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最新专利技术
  • 半导体封装
    半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511875752.7
    本申请涉及一种半导体封装。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸...
    2026-02-03
  • 封装模组及其制备方法、以及封装结构
    封装模组及其制备方法、以及封装结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410995344.4
    一种封装模组及其制备方法、以及封装结构，封装模组包括：具有线路的第一基板，第一基板包括相背的第一面和第二面；器件芯片，位于第一基板的第一面上；封装层，位于器件芯片侧部的第一基板上，封装层覆盖器件芯片的侧壁；抗形变层，位于封装层和器件芯片上，...
    2026-02-03
  • 玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板
    玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板_苏州国显创新科技有限公司_202511745523.3
    本申请实施例公开了一种玻璃载板结构及其制备方法、玻璃载板母板，该玻璃载板结构包括第一玻璃基底、两第一种子层、第一金属走线层，第一金属走线层至少包含呈电性连接的第一子走线层和第二子走线层，第二子走线层设置于第一子走线层远离第一玻璃基底的一侧，...
    2026-02-03
  • 一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法
    一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十三研究所_202511500951.X
    本发明公开了一种用于高密度封装的氮化铝厚膜2.5D转接板及其制造方法，属于先进半导体封装技术领域。该方法以高热导率的氮化铝(AIN)陶瓷为基板，首先进行激光打孔并采用印刷填充及研磨抛光工艺实现通孔的金属化与共面化；随后通过在表面印刷大面积金...
    2026-02-03
  • 玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构
    玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511746530.5
    本申请提供了一种玻璃基板及其制备方法和芯片封装结构。玻璃基板包括：玻璃基底，玻璃基底中具有至少一个第一孔段和至少一个第二孔段，第一孔段和第二孔段相连通；玻璃基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一孔段的开口位于第一表面，第二孔段的开口位于...
    2026-02-03
  • 一种封装基板及其制备方法
    一种封装基板及其制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511746817.8
    本公开提供一种封装基板及其制备方法，该封装基板包括基板本体和隔离结构，基板本体沿垂直于所述基板本体的方向，所述基板本体上设置有多个贯穿所述基板本体的通孔；所述隔离结构设置在所述基板本体的一侧；所述隔离结构包括隔离环和/或区域隔离柱；所述隔离...
    2026-02-03
  • 一种衬板组件、检测装置和检测方法
    一种衬板组件、检测装置和检测方法_北京智慧能源研究院_202511473668.2
    本申请涉及一种衬板组件、检测装置和检测方法。衬板组件包括沿第一方向相对设置的第一侧面和第二侧面，及沿第二方向相对设置的第三侧面和第四侧面，衬板组件包括衬板、第一位置调整件和第二位置调整件。衬板具有检测区域，第一位置调整件设于衬板沿第一方向的...
    2026-02-03
  • 一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法
    一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511524212.4
    本发明公开了一种补入虚拟晶粒的晶圆级封装结构及其制备方法，属于微电子封装技术领域，方法：在第一基体的第一表面通过刻蚀工艺加工形成若干个与虚拟晶粒的布局相适配的凹槽结构；采用真空贴膜压入的方式在若干个凹槽结构的内部形成干膜填充层；提供第一表面...
    2026-02-03
  • 一种半导体芯片加工用贴片装置
    一种半导体芯片加工用贴片装置_南京华瑞微集成电路有限公司_202511531391.4
    本申请公开了一种半导体芯片加工用贴片装置，涉及半导体加工设备技术领域，通过对现有技术中的半导体芯片加工用贴片装置进行优化改进，利用横置的圆板状的承载输送单元作为基板的容器，并使得组成基板容器的配件可灵活更换进而适配多规格的基板；承载输送单元...
    2026-02-03
  • 顺序双钝化的选择性原子层沉积方法
    顺序双钝化的选择性原子层沉积方法_华中科技大学_202511402718.8
    本申请涉及一种顺序双钝化的选择性原子层沉积方法，包括如下步骤，S1、提供衬底，衬底的表面包括相邻设置的介电材质区域和金属材质区域；S2、对衬底的介电材质区域沉积第一钝化层，第一钝化层来源于硅抑制剂；S3、对设有第一钝化层的衬底沉积聚合物，聚...
