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  • 本申请公开了一种背接触太阳电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。本申请提供的背接触太阳电池的制备方法中,通过使用深紫外激光在第一钝化层上开设栅线沟槽,深紫外激光具有较高的光子能量,高于钝化层材料的化学键能,因此可以通过光化学作用打断...
  • 本发明提供了一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件,涉及电池制备技术领域。该太阳能电池制备方法包括在硅片的第一表面依次制备第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及第一TCO膜层;在硅片的第二表面依次制备第二本征非晶硅层、P型非晶硅层以及第二...
  • 本申请涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法,光伏组件。所述制备方法包括以下步骤:在硅基底的表面制备第一钝化层;所述表面设置有若干塔基底座,任一所述塔基底座的边长为9μm~25μm;对所述第一钝化层进行退火处理,退火的温度为470℃...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及处理铜互连电池片的药液及其制备方法和电池片的制备方法,该处理铜互连电池片的药液的原料包括:弱酸混合剂、次磷酸钠、阻垢剂和缓蚀剂;其中,阻垢剂含有膦酸基团,缓蚀剂含有亲水基和氮原子。该药液能够用于在...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。本申请的太阳电池的制备方法包括在硅基体的正面和/或背面的种子层上涂覆感光胶层,并利用激光在感光胶层上进行打印,其中,感光胶层包括第一胶膜和第二胶膜,第二胶膜围绕第一胶膜以形成...
  • 多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器,涉及红外探测器技术领域,该方法包括:提供多波段的碲镉汞芯片,固定于预设的工装上;根据背增透膜计算公式分别计算各目标波段所需的背增透膜层总厚度,在全部碲镉汞芯片上第一次沉积膜层,使第...
  • 本发明专利涉及晶硅太阳能电池片技术领域,尤其指一种与石英舟协同的改善扩散均匀性的可调节扩散装置,包括炉体,炉体内放置有石英舟和进气管及导气管,石英舟包括调节机构、支撑柱和端挡板,导气管分为上导气管和下导气管,上导气管和下导气管平行分布,下导...
  • 本发明公开了一种节省电耗且提效的perc、Topcon电池制绒方法,包括:S1.使用HCl与双氧水的混合溶液对硅片进行外观清洗及微腐蚀;S2.使用NaOH与制绒添加剂的混合液对硅片进行腐蚀以形成绒面;S3.使用NaOH与双氧水的混合液对硅片...
  • 本申请涉及一种电池片分离方法。电池片分离方法至少用于分离光伏组件中的电池片和封装层,电池片分离方法包括以下步骤:取样工序,取待处理的光伏组件;分离工序,将所述光伏组件加热,使所述封装层与所述电池片分离后得到电池片。电池片分离方法通过加热降低...
  • 本发明提供了一种晶硅电池切割边缘钝化方法,其包括以下步骤:S1、将切片后的多个电池片叠放在一起并固定,多个电池片的切割面齐平;S2、将叠放的电池片置于氧气气氛中,用激光扫描电池片切割面;S3、将电池片放入氮气气氛中进行退火处理。本发明的晶硅...
  • 本申请提供了一种半导体工艺设备,包括:工艺管;多个进气管,用于向工艺空间导入工艺气体;第一匀流板,设置在工艺空间中,并将工艺空间分割为多个进气管所在的进气空间和容纳所述晶片的容置空间,第一匀流板支撑多个进气管,且多个进气管导入的工艺气体在第...
  • 本申请公开了一种光电封装工艺进行光口保护的方法,涉及半导体制造技术领域,通过键合将玻璃与带有空腔的光芯片相结合,形成玻璃空腔结构,由于玻璃具有高耐热和高结构强度的特性,能够承受高温和气压,不会在后续光的真空工艺过程中破裂,能够有效避免光口污...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及太阳能电池及其制备方法,该制备方法包括:在黄膜片涂布正性感光胶,烘烤;对涂布了正性感光胶的黄膜片的边缘第一曝光;对曝光后的黄膜片的边缘进行第一显影;对第一显影后的黄膜片的边缘刻蚀;对黄膜片的栅线区...
  • 本申请实施例涉及光伏电池领域,提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件,其中方法包括:提供半导体基片,所述半导体基片包括:基底;钝化层,所述钝化层设置在所述基底关于其厚度方向上的至少一侧;在所述钝化层上形成浆料电极;对所述浆料电极先进行热烧结...
  • 本发明公开了一种集成双高导热衬底的光电探测器芯片及其制备方法与应用。所述光电探测器芯片包括金刚石衬底、金属电极、光电探测器有源区、钝化层和SiC衬底;先在InP半绝缘衬底上生长光电探测器外延层;将所得InP外延片倒装键合至SiC高导热衬底;...
  • 本发明公开了一种太阳电池片及其制造方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池片的制造方法包括以下步骤:电镀金属栅线电极前,在电池片用于与电镀装置接触的区域表面设置导电胶层,并在电池片不与电镀装置接触的区域表面设置绝缘胶层。通过导电胶层的设置,一...
  • 本发明公开了一种栅线制备方法、制备模具及电池片,其中,栅线制备方法包括:提供第一模具,在第一模具上设置预设形状的凹槽;在凹槽内形成一层金属反射层;在金属反射层上形成主金属层;在主金属层上设置导电膏;将第一模具倒扣于电池片上,使得导电膏粘附在...
  • 本发明公开了一种红外辐射光的背接触热光伏器件结构和制备工艺,属于热光伏发电领域。一种背接触热光伏器件制作工艺,包括以下步骤:取P型衬底进行硼扩散,形成P+前场;刻蚀衬底背面部分的P+前场,以预留N区的形成区域;在衬底的背面沉积形成掺磷的纳米...
  • 本发明涉及一种背接触电池的制备方法及其电池、组件,属于光伏发电技术领域;包括;制备单晶硅基底;通过硼扩散在所述单晶硅基底背面形成P+掺杂层、BSG氧化膜;在硅片背面P区印刷光刻胶,并固化,形成Mask1掩膜层;依次去除BSG氧化膜和Mask...
  • 本发明公开了一种含PECVD沉积的氮氧化硅膜层太阳能电池和制备方法,属于太阳能电池制造技术领域,其技术方案为S1、进舟,S2、温度控制;S3、第一次抽真空;S4、预充气;S5、沉积;S6、第二次抽真空;S7、清洗;S8、第三次抽真空;S9、...
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