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最新专利技术
  • 一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路
    一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路_重庆芯联微电子有限公司_202511253257.2
    本发明提供一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路，在传统的射频MOS的栅极上集成光敏层以形成光敏栅极，当近红外光信号照射至光敏栅极时，其产生的电子‑空穴对能够改变栅极电压，进而调制沟道电流，且短沟道区的设计有助于提升器件的截止频...
    2026-01-24
  • D2W三层图像传感器封装及其制备方法
    D2W三层图像传感器封装及其制备方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511276136.X
    本发明提供一种D2W三层图像传感器封装及其制备方法。采用D2W形式集成可见光和短波红外光电芯片的图像传感器封装结构，上层是像素感知层，同时集成CMOS工艺可见光像素陈列芯片和铟镓砷工艺短波红外像素陈列芯片；中层是CMOS工艺逻辑处理或存储芯...
    2026-01-24
  • 一种图像传感器及其设计方法
    一种图像传感器及其设计方法_格科微电子(上海)有限公司_202511476536.5
    本发明公开了一种图像传感器及其设计方法，通过调整浮置扩散区下方的光电二极管电势分布，使所述第二区域任意深度处的几何中心位置电势不高于其周围的电势，从而提升光电转换区的性能。具体的通过掺杂工艺，使得光电二极管具有第一区域与第二区域，且二者之间...
    2026-01-24
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511852581.6
    本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底以及位于衬底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、目标隔离叠层；衬底内包括经由第一表面向衬底内延伸，且沿第一方向间隔排布的多个沟槽隔离结构；沟槽隔...
    2026-01-24
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511883302.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底、格栅结构及滤光单元，其中，基底包括多个间隔设置且呈阵列排布的像素单元；格栅结构位于所述基底上方，所述格栅结构包括多个格栅开口以及环绕所述格栅开口的格栅框架，所述格栅框架内设置有全反射部，且所...
    2026-01-24
  • CMOS影像传感器及其制造方法
    CMOS影像传感器及其制造方法_原相科技股份有限公司_202411589011.8
    本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。该CMOS影像传感器包括：形成在硅基板中的光电二极管；以及形成在硅基板上的多层介电层，其中该多层介电层包括多个介电层依照顺序堆叠在一起，且该多层介电层实质上覆盖光电二极管的整个表面积；其中，任...
    2026-01-24
  • 图像感测装置及其制造方法
    图像感测装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202411608638.3
    本申请涉及图像感测装置及其制造方法。公开了图像感测装置和制造图像感测装置的方法。在实施方式中，一种图像感测装置包括：电路区域，其包括像素区域和设置在像素区域周围的非像素区域；光电二极管，其设置在电路区域中；沟槽部分，其从光电二极管的顶部朝着...
    2026-01-24
  • 图像传感器和图像传感器的制造方法
    图像传感器和图像传感器的制造方法_三星电子株式会社_202510851957.5
    提供了图像传感器和图像传感器的制造方法。所述图像传感器包括：逻辑芯片，包括被构造为处理信号的逻辑电路；以及像素芯片，被构造为生成所述信号。像素芯片包括：雪崩光电二极管；电极垫；有源柱，具有连接到雪崩光电二极管的阴极的第一端和连接到电极垫的第...
    2026-01-24
  • 具有薄膜晶体管的图像传感器
    具有薄膜晶体管的图像传感器_豪威科技股份有限公司_202510930518.3
    本公开涉及具有薄膜晶体管的图像传感器。所述图像传感器包括半导体层、转移门、层间电介质层及上部电介质层。所述半导体层具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧。所述半导体层包含光电二极管掺杂区域。所述半导体层上的所述转移门将所述光电二极管区域耦合到...
    2026-01-24
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511854097.7
    本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除...
    2026-01-24
  • 一种光电共封结构及制作方法
    一种光电共封结构及制作方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202410901275.6
    本发明属于芯片封装技术领域，包括一种光电共封结构及制作方法，将电芯片和光芯片直接互连接触，然后光芯片通过凸点焊球直接与封装基板互连接触，无需使用硅转接板，降低了转接板带来的封装难度，并且光芯片‑电芯片‑封装基板直接互连获得更小的互连损耗；另...
