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最新专利技术
  • 一种贯穿大晶粒的钙钛矿光吸收层及其制备与应用
    一种贯穿大晶粒的钙钛矿光吸收层及其制备与应用_格林美(江苏)钴业股份有限公司_202511337440.0
    本发明公开一种贯穿大晶粒的钙钛矿光吸收层及其制备与应用，制备方法，包括以下步骤：K1. 获取具有多层晶粒的钙钛矿薄膜；K2. 将钙钛矿薄膜置于反溶剂/溶剂共蒸气氛中处理；K3. 在惰性气氛下，将处理后的钙钛矿薄膜进行退火，即得贯穿大晶粒的钙...
    2026-02-04
  • 一种透明导电氧化物层的制备方法及太阳能电池结构
    一种透明导电氧化物层的制备方法及太阳能电池结构_正泰新能科技股份有限公司_202410999747.6
    本发明涉及一种透明导电氧化物层的制备方法及太阳能电池结构，所述制备方法包括如下步骤：在基底表面通过原子层沉积形成预沉积氧化物层，然后在预沉积氧化物层表面通过原子层沉积循环设置第一氧化物层与第二氧化物层，得到透明导电氧化物层。本发明在原子层沉...
    2026-02-04
  • 一种太阳能电池的制备方法及制得的钙钛矿/晶硅叠层电池
    一种太阳能电池的制备方法及制得的钙钛矿/晶硅叠层电池_正泰新能科技股份有限公司_202411014995.7
    本发明属于光伏技术领域。本发明提供一种太阳能电池的制备方法及制得的钙钛矿/晶硅叠层电池，所述制备方法将金属靶材与TCO材料靶材进行共溅射，使金属原位掺杂TCO材料并共同形成金属掺杂TCO薄膜，并在钙钛矿太阳能电池中作为透明电极层和/或钙钛矿...
    2026-02-04
  • 显示面板的制备方法、显示面板及电子设备
    显示面板的制备方法、显示面板及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202411024656.7
    本申请实施例提供一种显示面板的制备方法、显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。先在电连接结构上覆盖一层绝缘层，接着再依次制作第一电极、对隔离结构材料层进行图案化以及对像素界定材料层进行图案化处理，最后再去除第二开口处的绝缘层将电连接结构露出...
    2026-02-04
  • 一种基于插入层的柔性光伏组件的制备方法
    一种基于插入层的柔性光伏组件的制备方法_江阴晶皓新能源科技有限公司_202511350652.2
    本发明公开了一种基于插入层的柔性光伏组件的制备方法，属于柔性电子技术领域，尤其是柔性光伏技术领域。所述方法包括在制备柔性衬底之前，在刚性基底表面引入纳米级厚度的插入层，旨在避免刚性基底和柔性衬底间过强的粘附力，从而实现刚性基底和光伏组件间的...
    2026-02-04
  • 一种钙钛矿太阳能电池用柔性复合衬底及其制备方法和应用
    一种钙钛矿太阳能电池用柔性复合衬底及其制备方法和应用_正泰新能科技股份有限公司_202410999744.2
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池用柔性复合衬底及其制备方法和应用，所述柔性复合衬底自下而上依次设置柔性基底、疏水层和电极层；所述疏水层的结构通式为：其中，R11包括氟基团，R22、R33和R44各自独立地包括CnnH2n+12n+1基团，n≥...
    2026-02-04
  • 有机电致发光组合物及其应用
    有机电致发光组合物及其应用_厦门杭创科技有限公司_202311643797.2
    本发明提供一种有机电致发光组合物及其应用。所述有机电致发光组合物包括第一发光材料和第二发光材料，第一发光材料具有式H‑L‑F表示的结构，其中H具有式1表示的结构，F具有式2表示的结构，所述第二发光材料具有如式3所示的结构。本发明的有机电致发...
    2026-02-04
  • 提高热电性能的方法、材料与热电器件
    提高热电性能的方法、材料与热电器件_西安交通大学_202511578191.4
    一种基于磁声耦合调控材料热导率以提高热电性能的方法、材料与热电器件，方法中，确定磁性热电材料或经磁性掺杂获得磁性的非磁性热电材料作为目标材料；对目标材料施加调控处理以引入或增强其磁声耦合效应，以改变磁振子与声子之间的相互作用强度，从而降低目...
    2026-02-04
  • 一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺
    一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺_能芯(常州)电子科技有限公司_202510963878.3
    本发明公开了一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺，属于热电器件制备技术领域。主要包括包括上段结构、中段结构和下段结构；上段结构为辅助热电器件段，其中包含掺杂氮化铝粉末的PDMS薄膜、蛇形电极层、热电材料层；中段结构为微流体散热段...
