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最新专利技术
  • 存储器装置的制造方法
    存储器装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202511729537.6
    存储器装置的制造方法包括：形成过量填充位元线结构之间的第一沟槽的着陆垫材料层；在着陆垫材料层上方形成遮罩层；对遮罩层执行平坦化工艺，其中遮罩层包括第一凸块；通过对遮罩层执行图案化工艺来形成图案化遮罩层；通过图案化遮罩层蚀刻着陆垫材料层以在各...
    2026-04-29
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510208767.1
    实施方式的半导体存储装置具备：第1芯片，包含具有第1区域及第2区域的衬底；及第2芯片，在Z方向上与第1芯片相接，经由设置在与第1芯片的边界区域的多个连接垫与第1芯片电连接；第2芯片包含：存储胞阵列，设置在第1区域，具有源极线、在比源极线更下...
    2026-04-29
  • 一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法
    一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416282.8
    本申请公开了一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上沉积第一刻蚀膜层；在第一刻蚀膜层中定义出第一沟槽图形；基于第一刻蚀膜层，进行多次刻蚀工艺，以在衬底中形成十字交叉的第一沟槽；对第一沟槽进行氧化物填充工艺，得到十...
    2026-04-29
  • 存储器沟道结构
    存储器沟道结构_美光科技公司_202510974346.X
    本文中描述的实施例涉及各种存储器沟道结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施例中，半导体装置包含层堆叠及穿透到所述层堆叠中的支柱结构，所述层堆叠包含与导电层交替的电介质层。所述支柱结构包含半导电层、电介质填充物；及位于所述半导电层与所述电介...
    2026-04-29
  • BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法
    BE-SONOS嵌入式存储器结构及工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511415100.5
    本发明公开了一种BE‑SONOS嵌入式存储器结构，所述的BE‑SONOS嵌入式存储器包含选择栅、控制栅以及浮栅；所述的控制栅位于浮栅之上，所述的浮栅与控制栅之间以绝缘介质层隔离；所述的控制栅以及浮栅为多组，所述的选择栅为沟槽型，位于相邻的控...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410955646.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一阶梯结构、第二阶梯结构以及连接结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧。半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间。...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410956444.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一栅线隔离结构以及第二栅线隔离结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧，半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间，第...
    2026-04-29
  • 一种可三维堆叠的非易失存储器集成方法
    一种可三维堆叠的非易失存储器集成方法_北京大学_202511497030.2
    本发明一种可三维堆叠的非易失存储器集成方法，制备的存储器由多个单元自下而上堆叠组成，每个单元包括选择管和非易失存储介质，选择管的源和漏均由其沟道层提供，选择管的栅端由栅金属和栅介质组成，选择管的源端同时作为非易失存储介质的底电极，选择管的漏...
    2026-04-29
  • 1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法
    1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767460.1
    本发明公开了一种1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法，包括：步骤一、在半导体衬底上依次形成ONO结构的第一栅介质层和第一多晶硅层。步骤二、对第一多晶硅层和第一栅介质层进行第一次图形化刻蚀以形成各存储单元的控制栅的第一侧面。步骤三、在各...
    2026-04-29
  • 包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统
    包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统_美光科技公司_202510955298.X
    本申请案涉及包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统。一种微电子装置包含：堆叠结构，其具有相对于彼此竖直堆叠的层级；及支柱结构，其分别包含竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述层级的半导体材料。所述堆叠结构的所述层级分别包含：绝...
    2026-04-29
  • 一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法
    一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法_临沂大学_202511419865.6
    本发明公开了一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法，涉及高密度磁存储器领域，包括基板，所述基板呈平坦的板状结构，所述基板采用硅、二氧化硅或蓝宝石中的至少一种材料构成，所述基板的上表面经过化学机械抛光或原子级平整处理，以提供具有低于0...
    2026-04-29
  • 基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法
    基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法_西南大学_202511506519.1
    本发明涉及先进材料、集成电路与微电子器件技术领域，提出了基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法，所提出的器件包括自下而上依次堆叠的衬底、第一栅电极、第一二维范德华交变磁性材料层、第二栅电极、第一二维范德华铁磁材料层、二维范德华...
    2026-04-29
  • 非易失性存储结构及其制备方法
    非易失性存储结构及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511841104.X
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种非易失性存储结构及其制备方法，包括：基底；位于基底上的第一导电层，包括至少一个第一导电结构和第一介质层；层叠于第一导电层上的第一电极层，包括至少一个覆盖第一导电结构的第一电极结构，第一电极结构横跨第一导...
    2026-04-29
  • 一种多层自选通存储器及其制备方法
    一种多层自选通存储器及其制备方法_华中科技大学_202511711755.7
    本发明公开了一种多层自选通存储器及其制备方法，属于微电子器件领域，器件从下至上依次包括：第一电极层、绝缘层、第一功能层、第二功能层和第二电极层；绝缘层上具有通孔；第一功能层的厚度大于等于第二功能层的厚度，并且，第一功能层的存储窗口大于第二功...
    2026-04-29
  • 阻变存储装置及其制造方法
    阻变存储装置及其制造方法_清华大学_202511902243.9
    本公开实施例提供一种阻变存储装置及其制造方法，包括：衬底；晶体管，设置于所述衬底的主表面上，且包括栅极、第一极和第二极；以及存储结构，在与所述衬底的所述主表面相交的第一方向上位于所述晶体管的一侧，且包括多个存储元件，所述多个存储元件在平行于...
    2026-04-29
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510215045.9
    实施方式的半导体存储装置具备：第1芯片；及第2芯片，与第1芯片相接，且经由第1连接垫而与第1芯片电连接；第2芯片包含：存储单元阵列，设置于第1区域，且具有源极线、多个字线、及存储柱；第1接点，设置于第2区域，沿Z方向延伸，且与第1连接垫电连...
    2026-04-29
  • 半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件
    半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件_LX半导体科技有限公司_202510980252.3
    本公开涉及半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件。根据实施方式的半导体器件的电阻器结构可以包括：半导体基板，其包括器件半导体层和电阻器半导体层；第一器件隔离区和第二器件隔离区，其分别设置在器件半导体层和电阻器半导体层上；以及电阻...
    2026-04-29
  • 一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法
    一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法_中南大学_202511922970.1
    本发明公开了一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该忆容器件具有nn异质结构，包括依次生长在衬底表面上的底电极层、宽禁带n型半导体层、n型金属氧化物半导体层和若干顶电极层。本发明构建的nn异质结构减少了对材料电...
    2026-04-29
  • 一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法
    一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法_北京晨晶电子有限公司_202511373251.9
    本发明提供一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法，电容阵列通过多个电容单元并联、串联或串并混合连接实现目标电容值；电容单元采用热熔连接结构连接，每个电容单元对应独立的热熔连接结构；热熔连接结构设置于各电容单元的电极互联路径上，热熔...
    2026-04-29
  • PIP电容的制作方法
    PIP电容的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511405257.X
    本申请公开了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有耦合氧化物层，耦合氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层的上方形成有第二多晶硅层，衬底的第一区域中形成有字线多晶硅，第一区域形成有第一氧化物层和第二氧化物层；对第一区域...
    2026-04-29
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