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最新专利技术
  • 太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构
    太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构_无锡爱尔华光电科技有限公司_202511988385.1
    本发明提供了太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构。其铺开能达到较好性能和平衡。其分上下对称两块，每一块有2串电池，四串的起点和终点分列两边，从内到外层层包裹，内串和外串中间部分分别是单串的转折排布方式；再加上两个侧列，把内串包住，各串...
    2026-02-11
  • 宽光谱红外光电探测器
    宽光谱红外光电探测器_清华大学_202511528891.2
    本发明公开了一种宽光谱红外光电探测器，包括自下而上层叠的衬底、n型欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层以及p型欧姆接触层；所述电子势垒层的材料为AlAsSb，AlAsSb的带隙较大，不吸收短波长的红外光，使得更短波长的红外光能到达吸收层。...
    2026-02-11
  • 短波长红外光电探测器
    短波长红外光电探测器_清华大学_202511528897.X
    本发明公开了一种短波长红外光电探测器，包括自下而上依次层叠的衬底、n型欧姆接触层、腐蚀停止层、n型次欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层、p型欧姆接触层和制作在p型欧姆接触层的上表面上的p型电极；p型欧姆接触层为厚度小于50nm的InGa...
    2026-02-11
  • 基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器
    基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器_清华大学_202511533161.1
    本发明涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种基于双分布式布拉格反射镜谐振腔的波导型光电探测器，包括：外延层；脊型波导，其刻蚀至外延层的n型掺杂层；电极，其设置在脊型波导的中段；双分布式布拉格反射镜谐振腔结构DBR，其包括第一分布式布拉格反射镜...
    2026-02-11
  • 基于微环谐振腔的光电探测器及其制备方法
    基于微环谐振腔的光电探测器及其制备方法_清华大学_202511533164.5
    本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于微环谐振腔的高速高响应度的光电探测器及其制备方法，其中，光电探测器包括：外延层结构；波导，采用脊形波导结构刻蚀至外延层结构的N型InP接触层；微环与波导并排放置，且微环与波导之间设有预设间隙宽度，以...
    2026-02-11
  • 基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法
    基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法_清华大学_202511533166.4
    本发明涉及光电器件与光通信技术领域，特别涉及一种基于速度匹配的行波电极光电探测器及其制备方法，其中，光电探测器包括：外延层结构；脊形波导，其刻蚀至外延层结构的N型InP覆层；行波电极，其采用共面波导结构，设于脊形波导的上表面和外延层结构的上...
    2026-02-11
  • 单光子雪崩二极管及其制备方法
    单光子雪崩二极管及其制备方法_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202410985067.9
    本发明公开一种单光子雪崩二极管及其制备工艺，单光子雪崩二极管包括衬底和外延层，外延层设置于衬底的一侧的表面上，外延层远离衬底的一侧形成有第一阱区，第一阱区内形成有环形结构的第二阱区，第二阱区背离衬底的一端设置有第一重掺杂区，第一重掺杂区覆盖...
    2026-02-11
  • 一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法
    一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法_厦门大学_202511863627.4
    一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括：第一掺杂类型半导体衬底，设置在衬底上的第一掺杂类型外延层；间隔设置在第一掺杂类型外延层中的第二掺杂类型源区和漏区；设置在源区和漏区上的金属电极，源区及漏区和金属电极形成欧姆...
    2026-02-11
  • 一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法
    一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法_江苏艾倍思特光电子有限公司_202511477546.0
    本发明涉及光敏晶体管领域，具体而言，涉及一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法，包括包括：半导体衬底，半导体衬底上依次形成N型外延层、P型基区与N型射区；P型基区包括独立设置的光电传感区与基极主体，光电传感区用于接收光信号并...
