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  • 本申请涉及用于峰值功率管理的交错执行。存储器裸片包含存储器阵列及控制逻辑,所述控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合以执行包含在第一时间启动对多个存储器裸片中的第一存储器裸片的第一存储器存取操作的第一子操作的操作,其中所述第一子操作包含具有第...
  • 本公开涉及一种延时电路和芯片,涉及芯片技术领域,该延时电路包括:电流源,用于接收电流控制信号,根据电流控制信号产生供电电流,供电电流的大小跟随电流控制信号的信号值而单调变化;粗调缓冲器,其信号输入端用于接收待延时信号,其电源接入端耦接于电流...
  • 一种记忆体系统、稳压器电路及其操作方法。稳压器电路包含全域电压产生器电路,该全域电压产生器电路具有用以接收参考电压的参考输入端及用以输出复制参考电压的栅极信号的输出端。多个驱动器电路各自具有连接至全域产生器电路的输出端的输入端。驱动器电路中...
  • 本申请提供了一种存储器、芯片和电子设备。该存储器,包括至少一个存储器裸片;每个存储器裸片包括至少一个存储库;该每个存储库包括多个阵列集;每个阵列集包括第一阵列;该第一阵列包括由堆叠设置的K个MAT和第一外围电路。MAT包括存储单元、字线和位...
  • 本公开使受到行锤的影响的存储单元的数据有效率地恢复,而不会因高频率的刷新而使写入及读出速度降低。存储单元阵列(10)包括多个子阵列(11)。多个子阵列(11)分别与多个感测放大器电路(14)中的两个连接。在列选择线(16)的方向上彼此相邻的...
  • 本公开涉及一种内存刷新方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品,所述方法包括:根据目标内存对应的内存刷新间隔,生成目标内存对应的内存刷新请求;在内存刷新请求积压数量大于第一阈值的情况下,选择一个内存刷新请求确定为目标内存刷新请求,内存...
  • 本发明涉及集成电路领域,特别是一种基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器及其对应的抗辐照存储芯片。该非易失性锁存器包括抗辐照锁存电路、读写电路和备份恢复电路,其中,抗辐照锁存电路包括多组互为冗余且经过加固的存储节点;其中至少包括一组采...
  • 本公开提供了一种用于对随机访问存储器(RAM)进行读写的电路和存储电路,该电路包括:移位寄存器,用于在对RAM写入数据的时候对输入的写入地址和写入数据进行移位操作;至少一个比较器,用于确定第一信号和第二信号是否相同,以及将确定的结果输出至数...
  • 本申请涉及钙钛矿薄膜技术领域,尤其涉及一种调控钙钛矿薄膜性能的方法、光刻方法和相关装置。本申请实施例的可逆调控钙钛矿薄膜光电性能的方法,包括以下操作:提供钙钛矿薄膜;对所述钙钛矿薄膜交替进行直写操作和擦除操作,以便可逆调控所述钙钛矿薄膜的光...
  • 公开了集成电路存储器装置、电阻式存储器装置和操作其的方法。所述电阻式存储器装置包括:电阻式存储器单元的阵列、行解码器和列解码器、控制电路以及写入/读取电路,写入/读取电路结合到列解码器和控制电路。第一电阻式存储器单元包括:可变电阻器元件,具...
  • 本发明属于类脑计算与存算一体芯片技术领域,并具体公开了一种忆阻器差分双子阵列结构、卷积加速系统及应用,其包括两个不直接电连接的并行子阵列,两个子阵列包括相同数量的忆阻器,且两个子阵列中的忆阻器两两成对构成差分单元,每个差分单元以差分形式存储...
  • 本发明涉及存储电路领域,特别是一种可切换的低压读写辅助电路及其对应的SRAM电路和存储芯片。电路包括可切换字线驱动单元、写升压单元和读降压单元。其中,可切换字线驱动单元由反相器INV1、PMOS管P1、P2和NMOS管N1构成。INV1、P...
  • 提供了一种包括管芯上端接电路的非易失性存储器件,包括:输入/输出(I/O)引脚,被配置为将数据发送到存储器控制器或者从存储器控制器接收数据;以及多个存储器管芯,连接到I/O引脚,多个存储器管芯包括目标管芯、第一非目标管芯和第二非目标管芯,其...
  • 本发明公开了一种基于flash特性的高效读取重试方法、装置、介质及设备,所述方法包括:确定数据读取操作的目标数据所在的目标层级;根据所述目标数据所在的目标层级,从RRT增量表中查找到所述目标层级对应的第一电压调整序列;基于所述第一电压调整序...
  • 一种确定存储器的读电压的方法、装置、介质和设备,所述方法包括:使用多个扫描电压对每个存储单元读取第一目标位,获得所述多个存储单元的与各个扫描电压对应的第一目标位的读数;对于每两个相邻的第一扫描电压和第二扫描电压,统计第一存储单元的第一数目和...
  • 本申请实施例提供了一种冗余替换方法及装置,通过外部数字控制模块向内部数字控制模块发送指令以读取主阵列的特殊存放区的数据;在内部数字控制模块中对数据进行校验判断,并发送校验判断结果至外部数据控制模块;如果校验判断结果显示主阵列中存在坏区,通过...
  • 检测方法及检测系统。检测方法用以扫描三维存储器芯片。三维存储器芯片包括互相堆叠的多个存储器芯片。检测方法包括:将各存储器芯片划分为多个存储器区块;针对各存储器区块中进行检测,以由各存储器区块中沿着第一方向延伸的多个第一信号线中检测出总失效第...
  • 本发明公开了一种适用于多存储器测试系统的延迟器及延迟控制方法,涉及存储器测试技术领域,包括第一延迟寄存器和第二延迟寄存器;其中,第一延迟寄存器与多存储器测试系统中电子引脚的数据驱动器连接,用于根据第一延迟逻辑,调节数据驱动器对测试向量中若干...
  • 本发明公开了一种存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质,其中,存储装置的测试方法包括:获取到测试对象,并确定测试对象的测试用例;基于测试用例对测试对象进行测试,得到测试结果。通过上述方法,本发明能够实现对测试对象的高效测试。
  • 本申请公开了一种数字眼图测试方法、装置、设备及存储介质,涉及测试技术领域,公开了数字眼图测试方法,包括:通过捕获IC实时捕获待测试内存颗粒对应总线的总线数据,获得多个通道的数据信号;基于数据信号生成数字眼图,并获取数字眼图对应的眼宽以及眼高...
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