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最新专利技术
  • 一种改善图像传感器白色像素的方法
    一种改善图像传感器白色像素的方法_格科半导体(上海)有限公司_202411003676.6
    本发明公开了一种改善图像传感器白色像素的方法，包含：提供一基片，其包含半导体衬底及其外延层，所述基片设有像素区及逻辑区，所述像素区及逻辑区均具有若干源漏区；提供一光罩，暴露所述源漏区的外延层；第一离子注入步骤：向所述源漏区的第一深度注入第一...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装结构
    一种CIS芯片封装结构_通富微电子股份有限公司_202511438379.9
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，遮光基板实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511438894.7
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，在透光基板的表面设置多个凹槽，将感光芯片的正面朝下固定于凹槽内，降低封装结构的整体厚度；在凹槽的内壁以及透光基板的表面设置有遮光层，确保全域避光完整性；直接在遮光层上设置导电金属层，无需设置硅通孔，降...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511440362.7
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，遮光基板采用非透光材料，实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用遮光基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内形成包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511440367.X
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，提供透光基板，在透光基板的表面形成多个凹槽，将感光芯片的正面朝下固定于凹槽内，降低封装结构的整体厚度；在凹槽的内壁以及透光基板的表面形成遮光层，直接在遮光层上形成导电金属层，无需设置硅通孔，降低工艺难...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装结构
    一种CIS芯片封装结构_通富微电子股份有限公司_202511441102.1
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，遮光基板实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围...
    2026-02-16
  • 一种CIS芯片封装方法
    一种CIS芯片封装方法_通富微电子股份有限公司_202511441154.9
    本公开实施例提供一种CIS芯片封装方法，遮光基板采用非透光材料，实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内形成包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封...
    2026-02-16
  • 光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法
    光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512052365.X
    本申请公开了光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法，光阻层的形成方法包括：在半导体结构的表面中形成疏水层；在半导体结构的表面上形成图案化的光阻层。本申请提供的光阻层的形成方法、半导体器件及其制造方法，可以降低高深比下的光阻层移位甚至倒塌问...
    2026-02-16
  • 用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法
    用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法_豪威科技股份有限公司_202510580484.X
    本申请案涉及一种用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法。描述一种包括光电二极管及分叉深沟槽隔离(DTI)结构的图像传感器。所述光电二极管安置于具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的半导体衬底内。所述分叉DTI结构经配置以将所述光电二极管...
    2026-02-16
  • 光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法
    光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法_佳能株式会社_202511032777.0
    本发明涉及光电转换设备、装置和光电转换设备的制造方法。根据本说明书的公开内容的方面，一种光电转换设备包括：第一半导体基板；第一布线构造；第二布线构造；以及第二半导体基板，其中，第一半导体基板包括保护元件以及沿行方向和列方向布置的多个像素，其...
    2026-02-16
  • 一种高满阱图像传感器及其工作方法
    一种高满阱图像传感器及其工作方法_南京大学_202511458359.8
    本发明公开了一种高满阱图像传感器及其工作方法，属于图像传感器领域。该高满阱图像传感器包括至少一个图像传感器单元，单个图像传感器单元包括形成在同一衬底上的感光收集区、信号读取区和第一浅槽隔离结构，感光收集区为一浮栅电容器，包括电容器第一级介质...
    2026-02-16
  • CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元
    CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元_天津大学_202511576935.9
    本发明涉及互补金属氧化物半导体图像传感器，为提高电荷转移效率、实现图像传感器中电荷的双向转移，本发明，CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元，包括光电二极管、浮动式扩散层FD、氧化物组成的传输栅TG和电极，传输栅与电级相连；其中，载...
    2026-02-16
  • 一种光电探测成像集成芯片及其使用方法
    一种光电探测成像集成芯片及其使用方法_北京大学_202511587693.3
    本发明属于光电探测成像领域，提供了一种光电探测成像集成芯片及其使用方法，芯片包括：基板、发光二极管阵列、第一P型电极层、第一N型电极层、第一绝缘层、第一键合层、电极互连层、雪崩光电二极管阵列、第二P型电极层、第二N型电极层、第二绝缘层、第二...
    2026-02-16
  • 一种电池串供料装置及排版设备
    一种电池串供料装置及排版设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202410965566.1
    本申请提供了一种电池串供料装置及排版设备，电池串供料装置包括串接部、串切刀、第一输送线、第一搬运机构、第二搬运机构和上料过渡部。第一输送线用于输送电池串，上料过渡部设置在第一输送线的上方，第一搬运机构设置在第一输送线和上料过渡部之间。第一搬...
    2026-02-16
  • 一种TBC电池及其制备方法
    一种TBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410966673.6
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，TBC电池的制备方法包括获取硅片，并在硅片的第一表面依次沉积隧穿氧化层、第一掩膜层、第二掩膜层及第三掩膜层，去除第一表面的第一预设区域上的隧穿氧化层、第一掩膜层、第二掩膜层及第三掩...
    2026-02-16
  • 一种光伏焊带生产系统
    一种光伏焊带生产系统_宁波环绿智能电器有限公司_202411025370.0
    本申请的目的是提供一种光伏焊带生产系统，包括沿焊带牵引方向部署的退火设备、涂锡设备和绕线设备；其中，所述退火设备，包括退火机架和集成于所述退火机架的多路退火单元，所述多路退火单元中相邻退火单元的相邻中心距离小于或等于相邻距离阈值；所述涂锡设...
    2026-02-16
  • 一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备
    一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备_江苏龙恒新能源有限公司_202511397254.6
    本发明公开了一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备，属于钝化镀膜技术领域。包括钝化镀膜机、送料部和出料部，钝化镀膜机上连接有带有显示屏的控制器，送料部包括：送料架；多组送料辊轮，转动连接在送料架上，送料辊轮上转动连接有打磨轮；送料辊轮上...
    2026-02-16
  • 基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法
    基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法_华南理工大学_202511406341.3
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开了基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法。方法：1)将再生硅片通过臭氧氧化处理；在再生硅片的微米级绒面形成氧化层；2)将经过处理的硅片倾斜，然后进行几何约束刻蚀，在硅片的微米级绒面表面...
    2026-02-16
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_浙江晶盛光子科技有限公司_202511432555.8
    本发明涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，其中制备方法包括：在硅基底的P型区域形成第一隧穿层和第一本征非晶硅层，在N型区域形成第二隧穿层和第二本征非晶硅层，在第一本征非晶硅层上沉积P型硅玻璃层，再在第二本征非晶硅层上形成N型硅玻璃层，对...
    2026-02-16
  • 一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法
    一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511479503.6
    本发明公开了一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法。该方法旨在解决在分子束外延(MBE)生长过程中，延伸波长InGaAs材料(截止波长1.7‑2.6 μm)出现的表面亮痕问题，并提出了一系列综合表征与控制策略。该策略涵盖主要包括...
    2026-02-16
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