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最新专利技术
  • 一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法
    一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511548329.6
    本发明公开了一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法，针对已生长完毕且被判定为电压高不合格的外延片，通过一个精准设计的“升温‑保护性退火‑补偿层再生长”的工艺组合，针对性地补偿空穴效率或降低接触电阻，从而将废品修复为合格品。本发明无需改动现有主...
    2026-01-24
  • 用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统
    用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511549613.5
    本发明公开了一种用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统，涉及芯片分选技术领域，所述方法包括：对目标晶圆中的晶粒进行分选处理，以将所述晶粒分选至目标蓝膜上；识别所述目标蓝膜中的固晶空洞；对所述固晶空洞进行标记以获取所述固晶空洞的空洞信...
    2026-01-24
  • 一种LED芯片及其制作方法、生长衬底
    一种LED芯片及其制作方法、生长衬底_厦门乾照光电股份有限公司_202511392019.X
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法、生长衬底，LED芯片包括衬底、外延叠层、第一电极和第二电极；衬底的一侧设有若干图形，图形包括凸起或凹槽；外延叠层，外延叠层生长于衬底设有图形的一侧，并在凸起的顶部或凹槽的底部形成高位错愈合区；外延叠层包...
    2026-01-24
  • 一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法
    一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511422235.4
    本发明公开了一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法，从下至上依次包括衬底与空穴传输层、底电极、有源层、电子传输层、顶电极；所述衬底与空穴传输层为重掺杂P型金刚石薄膜，所述底电极和顶电极均为Ti/Au复合电极；所述有源层为Cs22NaI...
    2026-01-24
  • 改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法
    改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511265847.7
    本公开提供了一种改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型层、有源层和p型层；所述n型层包括n型DBR层，所述n型DBR层包括交替层叠的多个GaAs层和多个GaAsP层。本公开实施例能改善...
    2026-01-24
  • 一种发光二极管外延结构和发光二极管
    一种发光二极管外延结构和发光二极管_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511482363.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管外延结构和发光二极管。发光二极管外延结构包括均掺杂有Al元素的第一P型半导体层、第二P型半导体层、第三P型半导体层和第四P型半导体层。其中各个Al元素含量a、b、c、c’和d满足以下...
    2026-01-24
  • 一种MicroLED结构、制作方法及显示面板
    一种MicroLED结构、制作方法及显示面板_盐城鸿石智能科技有限公司_202511376396.4
    本发明涉及显示芯片技术领域，公开了一种MicroLED结构、制作方法及显示面板，发光台面，发光台面包含N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层、钝化层，N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层从上到下依次排布，钝化层环绕发光台面分布并部分与...
    2026-01-24
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511522041.1
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括发光区台面以及围绕发光区台面设置的隔离台面，发光区台面的外边缘与隔离台面的内边缘之间的最小距离为第一间距；隔离台面的内边缘具有第一弧状拐角，发光区台面的外边缘具有第二弧状拐角，第一弧状拐角...
    2026-01-24
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511851221.4
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体叠层和钝化层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面和上下两端分别连接第二台面和第一台面...
    2026-01-24
  • 一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法
    一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法_北京大学_202511814438.8
    本发明公开了一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。本发明的复合p型接触结构包括超薄插入层和薄接触层；采用厚度减薄且组分增加的p型的薄接触层，极大削弱了对紫外光的吸收，降低器件发光在p型一侧...
    2026-01-24
  • 带有光提取结构的LED及其制备方法
    带有光提取结构的LED及其制备方法_香港中文大学(深圳)_202511325101.0
    本发明提供一种带有光提取结构的LED及其制备方法，通过优化芯片结构设计和制备工艺，在降低成本的同时显著提升光提取效率。所述LED包括：光辐射单元，所述光辐射单元设置在透明衬底表面；所述光辐射单元具有梯形的剖面结构，且所述光辐射单元的侧面和顶...
