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最新专利技术
  • 集成SBD的MOSFET器件及其制备方法
    集成SBD的MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511725911.5
    本申请涉及一种集成SBD的MOSFET器件及其制备方法。包括：位于衬底上的漂移层、第一缓冲层、第二缓冲层、阱结构、介电结构和源极金属层；阱结构包括垂直于衬底表面的第一侧壁，第二掺杂结构包括垂直于衬底表面的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁齐平；介...
    2026-02-16
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511415560.8
    一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括形成交替层堆叠包括沿着垂直于交替层堆叠的界面的第一方向堆叠的第一半导体层与第二半导体层。对交替层堆叠进行图案化以形成鳍片结构，鳍片结构具有沿着第一方向的高度、沿着垂直于第一方向的第二方向的...
    2026-02-16
  • 基于氮化镓的集成双向开关功率器件
    基于氮化镓的集成双向开关功率器件_意法半导体国际公司_202511043054.0
    本公开涉及基于氮化镓的集成双向开关功率器件。一种基于氮化镓的集成双向开关功率器件被形成在管芯中，该管芯具有集成有第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的半导体本体。半导体本体具有半导体衬底和基于氮化镓的层堆叠体。层堆叠体叠置在衬底上，并且形成沟...
    2026-02-16
  • 一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管
    一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管_广东工业大学_202610001134.8
    本发明涉及半导体晶体管的技术领域，涉及一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管，自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P型材料层以及介质层；势垒层上方设置有源极与漏极，源极与漏极分别位于P型材料层两侧；与介质层电连接的两端无源开...
    2026-02-16
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510214430.1
    一种半导体装置包括：上导线；第一下导线、第二下导线和第三下导线，在第一方向上布置。半导体装置还包括：下有源接触件，连接到第一下导线、第二下导线和第三下导线中的一个。此外，半导体装置包括：第一高单元、第二高单元、第一小单元和第二小单元，设置在...
    2026-02-16
  • 一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备
    一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511530874.2
    本公开提供了一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备，该晶体管包括：衬底以及在衬底的第一表面设置的第一晶体管、在衬底的第二表面设置的第二晶体管，第二表面为衬底中与第一表面相对的表面，第一晶体管和第二晶体管具有相同的晶体管结构。本公...
    2026-02-16
  • 集成电路和包括该集成电路的数据存储系统
    集成电路和包括该集成电路的数据存储系统_三星电子株式会社_202510594064.7
    一种集成电路器件包括衬底上的第一导电类型电路器件和衬底上的第二导电类型电路器件，其中第一导电类型电路器件中的每一个包括第一栅极结构，第一栅极结构包括衬底上的第一界面绝缘层、第一界面绝缘层上的第一栅极介电层、第一栅极介电层上的第一功函数调节层...
    2026-02-16
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511412024.2
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在第一区域中的第一半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层上方的第二半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层和第二半导体层之间的第一栅电极层、与第一区域中的第一栅电极层相邻设置的...
    2026-02-16
  • 半导体器件及形成存储器器件的方法
    半导体器件及形成存储器器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413140.6
    本申请的实施例公开了半导体器件及形成存储器器件的方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管和第二晶体管，形成在第一侧上的第一层级中；第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，形成在第一侧上的第二层级中；形成在第二侧上的第...
    2026-02-16
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413288.X
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。结构包括设置在第一区域中的第一半导体层以及围绕第一区域中的第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。结构还包括围绕第二半导体层的部分的第一栅电极层、电连接至第二半导...
    2026-02-16
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413289.4
    提供的实施例是半导体器件，包括第一器件。第一器件包括：第一突起，突出在衬底上方；第一纳米结构，包括第一半导体材料并且设置在第一突起上方；第一外延延伸区域，设置在第一纳米结构的第一侧壁上；第一栅极结构，包括位于第一纳米结构和第一突起之间的第一...
    2026-02-16
  • 一种半导体器件及其制备方法、半导体设备
    一种半导体器件及其制备方法、半导体设备_中国科学院微电子研究所_202511459565.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，包括半导体衬底；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管沿半导体衬底的厚度方向自下而上依次设置在半导体衬底的上方，第一晶体管包括第一栅堆叠结构和位于第一栅堆叠结构两侧...
    2026-02-16
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_厦门天马微电子有限公司_202511460191.4
    本申请提供了一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括第一基板和位于第一基板一侧依次排布的第一金属层和第二金属层，第二金属层包括沿水平方向排布的第一信号传输结构和第二信号传输结构，第一信号传输结构用于传输数据信号，第二信号传输结...
    2026-02-16
  • 阵列基板及其制备方法
    阵列基板及其制备方法_武汉华星光电技术有限公司_202511553580.1
    本申请涉及一种阵列基板及其制备方法，在刻蚀工艺中实现外围区金属走线侧壁角度大于阵列区电极图案侧壁角度的差异化控制，控制外围区金属走线与基底的第二夹角大于阵列区电极图案的第一夹角，外围区的金属走线的线距得以减小，在湿法刻蚀工艺中实现不同区域金...
    2026-02-16
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511746803.6
    本申请实施例提供一种显示面板和显示装置；该显示面板通过使驱动电路层包括多条发光控制线、多条复位控制线、多条发光转接线和多条复位转接线，一发光转接线与一发光控制线连接，一复位转接线与一复位控制线连接，其中，至少一条发光转接线上设有断口；和/或...
    2026-02-16
  • 三维集成电路
    三维集成电路_三星电子株式会社_202510853925.9
    提供了一种三维集成电路。三维集成电路包括：第一裸片，该第一裸片具有彼此相反的第一表面和第二表面；以及第二裸片，该第二裸片垂直地堆叠在第一裸片的第一表面上。第一裸片包括：功能块，该功能块布置在第一裸片的第一表面上；以及多个导电端子，该多个导电...
    2026-02-16
  • 具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法
    具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202512034340.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法，所述方法包括一P型衬底；形成于所述衬底内的N型阱层和P型阱层；形成于所述N型阱层表面的至少一个P型掺杂层；形成于所述P型阱层表面的至少一个N型掺杂层；设...
    2026-02-16
  • 光伏电池及光伏电池的制备方法
    光伏电池及光伏电池的制备方法_阿特斯阳光电力集团股份有限公司_202511127399.4
    本申请公开了一种光伏电池及光伏电池的制备方法，属于光伏电池技术领域。光伏电池，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括沿第一方向交替间隔排布的第一区域和第二区域，以及第一区域和第二区域之间的绝缘区；第一介电层，位于第一区域...
    2026-02-16
  • 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511503384.3
    本申请提供了一种晶硅异质结太阳电池，可以应用于太阳电池技术领域。该晶硅异质结太阳电池：包括依次设置的掺杂磷元素的氧化锡透明导电层、第二N型非晶硅层、第一N型非晶硅层、第一本征非晶硅钝化层、N型晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、P型非晶硅层和...
    2026-02-16
  • 一种光伏组件及其制备设备与制备方法
    一种光伏组件及其制备设备与制备方法_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202511643826.4
    本发明属于光伏组件技术领域，且公开了一种光伏组件及其制备设备与制备方法，包括层叠体，所述层叠体包括：柔性前封装膜；设置于所述柔性前封装膜下方的柔性太阳电池串；所述柔性太阳电池串由多个太阳电池片通过金属互联带连接而成，相邻所述太阳电池片之间具...
    2026-02-16
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