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最新专利技术
  • 一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法
    一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法_长沙理工大学_202511608286.6
    本发明公开了一种基于电子传输层改性的钙钛矿太阳能电池的制备方法。该电池自下而上依次包含ITO导电基底、掺杂共轭有机酸钾盐改性的二氧化锡电子传输层、钙钛矿光吸收层及碳电极。制备时，先配制改性二氧化锡前驱体溶液并旋涂退火形成电子传输层，再在空气...
    2026-04-26
  • 一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用
    一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用_安徽量芯光电科技有限公司_202511365214.3
    本发明属于光电探测器制造技术领域，公开了一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用。所述量子点薄膜的制备方法包括：于基底上沉积绝缘层，于绝缘层表面形成具有孔洞阵列结构的光刻胶层，得到刻蚀孔，于刻蚀孔中依次沉积金属层和空穴传输层，然后去除孔洞阵列结...
    2026-04-26
  • 钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用
    钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用_中核光电科技(上海)有限公司_202511902571.9
    本发明是关于一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用。所述钙钛矿太阳能电池为n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池；所述钙钛矿薄膜通过两步旋涂法制得；其中，在第二次旋涂过程中加入结晶调控剂；所述结晶调控剂的原料包括：1, 4‑丁二胺、4‑氨基...
    2026-04-26
  • 一种光辅助化学掺杂有机半导体材料方法与应用
    一种光辅助化学掺杂有机半导体材料方法与应用_中国科学院化学研究所_202410942399.9
    本发明涉及一种光辅助化学掺杂有机半导体材料的方法与应用，属于有机半导体掺杂技术领域，解决了现有的掺杂剂氧化性不足，无法对高性能有机半导体进行高效掺杂，并且掺杂稳定性低，对器件的长期稳定性产生不利影响的问题，并且能够实现亚微米级的有机半导体图...
    2026-04-26
  • 加工设备
    加工设备_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511491857.2
    本申请提供一种加工设备，加工设备包括：机身，开设有上料口及下料口，上料口及下料口在第一方向上间隔设置；反应装置，包括腔体、预热机构和第一加热机构，腔体设置在机身上，且位于上料口及下料口之间，腔体内设置预热腔及处理腔，预热腔位于处理腔朝向上料...
    2026-04-26
  • 一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺
    一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺_苏州晟成光伏设备有限公司_202511906787.2
    本发明公开了一种钙钛矿组件层压前生产设备及其生产工艺，钙钛矿组件层压前生产设备包括输送装置、第一上料单元、若干个粘贴装置、第一胶膜铺设装置、第二上料单元、第二胶膜铺设装置、合片装置以及下料装置；钙钛矿组件层压前生产工艺包括钙钛矿玻璃上料、粘...
    2026-04-26
  • 一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法
    一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法_上海工程技术大学_202511296968.8
    本发明属于有机场效应晶体管技术领域，具体涉及一种基于有机双量子阱结构的高迁移率场效应晶体管及其制备方法。该高迁移率场效应晶体管包括栅极、绝缘层、有机半导体层、源极、漏极，绝缘层位于栅极与有机半导体层之间，绝缘层与有机半导体层之间设置OTS修...
    2026-04-26
  • 一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法
    一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法_上海工程技术大学_202511296970.5
    本发明属于有机量子电子器件领域，具体涉及一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法。所述有机量子阱为由依次设置的C6‑DPA层、TIPS‑PEN层与C6‑DPA层构成的I型量子阱。由该有机量子阱制备的二极管首次实现室温ND...
    2026-04-26
  • 一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺
    一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺_信阳市谷麦光电子科技有限公司_202511609312.7
    本发明提出了一种量子点发光材料和稀土荧光粉混合制备宽色域WLED工艺，属于WLED技术领域。将CsPbBr33量子点与[(CxxH2x+12x+1)N]22MnX44混合反应，制得复合量子点，与UiO‑66‑OH反应，制得复合量子点@MOF...
    2026-04-26
  • ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi2Te3热电材料及器件的制备方法
    ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi2Te3热电材料及器件的制备方法_四川大学_202511513431.2
    本发明涉及一种ZnSb合金化与Se掺杂调控p型Bi22Te33热电材料及器件的制备方法。将Bi、Sb、Te、Se、ZnSb原料抽真空封管后，进行高温熔炼、自然冷却、高能球磨与快速热压烧结，制备得到块体材料。该材料结晶度高、致密性好且显微结构...