    2026-01-24
  • 一种EMC-LED封装器件及封装方法
    一种EMC-LED封装器件及封装方法_深圳市立洋光电子股份有限公司_202511458162.4
    本发明提供了一种EMC‑LED封装器件及封装方法，涉及LED技术领域。本发明提供一种EMC‑LED封装器件，包括具有封装腔室的EMC支架，所述EMC支架位于所述封装腔室内、与所述EMC支架电性连接的LED倒装芯片，所述EMC支架位于所述封装...
    2026-01-24
  • 一种圆片级LED封装结构及方法
    一种圆片级LED封装结构及方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511482164.7
    本发明属于半导体封装技术领域，尤其是一种圆片级LED封装结构及方法，针对活动安装时，透镜难以避免的会在活动时与安装部位结构发生摩擦，使得透镜磨损，导致LED封装长时间使用后透镜出现偏移，现提出以下方案，包括：固定基板，固定基板上设置有安装外...
    2026-01-24
  • 半导体发光器件及照明装置
    半导体发光器件及照明装置_深圳循光科技有限公司_202511853387.X
    本发明涉及发光二极管技术领域，公开一种半导体发光器件及照明装置，半导体发光器件包括发光结构、聚光透镜和光截止件，发光结构包括基座和发光芯片，所述基座上开设有安装槽，所述发光芯片设置在所述安装槽内；所述聚光透镜设于所述发光结构上，且对应所述发...
    2026-01-24
  • 一种发光二极管封装体及发光装置
    一种发光二极管封装体及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202410865095.7
    本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置，本发明中位于发光单元上方的布线层包括位于第一绝缘层下方的第一布线层和位于第一绝缘层上方的第二布线层，其中第一布线层连接每一个发光单元的第一电极；所述第二布线层包括多个间隔分布的子层，各子层分别与所述...
    2026-01-24
  • 改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法
    改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511265872.5
    本公开提供了一种改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、绝缘层和焊盘，所述绝缘层位于所述外延层的表面上，所述绝缘层的表面具有露出所述外延层的连接过孔，所述焊盘位于所述绝缘层的表面，且通过...
    2026-01-24
  • 一种MINILED背光源组装装置
    一种MINILED背光源组装装置_江苏达芯半导体有限公司_202511283243.5
    本发明公开了一种MINILED背光源组装装置，超声换能器阵列构成设备基座，其上方是声学反射盖板，两者之间形成工作腔。TFT承载台从侧面进入该工作腔，并可垂直移动。芯片供料台位于工作腔外侧。视觉和传感系统从上、下两个方向对准工作腔中心。本发明...
    2026-01-24
  • 用于SMD微腔的保护结构及其制备方法
    用于SMD微腔的保护结构及其制备方法_深圳市太龙视觉科技有限公司_202511339034.8
    本发明公开了用于SMD微腔的保护结构及其制备方法，涉及LED封装领域，所述填充方法包括以下步骤：制备同为第一折射率的改性聚合物与改性氮化硼纳米管；将改性聚合物、改性氮化硼纳米管、二氧化硅纳米球与引发剂按比例混合得到胶体；将SMD模组呈倾斜状...
    2026-01-24
  • 一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺
    一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺_苏州芯聚半导体有限公司_202511444586.5
    本发明涉及半导体显示技术领域，公开了一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺，包括提供带有玻璃通孔并已转移Micro LED阵列的基板；在基板表面涂覆一种双阶梯光敏催化金属有机物分解墨水；通过掩模版对玻璃通孔区域进行紫外光曝光；对基板进...
    2026-01-24
  • 一种Micro-LED微显示芯片及其制备方法
    一种Micro-LED微显示芯片及其制备方法_南昌大学_202511455705.7
    本发明通过设置绝缘停刻层和保护层，在刻蚀外延层和金属层同时可有效防止刻蚀工艺中产生金属副产物附着于像素台面侧壁导致芯片漏电，提高Micro‑LED微显示芯片的可靠性和生产良率。本发明的制备方法包括以下步骤：在LED外延晶圆上制备绝缘停刻层和...
    2026-01-24
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