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最新专利技术
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_惠科股份有限公司_202511936443.6
    本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底基板、驱动背板、反射件、图形化层和阳极，所述驱动背板包括绝缘层和驱动晶体管，所述绝缘层中形成有过孔，反射件设于所述驱动背板上并通过所述过孔与所述驱动晶体管电...
    2026-01-27
  • 一种3D电容器及其制备方法
    一种3D电容器及其制备方法_苏州凌存科技有限公司_202511941403.0
    本申请提供一种3D电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供3D电容器包括硅衬底；硅衬底上方依次设有绝缘层和第一金属层；第一金属层上方有多个垂直堆叠的功能层；每个功能层从下至上至少包括形成有多个沟槽的SiO22层，以及位于所述SiO22...
    2026-01-27
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511154103.8
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底，以及层叠设置于衬底上的第一本征硅材料层、N型掺杂硅材料层以及第一透明导电层，第一本征硅材料层设置于N型掺杂硅材料层和衬底之间，N型掺杂硅材料层设置于第一本征硅材料层和第一透明导电...
    2026-01-27
  • 一种基于透明电子传输层的铜铋硫薄膜太阳能电池及其制备方法
    一种基于透明电子传输层的铜铋硫薄膜太阳能电池及其制备方法_江苏海洋大学_202511509272.9
    本发明涉及新能源材料技术领域，具体为一种基于透明电子传输层的铜铋硫薄膜太阳能电池及其制备方法，包括FTO导电玻璃，FTO导电玻璃作为衬底，依次沉积基于介孔氧化钛(TiO2)电子传输层、铜铋硫吸收层、空穴传输层以及用于连接外部电路的金属电极；...
    2026-01-27
  • 电池组件及其制造方法、用电装置、发电装置
    电池组件及其制造方法、用电装置、发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410954486.6
    本申请公开了一种电池组件及其制造方法、用电装置、发电装置，其中，电池组件包括：第一基板、位于第一基板上的第二基板以及封装在第一基板和第二基板之间的电池；其中，第二基板上具有贯穿第二基板的至少一个通孔；至少一个汇流条，汇流条的一端与电池电连接...
    2026-01-27
  • 镀膜光伏玻璃及其制备方法和光伏组件
    镀膜光伏玻璃及其制备方法和光伏组件_环晟新能源(江苏)有限公司_202511517273.8
    本发明提供了一种镀膜光伏玻璃及其制备方法和光伏组件，具体涉及太阳能电池技术领域。该镀膜光伏玻璃，包括：光伏玻璃原片；设置在光伏玻璃原片表面的镀膜层；设置在镀膜层表面的保护层；镀膜层的材质包括CTO，保护层的材质包括二氧化硅。CTO镀膜层具备...
    2026-01-27
  • 太阳能电池串及光伏组件
    太阳能电池串及光伏组件_通威太阳能(合肥)有限公司_202511299754.6
    本申请涉及一种太阳能电池串及光伏组件。该太阳能电池串包括：电池片，电池片上的表面具有沿第一方向延伸的主栅线与沿第二方向延伸的副栅线；导电部件，沿第一方向延伸，并连接于主栅线；以及限位件，包括第一限位部与第二限位部，第一限位部与第二限位部沿第...
    2026-01-27
  • 一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法
    一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法_重庆邮电大学_202511517487.5
    本发明涉及一种基于氧化镓全透明垂直结构的光电探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；铟锡氧化物透明导电层作为底部电极，设置于所述蓝宝石衬底上表面；通氧非晶氧化镓层，设置于所述铟锡氧化物透明导电层上表面，与所述铟锡氧化物透明导电层形成肖特基接触...
    2026-01-27
  • 一种碳化硅基的自驱动窄带紫外探测器及其制备方法
    一种碳化硅基的自驱动窄带紫外探测器及其制备方法_南京邮电大学_202511533497.8
    本发明公开了一种碳化硅基自驱动窄带紫外探测器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。该探测器包括从下至上依次垂直堆叠的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC外延层、Al22O33薄介质层、SnO22薄膜层；具体制备过程为：先在N型4H‑SiC...
