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最新专利技术
  • 一种组合旋转倍频晶体换点装置、换点方法和激光器
    一种组合旋转倍频晶体换点装置、换点方法和激光器_南光高科(厦门)激光科技有限公司_202411051416.6
    本发明提供一种组合旋转倍频晶体换点装置、换点方法和激光器，组合旋转倍频晶体换点装置包括折射镜片、折叠腔镜、非线性晶体和端镜；所述折射镜片可旋转设置，基频光经折射镜片入射至所述折叠腔镜，并经过折叠腔镜反射至非线性晶体；所述端镜将入射至非线性晶...
    2026-02-17
  • 激光器的气体过滤方法、装置、系统及介质
    激光器的气体过滤方法、装置、系统及介质_杭州奥创光子技术有限公司_202610009155.4
    本申请涉及激光器技术领域，公开一种激光器的气体过滤方法、装置、系统及介质，通过在激光器腔体的倍频光路空间外设置与所述腔体连通的第一气路和第二气路；通过设置在所述激光器腔体内的洁净度传感器实时获取腔内气体的洁净度参数；基于所述洁净度传感器实时...
    2026-02-17
  • 一种用于激光器锁频的方法及系统
    一种用于激光器锁频的方法及系统_上海旷鹰赛光学科技有限公司_202511373420.9
    本发明涉及激光器锁频技术领域，提出了一种用于激光器锁频的方法及系统，所述系统包括MCU、高压放大模块、PZT腔长调节模块、激光器以及PD监测模块，MCU用于输出三角波扫描信号，并通过两路ADC通道采集误差信号和透射谱信号；高压放大模块用于接...
    2026-02-17
  • 一种基于等离子体自成像波导的激光相干合成方法与系统
    一种基于等离子体自成像波导的激光相干合成方法与系统_清华大学_202511305884.6
    本发明公开了一种基于等离子体自成像波导的激光相干合成方法与系统，涉及激光相干合成技术领域，可提升相干合成效果，实现相干合成技术突破。系统包括：合成激光种子模块、激光分束放大模块、激光等离子体波导耦合模块、等离子体毛细气室模块、等离子体控制模...
    2026-02-17
  • 一种激光器芯片欧姆接触退火优化方法及相关设备
    一种激光器芯片欧姆接触退火优化方法及相关设备_桂林雷光科技有限公司_202511592795.4
    本发明公开一种激光器芯片欧姆接触退火优化方法及相关设备，方法包括：通过沉积在半导体表面形成金属电极和导电标记层；在退火升温阶段，对导电标记层施加电学激励并采集电学响应，以建立导电标记层所在位置的初始响应基准；在退火保温阶段，监测导电标记层的...
    2026-02-17
  • 激光器芯片解理方法和激光器芯片
    激光器芯片解理方法和激光器芯片_武汉敏芯半导体股份有限公司_202511368934.5
    本申请实施例公开了一种激光器芯片解理方法和激光器芯片，激光器芯片解理方法包括在晶圆的第一面形成第一解理道，在第二面形成第二解理道，而后在第二解理道施加应力，使得晶圆解理呈多个激光器芯片，结合第二解理道沿着晶圆高度方向，第二解理道的截面的外缘...
    2026-02-17
  • 一种激光有线传能限距超大角度发射系统
    一种激光有线传能限距超大角度发射系统_北京工业大学_202511654926.7
    本发明公开了一种激光有线传能限距超大角度发射系统，包括激光器模块，激光器模块包括激光器，激光器的输出端集成有光学耦合单元，激光器本体上还匹配有散热单元和功率控制单元；激光传输模块，激光传输模块包括两组光纤接头及限位于两组光纤接头之间的传能光...
    2026-02-17
  • 一种锑化物光泵浦薄膜激光器及其制备方法
    一种锑化物光泵浦薄膜激光器及其制备方法_合肥国家实验室_202511654903.6
    本申请提供了一种锑化物光泵浦薄膜激光器及其制备方法，属于光泵浦激光器技术领域；解决了现有锑化物光泵浦半导体激光器需要非常厚的DBR层，受限于外延生长工艺以及激光器的热管理技术造成激光器功率无法进一步提高的问题；该激光器包括共中心线的第一端镜...
    2026-02-17
  • 一种激光芯片及光模块
    一种激光芯片及光模块_青岛联智光通信技术有限公司_202410998965.8
    本申请公开了一种激光芯片及光模块，激光芯片包括发光区、电吸收调制区和传导区。发光区包括第一N型INP层、第一量子阱层、光栅层和第一正、负电极，第一正、负电极止位于第一钝化层的上方。第一负电极与第一N型INP层金属连接。电吸收调制区包括第二N...
    2026-02-17
  • 一种多激光器驱动电路及其控制方法、激光雷达以及可移动平台
    一种多激光器驱动电路及其控制方法、激光雷达以及可移动平台_深圳市卓驭科技有限公司_202511217025.1
    本发明公开一种多激光器驱动电路及其控制方法、激光雷达以及可移动平台，驱动电路包括设置有升压开关的升压电路和至少两个激光发光电路，各激光发光电路对应设置有至少一个激光器；各激光发光电路的输入端并联以与所述升压电路的输出端连接，各激光发光电路的...