    2026-01-24
  • 一种对照式光耦
    一种对照式光耦_佛山市国星光电股份有限公司_202511421339.3
    本发明提供一种对照式光耦，属于芯片封装技术领域，该对照式光耦包括：发射端和接收端，发射端与接收端对装；发射端，包括第一发射基岛和第二发射基岛；第一发射基岛上固定第一发射芯片，第一发射芯片电极处的键合线与第二发射基岛的焊接区电连接；所述第二发...
    2026-01-24
  • 光学生理检测探针芯片及其制备和使用方法
    光学生理检测探针芯片及其制备和使用方法_中国科学院半导体研究所_202511388266.2
    本发明提供了一种光学生理检测探针芯片，可应用于光电芯片技术领域。该芯片包括：衬底；发光单元，设置于衬底上；光探测单元，设置于衬底上，且光探测单元与发光单元在衬底上间隔分布；光学介质层，覆盖于光探测单元远离衬底的一侧表面和侧面；第一电极，设置...
    2026-01-24
  • 一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法
    一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202410861688.6
    本发明涉及一种TOPCon电池的热处理方法及制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。所述的热处理方法是将TOPCon电池半成品置于不高于830℃的炉中进行降温退火处理，其中TOPCon电池半成品包括硅片、位于硅片正面的发射极层、位于硅片背面的...
    2026-01-24
  • 太阳能电池的制备方法
    太阳能电池的制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410885295.9
    一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基体正面的栅线区域进行激光开槽；在硅基体背面的栅线区域进行激光开槽；采用碱液清洗，去除开槽内的损伤层；在正面的开槽内形成正面电极；在背面的开槽内形成背面电极。本发明在激光开槽后，通过碱液清洗，去除...
    2026-01-24
  • 一种TOPCon电池及其制备方法和应用
    一种TOPCon电池及其制备方法和应用_天津中环光伏科技有限公司_202511203628.6
    本发明涉及光伏电池技术领域，具体为一种TOPCon电池及其制备方法和应用，制备方法包括步骤：将N型硅片进行制绒；将制绒的硅片进行硼扩，形成PN结和硼硅玻璃层；将硅片正面非金属化区域的硼硅玻璃层进行激光改性，得到激光开膜区域；将背面的硼硅玻璃...
    2026-01-24
  • 复合钝化层及其制备方法和应用
    复合钝化层及其制备方法和应用_横店集团东磁股份有限公司_202511226072.2
    本发明涉及一种复合钝化层及其制备方法和应用，所述制备方法包括多个外循环，每个外循环均包括依次进行的第一次沉积和第二次沉积，其中，所述第一次沉积包括至少内循环一次的铝源沉积，所述第二次沉积包括至少内循环一次的钛源沉积。本发明所述的制备方法可以...
    2026-01-24
  • 一种基于ReS2/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用
    一种基于ReS2/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用_江南大学_202511226176.3
    本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种基于ReS22/Si异质结的光电双向位置探测器及其制备方法和应用。制备方法如下：使用光刻和电感耦合等离子体(ICP)系统干法刻蚀技术在50nm SiO22/Si衬底表面构筑3mm×3mm×350nm的正...
    2026-01-24
  • 制串设备及制串方法
    制串设备及制串方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511316237.5
    本发明公开了一种制串设备及制串方法，制串设备包括叠片模块和叠串模块；叠片模块用于搬运多个电池片并使相邻电池片交叠形成叠片组；叠串模块用于将多个叠片组交叠排布成对应一个电池串的电池组；叠片模块包括搬运组件，搬运组件用于搬运电池片，搬运组件包括...
    2026-01-24
  • 一种太阳能电池片的多分片的制备方法
    一种太阳能电池片的多分片的制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511328421.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种太阳能电池片的多分片的制备方法，包括：在太阳能电池片半成品正面形成多个激光凹槽，激光凹槽贯穿PN结，并深入硅基底内部；形成第一钝化层，第一钝化层还覆盖激光凹槽的内壁；形成电极并进行金属化退火烧结工艺，形成...
    2026-01-24
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