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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411035246.2
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件，包括存储单元，存储单元包括第一栅极、铁电存储结构以及沟道结构。第一栅极沿第一方向延伸。铁电存储结构包括在第一方向上依次远离第一栅极的第二栅极、铁电介电层以及第三栅极。第二栅极在第一...
    2026-02-17
  • 磁阻式随机存取存储器电路与布局结构
    磁阻式随机存取存储器电路与布局结构_联华电子股份有限公司_202411106615.2
    本发明提出了一种磁阻式随机存取存储器电路与布局结构。其中每个存储器单元包含一第一晶体管，其具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，该第一栅极连接到一第一字线、一第二晶体管，其具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，该第二栅极连接到一第二...
    2026-02-17
  • 电子设备及磁性存储器
    电子设备及磁性存储器_苏州凌存科技有限公司_202512053408.6
    本申请公开了一种电子设备及磁性存储器。该磁性存储器包括：衬底；多个磁性隧道结，设于所述衬底的一侧，且间隔分布；沿着远离所述衬底的方向，各所述磁性隧道结包括依次设置的参考层、隧道势垒层以及自由层；其中，在所述多个磁性隧道结中，存在两个磁性隧道...
    2026-02-17
  • 集成电路器件以及制造方法
    集成电路器件以及制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511412047.3
    通过在RRAM单元上方形成层间电介质期间引入非氧化物电介质层，来保护底部电极免受氧诱导的损伤，来解决使电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的操作速度独立于底部电极厚度的问题。非氧化物电介质层可以用作位于围绕顶部电极的第一间隔件上方的第二间隔...
    2026-02-17
  • 相变存储器及其形成方法
    相变存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311708507.8
    本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：在阵列区形成第一接触结构，并在外围连接区形成第二接触结构；所述阵列区和所述外围连接区沿第一方向排布；所述第一接触结构和所述第二接触结构沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直；...
    2026-02-17
  • 电子模组及其制造方法
    电子模组及其制造方法_宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司_202411001993.4
    一种电子模组及其制造方法。电子模组包括中介基板、第一电子元件、软性电路板，以及第二电子元件。中介基板包括重布线层与主体层。主体层设置于重布线层上，并具有暴露重布线层的凹槽。第一电子元件埋入于中介基板的凹槽内，并电性连接重布线层。软性电路板包...
    2026-02-17
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510814129.4
    一种半导体封装件包括具有连接端子的封装基底。连接端子包括第一DQ端子至第四DQ端子以及第一CA端子和第二CA端子。第一芯片堆叠件具有倒装安装并连接到第一DQ端子的第一半导体芯片和引线接合以连接到第四DQ端子的在第一半导体芯片上的第四半导体芯...
    2026-02-17
  • 一个单个裸片下的混合线大小直径
    一个单个裸片下的混合线大小直径_美光科技公司_202511007323.8
    提供用于在一个单个裸片下的混合线大小直径的系统及设备。例如，一种设备可包含存储器单元裸片、所述存储器单元裸片下方的多个信号垫以及所述存储器单元裸片下方的多个电源垫。耦合到所述多个信号垫中的相应一者的每一接合线具有第一线大小直径并且耦合到所述...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_马鞍山市槟城电子有限公司_202511641764.3
    本发明实施例公开一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：衬底，设置为第一导电类型且两侧均设置有第二导电类型结构、发射单元、电极层和沟槽；第二导电类型结构包括第一区域、短基区和第二区域；第二区域的离子浓度大于短基区的离子浓度且小于第一区...
    2026-02-17
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410958497.1
    本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括半导体层、基区、沟槽栅结构、发射区、接触区、层间介质层、集电区、介电层及各电极，其中，半导体层包括元胞区和终端区；沟槽栅结构嵌于元胞区中半导体层上表层；基区位于元胞区上表层且边缘延伸...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510686214.7
    提供一种半导体装置，能够降低断开中的电压急剧变化时的电压相对时间的变化量。半导体部的第1面侧区域具有：第2导电类型的第2半导体层，与第1栅电极对置；以及第1导电类型的第3半导体层，与第1电极相接。半导体部的第2面侧区域具有：第2导电类型的第...