    2026-02-17
  • 一种消除激光跳模的调制电路及其控制方法
    一种消除激光跳模的调制电路及其控制方法_上海旷鹰赛光学科技有限公司_202511351810.6
    本发明涉及激光器半导体技术领域，提出了一种消除激光跳模的调制电路及其控制方法，包括调制信号产生单元、直流信号发生单元、恒流源负反馈单元、信号叠加单元以及恒流源控制单元。恒流源负反馈单元与恒流源控制单元的采样电阻连接；信号叠加单元分别与调制信...
    2026-02-17
  • 一种半导体激光二极管驱动电路及驱动方法
    一种半导体激光二极管驱动电路及驱动方法_中国电子科技集团公司第四十一研究所_202511582938.3
    本发明属于半导体激光器领域，提出一种半导体激光二极管驱动电路及驱动方法；包括单刀多掷模拟开关、功率三极管驱动电路、恒电流模式反馈回路、恒电压模式反馈回路、恒功率模式反馈回路与非相干控制电路；功率三极管驱动电路包括控制器、数模转换器、功率三极...
    2026-02-17
  • 基于冷原子成像反馈的注入激光器自动稳频装置及方法
    基于冷原子成像反馈的注入激光器自动稳频装置及方法_中国科学院国家授时中心_202511611061.6
    本发明涉及一种基于冷原子成像反馈的注入激光器自动稳频装置及方法，装置包括：一级冷却光路、二级冷却光路、电荷耦合器件和控制模块；一级冷却光路和二级冷却光路用于利用种子激光器输出单纵模激光，并将单纵模激光注入到若干注入激光器后输出冷却激光至真空...
    2026-02-17
  • 一种基于纳米压印制备钙钛矿微控阵列激光器
    一种基于纳米压印制备钙钛矿微控阵列激光器_哈尔滨工程大学_202511548134.1
    一种基于纳米压印制备钙钛矿微控阵列激光器及制备方法，它涉及一种制备钙钛矿微控阵列激光器。本发明为了解决现有微控阵列激光器的制备成本较高、工艺流程复杂，期间性能低的问题。本发明利用纳米压印技术直接对准二维钙钛矿薄膜进行压印，使增益材料本身形成...
    2026-02-17
  • 一种掩埋异质结生长方法
    一种掩埋异质结生长方法_武汉云岭光电股份有限公司_202511420487.3
    本发明涉及光通信技术领域，提供了一种掩埋异质结生长方法，包括如下步骤：S1，依次生长具有有源层和腐蚀阻挡层的一次外延结构；S2，再于所述一次外延结构上进行二次外延生长，并选取等宽的电流注入区域；S3，在所述电流注入区域内或外向所述一次外延结...
    2026-02-17
  • 一种基于GaAs衬底的长波长DFB激光器及其制备方法
    一种基于GaAs衬底的长波长DFB激光器及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021366.8
    本发明公开了一种基于GaAs衬底的长波长DFB激光器及其制备方法，涉及激光器技术领域，所述长波长DFB激光器包括GaAs衬底、变形生长层、InP基外延层；所述变形生长层的晶格常数沿生长方向渐变，以实现所述GaAs衬底到所述InP基外延层的晶...
    2026-02-17
  • 光发射器装置及其制造方法
    光发射器装置及其制造方法_贰陆特拉华股份有限公司_202411522008.4
    提供了光发射器装置及其制造方法。示例性光发射器装置可以包括：第一区域，包括第一半导体材料；活性区域，位于第一区域上，其中，活性区域包括在光发射器装置的前端与后端之间的泵浦活性区域；以及多个损耗结构，沿着泵浦活性区域的至少一个侧面的至少一部分...
    2026-02-17
  • 具复合光学膜层的垂直腔面射型激光器
    具复合光学膜层的垂直腔面射型激光器_华立捷科技股份有限公司_202411053113.8
    一种具复合光学膜层的垂直腔面射型激光器，其包括：基板、电极层、第一反射层、多个主动发光层、多个第二反射层、多个第一透明导电层及复合光学膜层。复合光学膜层中两个相对的延伸部之间定义为出光孔。复合光学膜层的各光学膜层的折射率从贴附侧壁面的光学膜...
    2026-02-17
  • 具透明导电层的垂直腔面射型激光器
    具透明导电层的垂直腔面射型激光器_华立捷科技股份有限公司_202411053155.1
    一种具透明导电层的垂直腔面射型激光器，包括基板、第一反射层、多个主动发光层、多个第二反射层及多个透明导电层。第一反射层设置于顶面上，第一反射层包括一基底部及多个反射部，多个反射部间隔排列于基底部上，相邻的两个反射部之间具有间距，第一反射层的...
    2026-02-17
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202610013752.4
    本申请涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述方法通过在衬底表面沉积第一介质层，并通过第一光刻工艺实现VCSEL激光器的对准标记、接触窗口、台面与划片道结构的构建；其次通过第二光刻工艺构建金阻挡层，基于湿法刻蚀工艺...
    2026-02-17
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