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最新专利技术
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965155.2
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-09
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965704.6
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管、第二晶体管和写入控制开关，在每个存储器单元中，第一晶体管的栅极端子连接到第二晶体管的第...
    2026-02-09
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410973619.4
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-09
  • 一种双晶体管动态随机存储器
    一种双晶体管动态随机存储器_上海交通大学_202410955417.7
    本公开提供一种双晶体管动态随机存储器，包括：写晶体管、读晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线；其中，写晶体管包括源极、栅极和漏极，读晶体管包括源极、栅极和漏极；写晶体管的栅极与写字线连接，写晶体管的漏极与写位线连接，读晶体管的漏极与读字线...
    2026-02-09
  • 超低压SRAM架构
    超低压SRAM架构_意法半导体国际公司_202510978890.1
    本公开涉及超低压静态随机存取存储器(SRAM)架构。本文中公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，该SRAM电路被设计为在存储器阵列电源电压(VDDMA)显著超过外围电路电源电压(VDDMP)的情况下可靠操作。公开了预充电电路和预充电...
    2026-02-09
  • 存储器
    存储器_无锡华润上华科技有限公司_202410973286.5
    本发明涉及一种存储器，每个存储单元包括：第一NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接控制栅端口；第二NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接TNU端口；第一PMOS管，包括第一有源区、第二有源区及栅极，第一有源区连接位线端口，第一NMOS管...
    2026-02-09
  • 存储装置及其操作
    存储装置及其操作_长江存储科技有限责任公司_202410976313.4
    在某些方面中，一种存储装置包括：存储单元的阵列；字线，分别耦合到所述存储单元的行；以及外围电路，通过所述字线耦合到所述存储单元的阵列。每个存储单元被设置为2NN个最终级别中的与一段N比特数据对应的一个最终级别，其中，N是大于2的整数。所述外...
    2026-02-09
  • 页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置
    页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置_三星电子株式会社_202510364174.4
    公开了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置。所述页缓冲器电路包括：多个页缓冲器单元；以及多个高速缓存锁存器，通过组合感测节点与所述多个页缓冲器单元连接。所述多个页缓冲器单元中的每个包括与对应的感测节点连接的主锁存器。主锁存器包括与对应...
    2026-02-09
  • 存储器的操作方法和存储器
    存储器的操作方法和存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410961978.8
    本申请公开了一种存储器的操作方法和存储器，方法包括：将多条位线以相邻m条位线配置为一个位线组，多条位线包括n组位线组，n组位线组中的一个选定位线组包括被选存储单元对中的选定存储单元所连接的目标位线，m为大于2的正整数，n为大于1的正整数；选...
    2026-02-09
  • 存储器及读取存储器的存储单元存储的数据的方法
    存储器及读取存储器的存储单元存储的数据的方法_无锡华润上华科技有限公司_202410965418.X
    本发明涉及一种存储器，包括：芯片电源模块；存储器阵列，包括多个存储单元；数据输出端口，用于输出被选中的存储单元存储的数据；感应自锁模块，与芯片电源模块、存储器阵列和数据输出端口连接，用于根据芯片电源模块输出的电源电压控制读取操作时读取通路的...
    2026-02-09
  • 存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法
    存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法_三星电子株式会社_202510769421.9
    本公开的实施例公开了存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法。该存储装置包括：存储控制器，存储控制器被配置为利用与数据线分离的命令/地址线发送命令和地址；以及非易失性存储器件，非易失性存储器件被配置为从与地址相对应的存储区...
    2026-02-09
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511574265.7
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、读参考电流产生模块以及判断模块，通过生成与温度正向变化的目标读参考电流，可以随着流经存储单元的沟道电流同向变化，避免减小目标读参考电流与沟道电流之间的差距，从而能够根据沟道电流与目标读...
    2026-02-09
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511575387.8
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、电压产生模块以及读电压产生模块，通过生成与温度反向变化的读参考电压，根据读参考电压生成施加于存储单元的读电压，由于存储单元的阈值电压与温度反向变化，可以使得读参考电压与存储单元的阈值电...
    2026-02-09
  • Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路
    Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路_南京优存科技有限公司_202511935755.5
    本公开提供了一种Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路，Nor Flash读操作模块的电源电路包括第一电荷泵单元、第二电荷泵单元和读操作电压产生单元；第一电荷泵单元用于输出第一电压至读操作电压产生单元，第二电荷泵单元用于输出第二电压...
    2026-02-09
  • 半导体装置和半导体装置的操作方法
    半导体装置和半导体装置的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510027660.7
    本公开提供一种半导体装置和半导体装置的操作方法。半导体装置包括第一调节器、逻辑电路和第一传输电路。第一调节器产生第一内部电压。逻辑电路使用第一内部电压来操作，并确定操作模式。第一传输电路在第一操作模式期间，使用第一内部电压将第一操作模式的退...
    2026-02-09
  • 用于启用全逆序编程子块模式的从位线侧的孔穴预充电
    用于启用全逆序编程子块模式的从位线侧的孔穴预充电_桑迪士克科技股份有限公司_202510540795.3
    本文公开了一种存储器装置。该存储器装置包括存储器单元，该存储器单元各自连接至多根字线中的一根字线并且被配置为保持与多个数据状态中的一个数据状态相对应的阈值电压。该存储器单元设置在限定沟道的存储器孔穴中。控制装置被配置为：在该存储器孔穴中的该...
    2026-02-09
  • 用于编程或擦除分裂栅极存储器单元的降低功耗、存储器单元和制造方法
    用于编程或擦除分裂栅极存储器单元的降低功耗、存储器单元和制造方法_意法半导体国际公司_202510972436.5
    本公开的各实施例涉及用于编程或擦除分裂栅极存储器单元的降低功耗、存储器单元和制造方法。一种非易失性存储器器件包括存储器单元，该存储器单元具有被掩埋在半导体衬底中的分裂栅极状态晶体管和竖直型选择晶体管。该存储器器件包括被设计成在通过热载流子对...
    2026-02-09
  • 数据离线保持时间的计算方法及装置
    数据离线保持时间的计算方法及装置_苏州元脑智能科技有限公司_202511935204.9
    本申请公开了一种数据离线保持时间的计算方法及装置，涉及数据离线时间计算技术领域，包括：通过解码固态硬盘中的低密度校验码所得到的返回信息，及闪存的阈值电压分布特性，对三级存储单元块的单个物理页执行扫描，以估算固态硬盘的离线时间，从而更新固态硬...
    2026-02-09
  • eFuse存储单元及存储阵列
    eFuse存储单元及存储阵列_上海华力集成电路制造有限公司_202410979550.6
    本发明公开了一种eFuse存储单元，其包括第一选择管、第二选择管及熔丝；第一选择管的栅端作为BL端口，漏端作为Q端口，源端接第二选择管的漏端作为SA端口；第二选择管的栅端为WL端口，源端接熔丝一端；熔丝的另一端作为gnd端口。本发明还公开了...
    2026-02-09
  • 锁定RAID存储器装置
    锁定RAID存储器装置_美光科技公司_202510979186.8
    本公开涉及锁定RAID存储器装置。描述用于利用没有SEC奇偶校验位的DDR5DRAM裸片，同时仍提供芯片终结保护及RAS性能的方法、存储器装置及系统。所述所公开装置利用基于锁定RAID LRAID的解决方案，所述解决方案省略裸片上SEC位，...
    2026-02-09
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