    2026-02-17
  • 一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法
    一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511684226.2
    本发明提供了一种击穿电压可调的防静电碳化硅IGBT及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域。包括在栅极与发射极之间集成有由N型多晶硅栅极与第一重掺杂P+区构成的异质结二极管、以及由N+发射区与P型体区构成的同质结二极管，二者反向串联形成静电...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510720743.4
    一种半导体装置包括：下层间绝缘层和其上的有源图案，其中，有源图案在第一水平方向上延伸并且在竖直方向上与下层间绝缘层的上表面间隔开；有源图案上的第一纳米片；在有源图案上在第一水平方向上与第一纳米片间隔开的第二纳米片；在第二水平方向上延伸并且环...
    2026-02-17
  • 沟槽结构耗尽型MOSFET及其制造方法
    沟槽结构耗尽型MOSFET及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410954175.X
    本发明提供一种沟槽结构耗尽型MOSFET及其制造方法。所述制造方法包括：提供基底；在基底中形成第一导电类型的阱区；在基底中形成沟槽，沟槽贯穿阱区；在沟槽内淀积形成第二导电类型的反型层，反型层覆盖沟槽的内表面，第二导电类型和第一导电类型相反。...
    2026-02-17
  • 自对准的多重式沟槽MOSFET及其制造方法
    自对准的多重式沟槽MOSFET及其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410990927.8
    本发明提供一种自对准的多重式沟槽MOSFET及其制造方法。所述的制造方法，包括在衬底上形成外延层，在外延层内形成深阱区，在外延层的表面的深阱区内形成第一导电型重掺杂区。在外延层的表面上形成一图案化硬掩膜，以暴露出部分外延层。进行多次沟槽形成...
    2026-02-17
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411003932.1
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底和相邻沟道凸起结构围成第一凹槽，形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使初始隔离层中形成有第二凹槽；在第二凹槽中形成隔离鳍部。本发明实施例中，通过形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使第...
    2026-02-17
  • 一种无结晶体管的优化方法
    一种无结晶体管的优化方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411012001.8
    本申请提供一种无结晶体管的优化方法，无结晶体管包括衬底、衬底上的埋氧层、埋氧层上的核层、核层上的壳层、壳层上的栅极、栅极两侧的源极和漏极，其中壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，根据无结晶体管的类型可以为无结晶体管确定背偏的值，其中若无结晶体...
    2026-02-17
  • 高性能鳍式晶体管及其形成方法
    高性能鳍式晶体管及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202411021261.1
    本发明公开了一种高性能鳍式晶体管及其形成方法，该方法包括：在所述鳍式晶体管沟道下方形成第一离子掺杂阱区，以及沿所述鳍式晶体管沟道长度方向，在所述鳍式晶体管栅极两端边界位置形成第二离子掺杂阱区，使所述第一离子掺杂阱区和所述第二离子掺杂阱区包围...
    2026-02-17
  • 晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构
    晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510539347.1
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构。该制备方法包括提供碳化硅外延片；采用第一沉积工艺在碳化硅外延片上形成第一栅氧层并对其进行氮化退火处理；采用第二沉积工艺在第一栅氧层上形成第二栅氧层并对其进行...
    2026-02-17
  • 分离式双栅极晶体管及其制造方法
    分离式双栅极晶体管及其制造方法_闳康科技股份有限公司_202510691002.8
    本发明公开一种分离式双栅极晶体管及其制造方法。制造方法包括：在衬底上生成第一鳍；从第一鳍部分移除牺牲层；在每一栅极金属层暴露的部分上依次生成第一栅极绝缘层、通道层及保护层；图像化以生成第二鳍；对第二鳍图像化以生成多个第一凹部及多个第二凹部；...
    2026-02-17
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