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  • 本发明提供一种户外电气设备局部放电在线监测系统,属于电气设备监测技术领域。本系统包括:数据采集单元,采集电气设备的电脉冲电流信号以及内部环境参数和外部环境参数;数据处理单元,将信号处理后的模拟信号转为数字信号;并设置预警阈值和告警阈值,当放...
  • 一种配电设备局放异常在线监测方法及系统,涉及电力柜领域,包括:在每个开关柜的各位置部署温湿度传感器,获取每个开关柜的检测到异常的次数设定最多的三个温湿度传感器,基于三个温湿度传感器的位置设定开关柜的局放监测点位;基于各开关柜的局放监测点位设...
  • 本申请实施例提供一种多接地点雷击模拟试验回路、方法、装置、设备、存储介质及程序产品。该试验回路包括:对称间隙结构、冲击电压源、直流偏置电压源以及同步观测平台;对称间隙结构包括双线‑棒间隙结构或棒‑双棒对称间隙结构;双线‑棒间隙结构通过上棒高...
  • 本发明属于电气设备安全监测领域,具体涉及了一种充电站多回路绝缘监测与局放预警系统。本系统包括:数据采集单元,其与充电站内的多个充电回路及至少一个环境传感器连接;信号处理单元,其与数据采集单元通信;诊断决策单元,其与信号处理单元通信,诊断决策...
  • 本发明公开了一种套管电容芯体开裂风险的试验评估方法,包括以下步骤:将套管在第一设定温度下进行保温,第一设定温度为变电站或换流站区域历史最低环境温度。然后使套管一端处裸露在外的电容芯体从第一设定温度以套管外部历史最快升温速度升温至第二设定温度...
  • 本发明涉及一种110kV真型高压电缆阻水缓冲层烧蚀缺陷复现方法,包括如下步骤:建立模拟线路,其中,A相采用新电缆段,B相采用灼烧初期电缆段,C相采用烧蚀中期电缆段;对模拟线路施加额定电压和电流,并实时监测模拟灼烧过程中缓冲层的温度变化、局部...
  • 本发明公开了一种设备测温用光纤直流绝缘性能考核方法及系统,包括:结合光纤传感器在换流变中的实际安装位置和布设方式,建立多物理场耦合的电场仿真模型,并基于所述电场仿真模型确定标准参考场强;采用典型光纤样品进行直流耐压击穿试验,获取击穿场强,并...
  • 本发明公开了一种基于电压注入法的绝缘检测系统及方法。该方法包括:电桥网络,连接至高压动力电池组的高压母线正极、负极和车身地;电压注入电路,其输出端跨接于信号地与车身地之间,用于生成低压脉冲信号;测量电路,用于采集、放大和调理电桥网络产生的反...
  • 本发明涉及开关柜局部放电检测技术领域,尤其涉及一种开关柜局部放电在线智能检测系统;该系统包括初步筛查模块、环境监测模块、第一诊断模块、第二诊断模块以及反馈调整模块。本发明通过依据实时环境噪声水平自适应选择诊断路径,在低噪声环境下,同步融合超...
  • 本发明公开一种基于数模驱动的电机定子对地绝缘在线监测方法,包括:基于不同频率范围的电机共模等效模型,确定宽频域下定子对地绝缘电容和电机共模等效模型之间的关系;采集电机三相入线段共模电流,提取共模电流分量中与对地绝缘相关的特征参数;预训练电机...
  • 本发明属于电缆绝缘状态检测技术领域,具体涉及一种基于介电响应特征的电缆绝缘老化智能诊断方法及系统,包括以下步骤:S1,获取待测电缆的去极化电流数据,基于扩展Debye等效电路模型,将宏观的去极化电流解耦为对应不同时间常数的微观极化幅值系数,...
  • 本发明属于电力设备故障诊断技术领域,具体公开了一种基于知识蒸馏的1D‑CNN的在线局部放电识别方法,其包括以下步骤:对原始信号进行傅里叶变换后实施幅度调制、相位调制、频带增强和频域噪声注入四种数据增强;构建多分支一维卷积神经网络提取时频特征...
  • 本发明涉及可控硅测试技术领域,具体涉及一种可控硅耐冲击性测试方法及系统。该方法包括以下步骤:获取过零信号监测时刻和驱动信号监测时刻,获取每次继电器控制的延迟时长,并同步获取监测时刻的环境监测数据;基于延迟时长计算时间延长误差系数,基于环境监...
  • 测试半导体器件性能的方法包括:经由刚性进气歧管将热气体从外部源重定向至封闭式探针卡组件中,以在被测器件(DUT)附近形成加压区域;以及经由刚性回气歧管将热气体的样本从加压区域返回至封闭式探针组件外部的控制器设备。热气体在一定压力和温度范围注...
  • 本申请涉及硅基OLED测试技术领域,一种硅基OLED探针测试装置,测试台安装在电气柜上,包括底座和两组滑台,滑台沿底座长度方向滑动,底座上有探针台和龙门架,滑台上有点亮探针台上晶片的探针;探针台安装在底座上,包括中心座和升降环,中心座固定安...
  • 本申请涉及半导体器件测试领域,具体公开了一种跨导参数的测试电路、测试方法和产品,其电路包括直流母线、被测管Q1、Vds控制电路、陪测管Q2、Ids控制电路和陪测负载R1;直流母线的正极接入被测管Q1的漏极、Q1的源级连接陪测管Q2的漏极,陪...
  • 本发明提供一种氧化镓器件极深能级缺陷表征方法、系统及电子设备,涉及半导体材料技术领域,氧化镓器件极深能级缺陷表征方法包括:对氧化镓器件进行等温DLTS测试,得到等温电容‑测试周期曲线,并根据等温电容‑测试周期曲线,确定测试周期的取值范围;基...
  • 本发明涉及一种晶圆测试方法、装置、电子设备和可读存储介质,包括晶圆测试前,读取测试项文件,根据测试项的抽测标识/必测标识得到必测集合和抽测集合,并确定抽测集合中需抽测测试项比例;将若干待测晶圆中的至少一个作为全测晶圆,将剩下的待测晶圆作为抽...
  • 本发明涉及一种PMOSFET总剂量辐照与负偏置温度不稳定性协和效应的试验方法,该方法是由试验样品选择及参数测试,叠加试验,综合试验,数据处理组成,为了更加全面研究二者协和效应机制,本方法包含了总剂量与负偏置温度不稳定性的顺序叠加试验、综合试...
  • 本发明提供了一种集成母线电容功率模块的静态测试系统,涉及功率器件技术领域,该系统包括电容充放电模块、静态测试模块、开关模块及被测模块,其中被测模块由三相全桥IGBT模块与母线电容集成而成。通过在静态测试前利用独立充放电回路对母线电容进行预充...
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