    2026-04-26
  • 一种Cu3SbSe3合金化的p型Bi2Te3基热电材料及器件的制备方法
    一种Cu3SbSe3合金化的p型Bi2Te3基热电材料及器件的制备方法_四川大学_202511515227.4
    本发明涉及一种Cu33SbSe33合金化的p型Bi22Te33基热电材料及其器件的制备方法。按设定摩尔比称取Bi、Sb、Te原料，加入Cu33SbSe粉末，混合后经真空封装、高温熔融和缓冷制得合金锭；然后进行高能球磨获得粒径均匀的粉末，经快...
    2026-04-26
  • 基于热电转化的核电气衣冷却装置
    基于热电转化的核电气衣冷却装置_江苏核电有限公司_202511388794.8
    本申请属于核电气衣冷却装置技术领域，旨在解决现有装置普遍存在响应速度慢、控温不够精准、体积大以及压缩机噪声大的问题，公开了一种基于热电转化的核电气衣冷却装置，包括外壳，外壳内设置有热端风道、热电制冷器、冷端风道、温控器和电源模块，热端风道和...
    2026-04-26
  • 一种热电器件的制作方法
    一种热电器件的制作方法_浙江大学_202511891931.X
    本发明公开了一种热电器件的制作方法，涉及热电器件技术领域，制作方法包括：提供基板，基板具有相对设置的第一面和第二面，基板上形成多个通孔组，通孔组包括N型电极通孔和P型电极通孔，P型电极通孔和N型电极通孔均贯穿基板；在多个通孔组位于第一面上的...
    2026-04-26
  • 基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法
    基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法_华中科技大学_202511423338.2
    本发明提出一种基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法，当受到高频大载荷激励时，弹性波在压电半导体介质中传播，会引发强烈的非线性电声耦合效应，在波阵面前方生成类孤子电学结构：在单个周期内，多数载流子于波前局部累积后形成低电阻区域，该...
    2026-04-26
  • 一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构
    一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构_浙江驰拓科技有限公司_202410944171.3
    本发明公开了一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构，应用于缺陷检测领域，包括：提供一个未经刻蚀的待测MTJ膜，在待测MTJ膜的上表面制备第一连通层；待测MTJ膜为未额外连接MTJ膜的独立结构；第一连通层中设置有暴露出待测MTJ膜的连...
    2026-04-26
  • 磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM
    磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM_浙江驰拓科技有限公司_202410953176.2
    本发明提供一种磁性隧道结及其参考层和SOT‑MRAM，其中磁性隧道结参考层包括：铁磁结构层；铁磁结构层包括至少一个堆叠层单元，堆叠层单元包括第一增强层、基础参考层和第二增强层中的至少两种；第一增强层中含有铁元素，第二增强层中含有钴元素，所述...
    2026-04-26
  • 一种轨道矩磁性存储器及其制备方法
    一种轨道矩磁性存储器及其制备方法_天津工业大学_202511893337.4
    本发明提供了一种轨道矩磁性存储器及其制备方法，所述轨道矩磁性存储器包括从下至上依次设置的衬底、轨道霍尔层、自由层、势垒层、定扎层，轨道霍尔层包括上下设置的金属层和FeMn层，自由层包括上下设置的第一Co22Fe66B22层和Fe33GaTe...
    2026-04-26
  • 一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用
    一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用_西北工业大学_202511927219.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用，异质结包括在晶面取向为(001)的SrTiO33基片表面外延生长的SrIrO33单晶薄膜，及外延生长于SrIrO33单晶薄膜表面的SmNiO33单晶...
    2026-04-26
  • 三维磁场监控器件及其制造方法
    三维磁场监控器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511405238.7
    本发明提供一种三维磁场监控器件及其制造方法。该器件包括：设置在半导体衬底内的水平霍尔器件、至少一个垂直霍尔器件以及用于将二者隔离的隔离结构。其中，水平霍尔器件的有源区为具有第一导电类型的第一掺杂区，垂直霍尔器件的有源区为具有相同导电类型的第...
    2026-04-26
  • 电阻式存储单元及其制作方法
    电阻式存储单元及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411055374.3
    本发明涉及电阻式存储单元，包含基底；下电极层，设置于该基底上；切换层，设置于该下电极层上，以及上电极层，设定于该切换层上，其中，该切换层包含局部掺杂区。该局部掺杂区的组成不同于该局部掺杂区外的该切换层的组成。
    2026-04-26
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