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最新专利技术
  • 低摩擦固/脂润滑体系及其制备、使用方法和应用
    低摩擦固/脂润滑体系及其制备、使用方法和应用_中国科学院兰州化学物理研究所_202511443563.2
    本发明涉及低摩擦固/脂润滑体系及其制备、使用方法和应用。该固/脂润滑体系由高熵氮化物涂层与润滑脂组成，所述高熵氮化物涂层沉积于轴承钢基体上，包括Cr过渡层和CrAlVTiNbN高熵氮化物涂层。所述高熵氮化物涂层采用高功率脉冲磁控溅射技术制备...
    2026-03-08
  • 铌酸锂微纳结构表面稀土掺杂二维材料的原位集成方法
    铌酸锂微纳结构表面稀土掺杂二维材料的原位集成方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511942268.1
    本发明涉及集成光子学与二维材料器件制造技术领域，尤其涉及一种铌酸锂微纳结构表面稀土掺杂二维材料的原位集成方法。包括：对铌酸锂微纳结构基底进行预处理；采用高真空磁控溅射沉积亚纳米金属层，亚纳米金属层厚度小于1nm；在200~250℃惰性气氛下...
    2026-03-08
  • 基板沉积设备和使用该基板沉积设备的基板沉积方法
    基板沉积设备和使用该基板沉积设备的基板沉积方法_三星显示有限公司_202510988092.7
    公开基板沉积设备和使用该基板沉积设备的基板沉积方法。该基板沉积方法包括：将基板放置在基板沉积设备中；以及在所述基板沉积设备中对所述基板执行沉积工艺。所述基板沉积设备包括：工艺室，具有工艺空间；台，在所述工艺室中并且被配置以支撑所述基板；以及...
    2026-03-08
  • 一种光学镀膜装置用镜片夹持机构
    一种光学镀膜装置用镜片夹持机构_上海现代先进超精密制造中心有限公司_202511325330.2
    本发明公开了一种光学镀膜装置用镜片夹持机构。一种光学镀膜装置用镜片夹持机构，包括光学镜片固定在镜座上，光学镜片与镜座组成镜组，镜组通过周向排布的柔性件与行星盘上表面连接；柔性件呈一圆柱体，圆柱体上开设有至少两个从上至下排布的力缓冲槽，相邻的...
    2026-03-08
  • 一种适用于中央有孔的镜片的光学镀膜装置
    一种适用于中央有孔的镜片的光学镀膜装置_上海现代先进超精密制造中心有限公司_202511325331.7
    本发明公开了一种适用于中央有孔的镜片的光学镀膜装置。其包括用于支撑镜片的支撑机构，支撑机构包括锥形块、中心杆以及柔性组件；锥形块的外壁的锥度与镜片的中央的内孔的锥度相匹配，锥形块上开设有至少三个周向排布且用于安装柔性组件的安装孔位；柔性组件...
    2026-03-08
  • 离子束沉积设备和合金薄膜沉积方法
    离子束沉积设备和合金薄膜沉积方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410971224.0
    本申请公开了一种离子束沉积设备及合金薄膜沉积方法，涉及合金制备技术领域，首先根据预沉积的合金薄膜的厚度、合金薄膜中各合金元素的比例和各合金元素的沉积速率，计算得到各合金元素的溅射时间，继而，控制第一离子源产生第一离子束，并控制第一载台旋转，...
    2026-03-08
  • 旋转阴极的电磁铁组件
    旋转阴极的电磁铁组件_爱发科股份有限公司_202510777845.X
    根据一实施例的电磁铁组件，其用于旋转阴极，并可旋转地分别连接至端块和端盖，包括：轴；主体连接器，其布置在所述轴；电磁铁，其与所述轴平行布置；以及电磁铁连接器，其布置在所述电磁铁上，并可拆装地布置在所述主体连接器，所述电磁铁，包括：电磁铁壳体...
    2026-03-08
  • 旋转阴极
    旋转阴极_爱发科股份有限公司_202510778476.6
    根据一实施例的旋转阴极用于溅射装置，是可旋转地分别连接到端块和端盖的旋转阴极，包括；轴，其可以旋转轴为中心旋转；头部连接器，其布置在所述轴的前端部；主体连接器，其布置在所述轴的侧面；电缆，其布置在所述轴的内部，并连接所述头部连接器与主体连接...
    2026-03-08
  • 一种不易形变的靶材背板安装结构
    一种不易形变的靶材背板安装结构_湖北海创科技有限公司_202511492356.6
    本发明属于显示屏生产领域，具体涉及一种不易形变的靶材背板安装结构，包括：一个面用于安装靶材且另一个面用于固定的长条状背板，背板固定面的两个长边侧设有若干阶梯状的豁口，背板设有若干个且依次间隔排列；与背板垂直设置的长条状支撑板，背板固定面的两...