    2026-02-03
  • 一种芯片封装装置及芯片封装方法
    一种芯片封装装置及芯片封装方法_中如乐明(北京)科技有限公司_202511575605.8
    本发明公开了一种芯片封装装置及芯片封装方法，属于半导体器件制造领域。一种芯片封装装置，包括机体，还包括定位座，固定安装在机体内，定位座上转动连接有导向盘，导向盘上设有用于存放芯片的限位槽；本发明通过驱动部带动导向盘的精密转动，实现对芯片封装...
    2026-02-03
  • 一种不对称双向TVS管的钝化工艺
    一种不对称双向TVS管的钝化工艺_扬州杰利半导体有限公司_202511578269.2
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种不对称双向TVS管的钝化工艺。本发明通过采用湿氧化方法在硅片表面生长一层二氧化硅绝缘层，仅对器件表面的电性环境进行调控，不改变硅片体内的掺杂浓度与电压分布；二氧化硅绝缘层具备优异的绝缘性能，可有效阻断表...
    2026-02-03
  • 一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构
    一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构_深圳市金誉半导体股份有限公司_202511887086.9
    本发明公开了一种大功率平面SiCMOSFET功率器件封装结构，属于SiCMOSFET功率器件封装技术领域，包括支撑底座以及安装在支撑底座上的热压组件，支撑底座上安装有托举组件，托举组件上安装有收集组件，收集组件上安装有开启组件，热压组件上安...
    2026-02-03
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410994025.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。半导体结构，包括：衬底，具有相对的正面和背面；器件层，覆盖衬底的正面，器件层设有芯片有效区和切割道区，切割道区设置于芯片有效区外周；保护层，覆盖器件层之上；防护结构，设置于保护层中...
    2026-02-03
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202411976739.6
    本发明提供一种电子装置及一种制造电子装置的方法。所述电子装置包含第一导电层及第一电源裸片。所述第一导电层包含第一部分及与所述第一部分分离的第二部分。所述第一电源裸片安置于所述第一导电层上方且具有第一表面。所述第一电源裸片包含从所述第一表面暴...
    2026-02-03
  • 功率模块和用于制造功率模块的方法
    功率模块和用于制造功率模块的方法_大众汽车股份公司_202511016104.6
    本发明涉及一种功率模块(1)，所述功率模块包括导热并且电绝缘的载体(2)，在所述载体上施加有至少一个结构化的金属覆层(4)，在所述结构化的金属覆层上布置有至少一个功率半导体(5)，其中，所述功率模块(1)具有至少一个绝缘层(6)，在所述绝缘...
    2026-02-03
  • 一种兼顾散热与隔离的多通道射频微系统封装架构和方法
    一种兼顾散热与隔离的多通道射频微系统封装架构和方法_电子科技大学_202511379715.7
    本发明涉及射频系统封装技术领域，具体为一种兼顾散热与隔离的多通道射频微系统封装架构和方法。本发明一方面通过金属屏蔽块对两侧的各射频功率芯片形成三明治结构的通道间电磁屏蔽，另一方面通过在各射频功率芯片顶部加载金属导热块再与整个系统的顶部热沉通...
    2026-02-03
  • 高密度衬底封装结构及其制备方法
    高密度衬底封装结构及其制备方法_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511584045.2
    本发明提供了一种高密度衬底封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，高密度衬底封装结构包括多个第一芯片、塑封层、布线组合层、至少一个第二芯片、基板和填充胶层；塑封层一侧表面形成有凹槽；布线组合层位于塑封层设置有凹槽的一侧表面或背离凹槽的一...
    2026-02-03
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511745637.8
    本发明提供了芯片封装结构及其制备方法、电子设备，解决了现有技术中芯片封装结构技术难度高的问题。在每个芯片封装单元中设置封装载体、布线层、芯片、封装层和导电柱，导电柱至少设置在封装载体和封装层内，芯片焊接于位于布线层内的走线，通过走线将芯片的...
    2026-02-03
  • 封装结构及其制备方法
    封装结构及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511531520.X
    本发明公开了一种封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：第一玻璃板，所述第一玻璃板上贯穿设有通孔，所述第一玻璃板相对的两表面上分别设有第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层为多晶硅薄膜层或非晶硅薄膜层，所述第二薄膜层为多晶硅薄膜层或非晶硅薄...
    2026-02-03
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