    2026-02-04
  • 一种Bi0.5Sb1.5Te3基热电元件及其制备方法和应用
    一种Bi0.5Sb1.5Te3基热电元件及其制备方法和应用_黄石弗莱迪尔电子科技有限公司_202511541459.7
    本发明提供一种Bi0.50.5Sb1.51.5Te33基热电元件及其制备方法和应用，属于热电元件制备技术领域。该Bi0.50.5Sb1.51.5Te33基热电元件包括Bi0.50.5Sb1.51.5Te33热电片，位于Bi0.50.5Sb1...
    2026-02-04
  • 集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法
    集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法_中国科学院半导体研究所_202410990352.X
    本发明提供了一种集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法，器件包括：依次堆叠的衬底、GaN缓冲层、GaN/AlGaN超晶格应力释放层、n型GaN基层、InGaN/InGaN发光功能层、AlGaN阻挡层、p型GaN基层；p型GaN基...
    2026-02-04
  • 一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法
    一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法_苏州英加特喷印科技有限公司_202511549167.8
    本发明提供了一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法，包括以下步骤：步骤1、对两块基板片进行清洁干燥，以去除表面油污，并采用等离子体对两块基板片进行活化处理；步骤2、在第一块基板片表面滴加光刻胶，形成第一胶层，并对该第一胶层进行划分以...
    2026-02-04
  • 一种双模态声学传感器及其制备方法
    一种双模态声学传感器及其制备方法_华东光电集成器件研究所_202511347125.6
    本发明涉及一种双模态声学传感器，包括：硅衬底层(01)、氧化硅层(03)和硅结构层(07)，硅结构层上面沉积下电极层(04)，下电极层上面设有压电材料层(08)，压电材料层上面制有上电极层(06)，从压电层向下制有下电极连接孔(09)及引线...
    2026-02-04
  • 压电元件及驱动器件
    压电元件及驱动器件_TDK株式会社_202510877638.1
    本发明涉及压电元件及驱动器件。压电元件(2)的素体(11)包含配置有第一内部电极(12A)和第二内部电极(12B)隔着压电体层(14)在第一方向(D1)上相对的驱动部(15)的驱动区域(F1)。驱动部(15)具有在第二方向(D2)的一侧沿第...
    2026-02-04
  • 一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用
    一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511532220.3
    本发明涉及一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用，所述双层光学压电薄膜复合衬底包括基板以及设置在所述基板上的压电衬底层；所述压电衬底层包括依次层叠设置的第一压电薄膜层和第二压电薄膜层，且所述第一压电薄膜层和所述第二压电薄膜层的极性相...
    2026-02-04
  • 一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法
    一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法_上海鑫雁微电子股份有限公司_202511371064.7
    本申请涉及霍尔传感器技术领域，提供一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法，本申请提出的霍尔元件包括两对参与电气连接的霍尔接触区，位于霍尔接触区两侧并有一定间隙距离的氧化物隔离结构，将霍尔板区域垂直方向完全隔离的氧化物埋层，利用隔离结构与埋...
    2026-02-04
  • 一种相变开关结构、阵列基板及显示装置
    一种相变开关结构、阵列基板及显示装置_北京京东方技术开发有限公司_202411001563.2
    本申请提供一种相变开关结构、阵列基板及显示装置，属于半导体技术领域，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底的一侧；加热电阻层，设置在缓冲层背离衬底的一侧；第一介质层，设置在加热电阻层背离缓冲层的一侧；相变层，设置在第一介质层背离加热电阻层的一侧；第...
    2026-02-04
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511515756.4
    本公开提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；所述基底至少包括沿第一方向叠置的存储单元层；通过旋涂工艺在所述基底沿所述第一方向相对两侧中的一侧形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行烘烤和紫外线照射，以形成第二掩膜材料层；在所述...
    2026-02-04
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511339249.X
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，包括衬底、位于衬底上的若干分立的存储单元和第一侧壁保护层。存储单元包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的存储功能层，第一电极包括沿第一方向突出于存储功能层的第一突部，第二电极包括沿第一方向突...
    2026-02-04
  • 一种阈值开关器件及其制备方法
    一种阈值开关器件及其制备方法_深圳大学_202511561153.8
    本发明涉及一种阈值开关器件及其制备方法，属于半导体器件与微电子技术领域。该器件自下而上依次包括衬底、第一电极层、异质结材料层和第二电极层；其中异质结材料层由金属性材料ATe22组成的第一子层与由半导体性材料MX22组成的第二子层交替堆叠构成...
    2026-02-04
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