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最新专利技术
  • 半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜
    半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511842163.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410891093.5
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；叠层鳍部结构，所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部；栅极结构，凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁；金属栅极结构，位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部，所述金属栅极结构覆...
    2026-01-25
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海光通信有限公司_202410855180.5
    一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层；在无氧环境中，对所述功函数层表面进行等离子体轰击后在所述功函数层上形成栅导电层。本发明可以提升半导体器件的阈值电压的稳定性...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511239598.4
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，S1：提供一具有高压区、中压区以及低压区的半导体衬底，在衬底上形成第一栅氧化层，覆盖衬底表面；S2：通过干法刻蚀去除中压区表面的部分第一栅氧化层，再通过湿法刻蚀去除中压区表面剩余第一栅氧化层；S3：在第...
    2026-01-25
  • 介电层的纳米图案化方法
    介电层的纳米图案化方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511529820.4
    本发明提供了一种介电层的纳米图案化方法，在导电针尖和覆盖有介电层的半导体衬底之间施加交流电信号，导电针尖以非接触方式在介电层的上方按照预定图案扫描，利用针尖和衬底之间形成的局域场效应，使得介电层产生缺陷，形成易于被腐蚀液腐蚀的改性区域，进而...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834300.4
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；衬底包括第一区域和第二区域。于第一区域内的衬底顶面形成第一栅介质层，并于第二区域内的衬底顶面形成第二栅介质层；第一栅介质层在第二方向上的尺寸大于第二栅介质层在第二方向...
    2026-01-25
  • 半导体器件的制造方法和半导体器件
    半导体器件的制造方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861264.0
    本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在晶圆的正面形成栅极结构；在晶圆和栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层；执行湿法蚀刻工艺对自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层；执行干法蚀...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865878.5
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括；逆变芯片，其包括在第一方向上相对设置的第一高侧逆变芯片和第二高侧逆变芯片；第一跳线区，第一跳线区在第一方向上位于第一高侧逆变芯片和第二高侧逆变芯片之间，所述第一边沿连线、所述第二边沿连接、所述第三...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865896.3
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：第一方向和第二方向；基板，其具有沿第一方向依次间隔排布的第二基板部和第三基板部；第二基板部设置有第一低侧逆变芯片上芯区，其上包括接线部和上芯部，接线部和上芯部沿第一方向排布且上芯部位于接线部朝向第...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865914.8
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片，每个逆变芯片均为单个芯片；第一低侧逆变芯片上芯区包括彼此相连的接线部和上芯部；第一低侧逆变芯片上的控制电极焊盘在第一低侧逆变芯片上沿第二方向更加邻近低侧的一侧，第一低侧逆...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865926.0
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片，每个逆变芯片均为单个芯片；其中，第一高侧逆变芯片在第一高侧逆变芯片上芯区上沿第二方向更加邻近高侧的部分设置，第二高侧逆变芯片在第一高侧逆变芯片上芯区在第二方向上的中部设置...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865955.7
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片；第二低侧逆变芯片上芯区包括第五上芯部和第七接线部，第三低侧逆变芯片上芯区包括第六上芯部和第八接线部，第二高侧逆变芯片上芯区包括第七上芯部和第九接线部；第二低侧逆变芯片位于...
    2026-01-25
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865967.X
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：基板；第三高侧逆变芯片；第二高侧逆变芯片上芯区，其包括第三上芯部和第三接线部，第三高侧逆变芯片设置于第三上芯部，第三高侧逆变芯片第一方向上位于第二基板部的中部；第三低侧逆变芯片上芯区，其包括第二上...
    2026-01-25
  • 拆装式半导体分立器件
    拆装式半导体分立器件_无锡瑞鸿兴半导体设备有限公司_202511375068.2
    拆装式半导体分立器件，包括半导体分立器本体，所述半导体分立器本体的下部安装有导电片，所述导电片的下端固定连接有空心导电插脚。所述空心导电插脚的下端固定连接有引导头，所述引导头与空心导电插脚为一体结构。使空心导电插脚更具柔性，将空心导电插脚插...
    2026-01-25
  • 一种封装结构及具有其的惯性器件
    一种封装结构及具有其的惯性器件_苏州芯时纪微电子有限公司_202511586840.5
    本申请公开了一种封装结构及具有其的惯性器件，涉及半导体技术领域。该封装结构包括第一芯片和至少一第二芯片，第一芯片和第二芯片通过金属布线层实现信号连接，第一芯片和金属布线层通过第一导通件连接，第二芯片和金属布线层通过第二导通件连接，金属布线层...
    2026-01-25
  • 一种封装结构、封装方法及电子器件
    一种封装结构、封装方法及电子器件_苏州芯时纪微电子有限公司_202511586881.4
    本发明公开一种封装结构、封装方法及电子器件，涉及半导体制造技术领域，包括传感芯片、处理芯片、重布线层及应力缓冲层。利用应力缓冲层的材料特性吸收外部应力，减少应力向芯片的直接传递。同时，利用处理芯片对应力敏感性低的特性，将其置于传感芯片与重布...
    2026-01-25
  • 一种沟槽型碳化硅场效应管器件
    一种沟槽型碳化硅场效应管器件_安建科技(深圳)有限公司_202511420855.4
    一种沟槽型碳化硅场效应管器件，本发明涉及基于碳化硅材料的功率器件，本发明通过在半导体上表面的设置一个以上的周期性排列的不同结构的沟槽对结构，所述的沟槽对结构包括有间隔区和一对对称设置于间隔区两侧的第一类沟槽，所述的第一类沟槽上部设有单边栅极...
    2026-01-25
  • 集成反向恢复二极管的GaN功率器件及制造方法
    集成反向恢复二极管的GaN功率器件及制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428125.9
    本申请提供了一种集成反向恢复二极管的GaN功率器件，包括：外延结构、第一漏极、欧姆栅极、第一源极、第二源极、肖特基栅极以及第二漏极；所述欧姆栅极和所述第一源极并联形成反向恢复二极管的阳极，所述第一漏极形成反向恢复二极管的阴极，所述第二源极、...
    2026-01-25
  • 一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管
    一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管_电子科技大学_202511867094.7
    本发明属于脉冲功率半导体技术，提供一种具有阳极短路结构的漂移阶跃恢复二极管，其元胞自上而下包括阳极结构、耐压层结构与阴极结构，阳极结构为包括二极管阳极部分、NPN晶体管部分以及隔离与绝缘部分的混合阳极结构；二极管阳极部分、NPN晶体管部分和...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510434214.8
    一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：在设置于基板上方的牺牲栅极结构周围形成栅极间隔层；对包括栅极间隔层的第一材料层执行处理操作，此些处理操作用以使得第一材料层在金属栅极替换操作期间更能抵抗锗(Ge)扩散；形成与第一材料层相邻的第二材料...
    2026-01-25
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