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  • 本发明涉及电气设备技术领域,尤其涉及一种灭弧系统及断路器。所述灭弧系统包括触头组件和引弧组件,其中:触头组件包括主动触头、弧动触头、主静触头和弧静触头,主动触头上的主动触点能够与主静触头接触或分开,弧动触头上的弧动触点能够与弧静触头接触或分...
  • 得到具有将通过断路时的电弧的热而产生的熔融物贮存于特定部分的贮存部的电路断路器。具有:框体(3),其由基座(1)和罩(2)构成;固定触点(7b),其设置于基座(1)上;可动触点(7a),其通过开闭机构部(9)相对于固定触点(7b)进行开闭;...
  • 本发明公开了一种带微动的圆管形大电流熔断器,支撑杆两端套接触头,触头内侧焊接熔体,焊接熔体的触头一端穿入熔管并固定,熔管内填装灭弧填料,熔管外侧安装微动底座安装支座,微动开关底座固定于微动底座安装支座,微动底座安装支座内装微动开关弹簧,微动...
  • 本发明涉及熔断器技术领域,公开了一种10KV跌落式熔断器绝缘隔离装置,包括绝缘子和熔丝管,所述熔丝管的外壁固定连接有固定块一,所述固定块一的外壁固定连接有连接块一,所述连接块一的外壁贴合有连接块二,所述连接块二的内部固定连接有铁环,所述连接...
  • 本发明公开了一种跌落式熔断器,涉及电力系统保护技术领域,技术领域,包括绝缘子,所述绝缘子的中部固定设置有用于安装熔断器的定安装板,所述绝缘子的一端固定设置有下端触头,其另一端固定设置有上端触头,所述下端触头上固定设置有下接线端子,所述上端触...
  • 本发明涉及跌落式熔断器技术领域,且公开了全范围高压限流跌落式熔断器,包括绝缘体,绝缘体一端设置有上触点块,上触点块外部设置有引导钩,绝缘体另一端设置有下触点块,下触点块外部设置有联锁件,绝缘体一侧设置有熔断管,熔断管两端均设置有连接头,熔断...
  • 本发明公开了一种制备离子源灯丝保护性热适配氧化钇涂层的方法及其灯丝,通过引入铬过渡层与梯度共溅射结构,实现涂层与合金基体之间的热膨胀系数匹配、高结合强度及低孔隙率,从而解决现有氧化钇涂层易剥落、寿命短的问题。
  • 本发明涉及微波真空电子技术领域,具体涉及一种多级降压收集极陶瓷结构及其制备方法,包括陶瓷筒和设于陶瓷筒内外表面的内金属化层及外金属化层,所述陶瓷筒的内表面设有至少两个凸台,至少有一组相邻凸台之间的陶瓷区域设有等电位的凸台金属面结构。与常规多...
  • 本发明提供一种用于三次谐波速调管的高频系统及设计方法,该高频系统包括用于传输电子注的电子注通道以及与所述电子注通道连通的谐振腔;所述谐振腔被配置为工作在基模与目标高次模式的混杂模式,使得电子注在电子注通道中运动并经过谐振腔时,能够同时与基模...
  • 本申请是关于一种电子枪阴极寿命预测与稳定性优化方法及系统,其中,方法包括:在电子枪阴极整个生命周期内持续采集基础参数与发射参数,并计算加热功率增量;基于基础参数、发射参数与加热功率增量,计算阴极的健康状态指数预测值,并设定失效阈值;构建剩余...
  • 本发明公开了一种用于熔体近场直写的主动加热式原位电荷中和系统及方法,提供一种原位、非接触式的电荷中和方案,能够在打印过程中实时、位置精准地消除支架上的残留静电荷,保障纤维沉积的稳定性和成形精度。通过引入加热装置,对中和所用的离子风进行加热,...
  • 本发明涉及用于等离子体处理中均匀性控制的锥形上电极。一种用于衬底处理系统中的上电极包括下表面。所述下表面包括第一部分和第二部分,并且是面向等离子体的。所述第一部分包括具有第一厚度的第一表面区域。所述第二部分包括具有变化的厚度的第二表面区域,...
  • 本公开实施例公开了一种射频离子源系统及其控制方法、电子设备及存储介质,涉及离子源技术领域,该射频离子源系统包括:电源和控制模块、射频放电单元、离子引出单元以及中和电子源;其中,电源和控制模块生成射频信号和脉冲电压,将射频信号输出至射频放电单...
  • 公开了一种改进的带电粒子束检查装置,更具体公开了一种用于检测薄型器件结构的缺陷的粒子束检查装置。束检查装置包括:带电粒子束源,其用于在时间序列上将带电粒子引导到晶片的受检查的位置处;以及控制器,该控制器被配置为在时间序列上的不同时间对晶片的...
  • 本发明公开一种半导体器件的加工设备,包括:壳体,壳体内形成有真空腔室;承载台,位于真空腔室中,包括载台本体、压接部件和抵顶部件,压接部件包括压片和压接轴,压片和压接轴相连,压片位于载台本体的轴向一侧,压接轴和抵顶部件均滑动连接于载台本体;第...
  • 本发明提供一种用于提高注入机聚焦杯石墨散热能力的装置及方法。所述装置包括:石墨组件,所述石墨组件与一聚焦杯本体连接,所述石墨组件的表面设有凸起的蜂窝状结构;温度监测组件,所述温度监测组件对应所述石墨组件设置,用于在束流注入过程中实时监测石墨...
  • 本申请公开了一种等离子体刻蚀机及其介质窗温控装置与控制方法,涉及等离子体刻蚀机的温控设备技术领域,等离子体刻蚀机具有用于对目标物体进行等离子体刻蚀的刻蚀腔体,刻蚀腔体顶部包括介质窗;介质窗温控装置包括:侧壁,侧壁固定在刻蚀腔体顶部的周缘上方...
  • 本发明公开了一种半导体工艺设备和工艺腔的清洁方法。该半导体工艺设备,包括工艺腔,其内部设有晶圆载盘,以及等离子体源,用于向所述工艺腔内提供等离子体,进行腔室清洁,所述半导体工艺设备还包括:遮挡件,在所述腔室清洁的前期,传入所述工艺腔内并覆盖...
  • 本发明涉及检测成像分析技术领域,提供二次离子质谱曲线异常数据修复方法。定位SIMS曲线存在异常数据的异常数据待处理区域;每个异常数据待处理区域的所有连续异常数据形成一个待处理异常数据组;针对每一个待处理异常数据组,选取与其临近的一段正常数据...
  • 本申请属于质谱技术领域,更具体地说,涉及一种离子导向器及电喷雾质谱仪,包括两级射频离子导向器,第一级射频离子导向器的离子通道与第二级射频离子导向器的离子通道接通;离子从第一级射频离子导向器的离子通道进入所述第二级射频离子导向器的离子通道;所...
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