    2026-03-08
  • 一种复合掩膜版及其制备方法
    一种复合掩膜版及其制备方法_重庆翰博显示科技研发中心有限公司_202410962935.1
    本发明涉及光掩膜基版技术领域，具体涉及一种复合掩膜版及其制备方法，包括以下步骤：选择低膨胀系数高分子膜材，并采用等离子进行清洗；在该高分子膜材表面设定的位置上开出带锥角的类圆锥台孔洞；对开出带锥角的类圆锥台孔洞的高分子膜材进行清洗；按照设计...
    2026-03-08
  • 磁控装置及半导体工艺设备
    磁控装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410978371.0
    本申请公开一种磁控装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。磁控装置包括背板和多个磁组，多个磁组相配合以形成用于约束等离子体的运动方向的水平磁场，各磁组均包括电磁模块和永磁体，电磁模块和永磁体均设置于背板，电磁模块包括电磁线圈，电磁线圈环绕...
    2026-03-08
  • 一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法
    一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法_山东大学_202511378566.2
    本发明涉及一种基于增厚与退火复合工艺抑制离子束诱导铬/钽酸锂界面起泡的方法。包括步骤：(1)将切割好的钽酸锂薄膜进行清洗；(2)通过磁控溅射法在钽酸锂薄膜上沉积铬掩膜，得到镀膜钽酸锂；(3)对镀膜钽酸锂进行退火处理；(4)使用聚焦离子束在退...
    2026-03-08
  • 一种沉积设备
    一种沉积设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511468057.9
    本申请公开了一种沉积设备，包括外壳、磁控装置、电源、导电连接件和馈入件。磁控装置包括驱动件、磁控件和联轴器，驱动件安装在外壳上，驱动件设有输出轴，磁控件设有输入轴，输出轴通过联轴器与输入轴连接，并且输出轴和输入轴同轴。电源安装在外壳上，电源...
    2026-03-08
  • 一种类金刚石涂层及其制备方法
    一种类金刚石涂层及其制备方法_东莞市普拉提纳米科技有限公司_202511518100.8
    本发明涉及一种类金刚石涂层及其制备方法，属于涂层技术领域。本发明所述制备在闭合场非平衡磁控溅射系统中进行，该系统至少配备一个钛靶、一个石墨靶以及一个线性离子源；所述制备方法包概括为，先对基材进行前处理并去除表面水分后，转移至真空室中，进行离...
    2026-03-08
  • 一种辅助成膜装置及成膜系统
    一种辅助成膜装置及成膜系统_光驰科技(上海)有限公司_202511827080.2
    本发明实施例提供一种辅助成膜装置及成膜系统，辅助成膜装置包括真空腔体和辅助成膜结构；真空腔体的表面包括第一面、第二面和侧面；辅助成膜结构包括：第一等离子体源组件位于侧面上；第一等离子体源组件包括第一电极构件和第一连接部，所述第一电极构件包括...
    2026-03-08
  • 一种可调磁控溅射环装置
    一种可调磁控溅射环装置_长沙元戎科技有限责任公司_202511923268.7
    本发明涉及磁控溅射技术领域，具体地说，涉及一种可调磁控溅射环装置。其包括基座和基座顶部密封安装的密封罩，所述基座与密封罩内腔之间形成真空环境，其特征在于：所述基座顶部设置有磁体腔，所述磁体腔内部形成有中心磁区和延伸磁区。本发明通过液压推杆驱...
    2026-03-08
  • 一种动态磁场调控系统及调控方法
    一种动态磁场调控系统及调控方法_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511512350.0
    本发明涉及一种动态磁场调控系统及调控方法。该系统 : 信号采集模块，其被配置为采集磁控溅射镀膜过程中的工艺信号；信号分析与决策模块，其被配置为对所述工艺信号进行特征提取与分析，并根据分析结果选择磁场运动模式后发出对应模式指令；轨迹规划与执行...
    2026-03-08
  • 多腔室连续镀膜设备
    多腔室连续镀膜设备_光驰科技(上海)有限公司_202511828802.6
    本发明涉及真空镀膜技术领域，公开了一种多腔室连续镀膜设备，包括多个功能腔室和基片挂载单元，阻断机构用于控制相邻两个功能腔室之间的通断，保证基片挂载单元在不同功能腔室能独立进行各个工艺步骤与传输；每个功能腔室对应有用于搬送基片挂载单元的搬送单...
    2026-03-08
  • 金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备
    金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511926855.1
    一种金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备，方法包括：处理件具有暴露的活性表面和惰性表面，且活性表面和惰性表面之间具有沉积选择比；将处理件置于反应腔室内，进行多次沉积处理步骤，沉积处理步骤包括：载气携带不含氧元素的卤化钼前驱体进入反应腔室，与活...
    2026-03-08
  • 一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法
    一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法_季华实验室_202511956879.1
    本申请涉及半导体领域，主要涉及一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法。一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；制备Ga‑B合金；将所述Ga‑B合金覆盖于经过预处理的衬底；经排气、通气、控温，实现...
    2026-03-08
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