    2026-01-27
  • 适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统
    适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统_厦门大学_202511255084.8
    本发明公开了一种适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统，包括：硅基底；氧化层，设置于硅基底上方的左右两端；源极和漏极，通过离子注入形成于所述硅基底中；栅极绝缘层，覆盖于所述源极和漏极之间的沟道区的上方；氮化硅敏感膜层，设置于所述...
    2026-01-27
  • 图像传感器以及NPPD的设计版图
    图像传感器以及NPPD的设计版图_豪威科技(上海)有限公司_202511513553.1
    本发明提供一种图像传感器以及图像传感器中的NPPD的设计版图。图像传感器包括：像素阵列，像素阵列包括按列和行布置的单位像素块。单位像素块包括：浮动扩散部和共享浮动扩散部的若干单位像素。单位像素包括NPPD，NPPD和浮动扩散部之间设置有垂直...
    2026-01-27
  • 成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装
    成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装_杭州萤石软件有限公司_202410924493.1
    本申请提供一种成像芯片封装的制备方法、设备、计算机可读存储介质及成像芯片封装，属于成像芯片封装技术领域。该方法应用于成像芯片封装的制备设备的处理器，所述成像芯片封装包括成像芯片和玻璃板，所述成像芯片和所述玻璃板层叠设置。所述制备方法包括：获...
    2026-01-27
  • 具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置
    具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置_豪威科技股份有限公司_202510274204.2
    本公开涉及一种具有鳍式电容器的堆叠式半导体装置。本公开描述一种包括安置在半导体衬底之中或之上的多个鳍式电容器的堆叠式半导体装置。所述多个鳍式电容器被布置为形成鳍式电容器阵列。所述多个鳍式电容器中所包含的鳍式电容器包括第一电极、第二电极及绝缘...
    2026-01-27
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510655419.9
    本发明提供一种图像传感器，该图像传感器可以包括半导体衬底和像素隔离结构，半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，像素隔离结构垂直地穿透半导体衬底并限定多个像素区。像素隔离结构可以包括与半导体衬底接触的侧壁绝缘图案、在侧壁绝缘图案上的导电...
    2026-01-27
  • 电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件
    电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510905750.1
    本申请涉及一种电池片的焊接方法、太阳能电池串和光伏组件。上述电池片的背面包括交替间隔设置的主栅电极和呈叉指状分布的细栅电极，细栅电极和与其极性相同的主栅电极相交，相交处记为金属接触点，细栅电极和与其极性相反的主栅电极之间设有绝缘胶；上述焊接...
    2026-01-27
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510940154.7
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法，包括如下步骤：提供一制绒后的硅衬底，硅衬底的表面具有氧化层；使用酸液对硅衬底进行刻蚀，去除部分氧化层，控制剩余氧化层的厚度为0.5nm~2nm，以剩余的氧化层作为防外延层；以包...
    2026-01-27
  • 一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法
    一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法_江苏光启灵犀装备有限公司_202510940841.9
    本发明公开一种基于光刻工艺制备背接触太阳电池的方法，属于电池技术领域。制备方法包括步骤：S1、对n型单晶硅衬底进行双面抛光；S2、LPCVD及硼扩散处理；S3、链式光刻去除BSG；S4、碱刻蚀；S5、LPCVD及磷扩散处理；S6、链式光刻去...
    2026-01-27
  • 钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法
    钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510971357.2
    本申请提供了一种钝化膜层的制备方法、太阳电池的制备方法，钝化膜层的制备方法包括以下步骤：通过等离子体增强化学气相沉积法在硅片的表面上制备第一掺杂硅层，通过等离子体增强化学气相沉积法在第一掺杂硅层背离硅片的表面上制备第二掺杂硅层；其中，制备第...
    2026-01-27
  • 太阳电池及其制备方法和光伏组件
    太阳电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510976194.7
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本申请提供的太阳电池的制备方法通过分步对中部区域和边缘区域进行激光诱导接触处理，以使电极前驱体烧穿钝化层并形成与掺杂硅层接触的金属电极，在进行激光诱导接触处理的同时向所处理的...
    2026-01-27
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511052860.4
    本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述制备方法包括以下步骤：提供待镀电池片，所述待镀电池片包括电池片主体、种子层以及栅线，所述种子层设置在所述电池片主体上，所述栅线设置在所述种子层上；对所述待镀电池片的表面施加电场，在所述电场的作用下，通...
    2026-01-27
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