    2026-02-11
  • 光电转换基板和平板检测装置
    光电转换基板和平板检测装置_北京京东方传感技术有限公司_202410961634.7
    一种光电转换基板和平板检测装置。该光电转换基板，包括第一区，光电转换基板包括基板，至少一个像素单元，位于基板一侧，且位于第一区；像素单元包括光电转换元件，位于基板一侧；光电转换元件包括第一电极、光电转换层和第二电极，第一电极、光电转换层和第...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器的形成方法
    一种图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511249789.9
    本发明通过碳/锗离子注入在衬底晶圆的浅表层形成Si‑C或Si‑Ge区域，来提高衬底晶圆内部对杂质离子的吸杂能力，可以减少金属杂质污染、抑制暗电流从而降低白色像素缺陷；通过分步浅层离子注入，在晶圆表面至体内形成递减浓度梯度分布，能够在表面提供...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器的制备方法
    一种图像传感器的制备方法_格科微电子(上海)有限公司_202511352098.1
    本发明公开了一种图像传感器的制备方法，在衬底上沟槽刻蚀完成后，通过在沟槽和衬底表面沉积一掺杂有P型离子的氧化层(BSG)，采用低温增强扩散和/或激光瞬时热退火的工艺将P型掺杂离子引入并激活的同时，不提高器件的热预算，且修复了沟槽表面的刻蚀损...
    2026-02-11
  • 一种硅基感知-存储一体化集成芯片及其制备方法
    一种硅基感知-存储一体化集成芯片及其制备方法_北京微电子技术研究所_202511298588.8
    本发明公开了一种硅基感知‑存储一体化集成芯片，由硅基感知器阵列和存储器阵列沿垂直方向自上而下集成；硅基感知器阵列位于上方，其输入端作为芯片的输入端，接收入射光信号；存储器阵列位于下方，其输入端与感知器阵列的输出端通过工艺集成方式连接，其输出...
    2026-02-11
  • 基于光电二极管的电子探测器、超快CMOS电子成像传感器
    基于光电二极管的电子探测器、超快CMOS电子成像传感器_深圳大学_202511353646.2
    本发明涉及基于光电二极管的电子探测器、超快CMOS电子成像传感器，包括：像素阵列；像素阵列包括多个基本探测单元，每一个基本探测单元为纵向分布结构；每一个基本探测单元包括：探测层和像素电路层；探测层与像素电路层采用混合键合的方式连接；探测层包...
    2026-02-11
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202410948910.6
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，方法包括：利用第一掺杂类型的第一离子对衬底进行目标厚度的掺杂，形成第一掺杂层，在第一掺杂层上形成图案化的掩模层，利用第二掺杂类型的第二离子对第一掺杂层进行掺杂，形成第二掺杂区域，被掩模层遮挡的未被第二离...
    2026-02-11
  • 成像系统、图像传感器及其制备方法
    成像系统、图像传感器及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410958214.3
    本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种成像系统、图像传感器及其制备方法，包括：包括：提供衬底，衬底的正面形成有初始隔离结构、有源区和多个像素单元，初始隔离结构位于所述有源区之间的所述衬底内；刻蚀初始隔离结构和部分衬底，以形成贯穿初始隔离结构...
    2026-02-11
  • 图像传感器
    图像传感器_索尼半导体解决方案公司_202511234871.4
    提供了一种图像传感器，其包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括多个像素和多条垂直信号线以及多个第一配线层，所述第二基板包括多个第二配线层。所述第一基板和所述第二基板在所述多个第一配线层与所述多个第二配线层之间被固定在一起。第一焊盘设置在所...
    2026-02-11
  • 图像传感器
    图像传感器_索尼半导体解决方案公司_202511235919.3
    提供了一种图像传感器，其包括第一基板和第二基板，所述第一基板包括多个像素和多条垂直信号线以及多个第一配线层，所述第二基板包括多个第二配线层。所述第一基板和所述第二基板在所述多个第一配线层与所述多个第二配线层之间被固定在一起。第一焊盘设置在所...
    2026-02-11
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511265836.9
    半导体装置的半导体光学传感器结构可以包括光子吸收区域和位于光子吸收区域上方的抗反射结构(例如，抗反射膜、光栅结构)。可以针对半导体光学传感器结构调整抗反射结构以实现入射光的最小反射。具体地，可以调整诸如抗反射结构的膜厚度、折射率、光栅高度、...
    2026-02-11
  • 一种降低线列探测器形变应力的支撑台结构制备方法
    一种降低线列探测器形变应力的支撑台结构制备方法_北京空间机电研究所_202511400819.1
    一种降低线列探测器形变应力的支撑台结构制备方法，解决了现有Ⅱ类超晶格线列探测器公共电极沟槽存在高度差、倒装互连工艺困难、内部应力大的问题，属于红外探测器技术领域。制备方法包括：(1)清洗外延片；(2)使用PECVD方式，沉积SiO22硬掩模...
    2026-02-11
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