东大学_202511495902.1
    本发明涉及一种集成沟道二极管的垂直沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法，属于半导体技术领域，从下到上包括漏极金属层、衬底、N‑‑‑GaN漂移区，N‑‑‑GaN漂移区中央顶部通过离子注入形成P++‑屏蔽层，N‑‑‑GaN漂移区上方设有NPN...
    2026-02-13
  • 一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法
    一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法_山东大学_202511495903.6
    本发明涉及一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将超结结构应用于垂直沟槽MOSFET中，交替排列的p/n‑柱形成了漂移区内的横向电场，刻蚀沟槽填充肖特基金属，同时与n‑柱形成N型...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510563739.1
    本公开涉及半导体器件及其形成方法。通过在纳米结构沟道周围沉积共形牺牲间隔件层，然后蚀刻牺牲间隔件层以使得牺牲间隔件层仅作为牺牲间隔件保留在垂直相邻的纳米结构沟道之间，来在垂直相邻的纳米结构沟道之间形成牺牲间隔件。可流动沉积技术可用于在具有大...
    2026-02-13
  • 一种半导体器件的形成方法以及半导体器件
    一种半导体器件的形成方法以及半导体器件_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411034379.8
    本公开实施例提供了一种半导体器件的形成方法以及半导体器件，其形成方法，具体包括：提供基底，所述基底内形成有漂移区；在所述漂移区中形成第一深阱区和第二深阱区；形成第一阱区和第二阱区，第一阱区位于所述第一深阱区的上侧，第二阱区位于所述第二深阱区...
    2026-02-13
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511325114.8
    本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括电阻功能区，电阻功能区形成有伪栅结构；移除电阻功能区的伪栅结构，以形成至少两个第一凹槽，并在电阻功能区形成第一电阻层，以形成电连接的至少两个电阻结构，其...
    2026-02-13
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511325165.0
    本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体结构，包括第一功能区、第二功能区和电阻功能区，每一功能区形成有伪栅结构，且第一功能区的伪栅结构的宽度大于电阻功能区的伪栅结构的宽度；移除第一功能区的伪栅结构形成第一凹槽，以及移除...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511448245.5
    互补场效应晶体管(CFET)形成为具有产生不同阈值电压的功函金属层的不同组合。方法包括在衬底的第一区域上方形成第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成第二纳米结构；在衬底的第三区域上方形成第三纳米结构；在第一纳米结构上沉积第一栅电极层；在第二...
    2026-02-13
  • 一种优化锗硅外延生长的方法及半导体器件
    一种优化锗硅外延生长的方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512015789.9
    本申请提供了一种优化锗硅外延生长的方法及半导体器件。方法包括：在衬底上形成浅沟槽隔离、栅极结构和源漏极区域，在源漏极区域形成沟槽，包括西格玛沟槽和半西格玛沟槽；在沟槽内选择性生长锗硅外延层，在西格玛沟槽内形成了第一嵌入式锗硅，在半西格玛沟槽...
    2026-02-13
  • 一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法
    一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610005557.7
    本发明属于半导体技术领域，公开一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；第一器件区的第一有源区上形成有PMOS区栅极和PMOS栅极掩膜层；使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在第一器件区形光刻胶层外部...
    2026-02-13
  • 金属栅极结构及其制备方法
    金属栅极结构及其制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411040189.7
    本发明提供了一种金属栅极结构及其制备方法，所述金属栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有P型栅极沟槽及N型栅极沟槽；依次形成第一金属阻挡层及铝层覆盖所述P型栅极沟槽及所述N型栅极沟槽的内壁；对所述铝层执行图形化工艺，去除所述P型栅极沟槽...
    2026-02-13
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411054213.2
    本发明涉及一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括在中压器件形成区形成的包括第一栅介质层、第一栅极、第一源区和第一漏区的中压MOS器件，以及在低压器件形成区形成的包括第二栅介质层、第二栅极、第二源区和第二漏区的低压MOS器件，所述中压...
    2026-02-13
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411054215.1
    本发明涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括在衬底表面区域的中压器件形成区形成的第二栅极、栅极材料块、第一中压器件侧墙、第二中压器件侧墙、第二源区和第二漏区，其中，位于第二栅极侧面的栅极材料块、第一中压器件侧墙和第二中压器件侧墙...
    2026-02-13
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