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晶圆的制备方法
本申请公开了一种晶圆的制备方法,包括在刻蚀工艺腔中对晶圆进行刻蚀,向刻蚀工艺腔输送预设流体,将晶圆从刻蚀工艺腔中输出。本申请的技术方案通过在对晶圆进行刻蚀工艺之后,向刻蚀工艺腔输送预设流体,从而可以抑制刻蚀工艺的残留气体对晶圆表面的污染,同...
硅片的清洗方法和硅片
本申请公开了硅片的清洗方法和硅片,硅片的清洗方法包括:采用混合清洗液对待清洗的硅片进行清洗,所述混合清洗液包括氟化氢、臭氧和水。本申请的清洗方法有效降低了硅片表面的金属杂质浓度,有效提升了去除金属杂质的制程能力。另外,该方法仅采用HF+O3...
用于金银合金凸块制程去除各向异性导电胶的蚀刻方法
本发明公开了一种用于金银合金凸块制程去除各向异性导电胶的蚀刻方法,属于倒装芯片封装技术领域,使用质量浓度不低于80%的硫酸或磺酸作为蚀刻液,在设定温度和时间下对带有各向异性导电胶的金银合金凸块进行蚀刻处理。该方法能有效去除各向异性导电胶,同...
一种晶圆承载装置
本发明涉及半导体存储设备技术领域,本发明提供了一种晶圆承载装置,旨在解决晶圆盒在存储单元内敞口放置时,内部晶圆易受扰动位偏且缺乏实时检测手段的问题。该装置包括承载架、升降架、滑动块、转动臂及视觉检测模块;承载架上设若干竖向排列的承载平台,各...
一种可转弯的RGV自动搬运设备
本发明涉及搬运设备技术领域,具体为一种可转弯的RGV自动搬运设备。包括轨座,轨座上分别安装有环轨和充电环座,还包括晶圆托架和沿环轨行走的车体,车体的底部安装有充电环座配合的无线电能接收模块,车体的四角均安装有防撞模块,车体的前后两侧均安装有...
一种晶圆的气浮定位装置
本发明公开了一种晶圆的气浮定位装置,包括:盘体,盘体设置有多个在其表面形成孔口的气孔,其中一部分气孔设置为由其孔口喷出气体的正压孔,另一部分气孔设置为由其孔口吸入气体的负压孔,使得盘体表面形成用于悬浮晶圆的气膜。本发明的有益效果在于,能够有...
一种晶圆承载装置、清洗机及清洗干燥方法
本发明提供一种晶圆承载装置、清洗机及清洗干燥方法,晶圆承载装置包括底座、承载部和气道,承载部设于底座,具有多个且沿第一方向间隔设置;承载部具有多个沿第二方向间隔设置的齿槽,用于容纳并支撑晶圆的边缘部位;气道设于底座,具有多个沿第二方向间隔设...
一种真空辅助晶圆贴片固定装置以及贴片设备
本发明涉及一种真空辅助晶圆贴片固定装置以及贴片设备,其中,真空辅助晶圆贴片固定装置包括柔性接触构件及支撑底座,其中,柔性接触构件具有接触平面及多个气孔,接触平面用于与晶圆接触,气孔的第一端在接触平面形成开口,支撑底座用于固定柔性接触构件,支...
晶圆手指的浮动吸附装置、晶圆手指及晶圆处理设备
本发明申请涉及晶圆手指的浮动吸附装置、晶圆手指及晶圆处理设备,属于半导体制造及微纳加工技术领域,晶圆手指的浮动吸附装置包括:基座上开设有容置槽,基座还设置有与容置槽连通的气路;硬质吸附件设置于容置槽内,硬质吸附件具有用于吸附晶圆的吸附面,且...
一种光伏组件剥离强度的测试方法
本发明公开了一种光伏组件剥离强度的测试方法,包括:提供测试样本,包括背板、第一EVA胶膜、第二EVA胶膜和玻璃;在背板、第一EVA胶膜和第二EVA胶膜的同一位置划开一个开口,使测试样本具有两个测试区域;提供两块隔离布,用一块隔离布将一个测试...
一种基于机器学习的显影处理后效果检测及异常判定方法
本发明提供一种基于机器学习的显影处理后效果检测及异常判定方法,涉及半导体制造领域。首先构建合格样本特征体系α以及工艺参数数据库β;采用机器学习算法,以工艺参数数据库β中的关键工艺参数为输入,以合格样本特征体系α中的几何特征A1以及缺陷特征A...
半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质
本发明涉及半导体制造工艺控制技术领域,提供一种半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质。该方法通过自动化流程实现:获取工艺改进前的基准组数据集和工艺改进后的测试数据集,其中基准组数据集的获取包括接收新条件分组信息和工艺必经站点信息,拉取...
一种基于导电介质层电流注入的LED芯片检测方法及系统
本发明公开了一种基于导电介质层电流注入的LED芯片检测方法及系统,属于半导体制造及光电检测技术领域,该方法通过在电极板和基板之间设置液态、固态或胶体导电介质层,待检测的LED芯片阵列的电极与导电介质层接触,利用导电介质层电阻分压特性,在LE...
可降低金属氧化率的去胶descum工艺
本发明提出了一种可降低金属氧化率的去胶descum工艺,包括以下步骤:根据工艺腔的类型,配置去胶descum工艺:当工艺腔配置有射频电源Source RF时,去胶descum工艺包括:进行化学刻蚀;化学刻蚀完成后,向刻蚀腔内通入氮气等离子体...
基于分区控温的RTP退火炉晶圆均匀性校准方法
本发明公开了基于分区控温的RTP退火炉晶圆均匀性校准方法,涉及半导体制造技术领域,包括以下步骤:S1,在晶圆的中心区域、边缘区域和过渡区域布设多个温度采集单元,构建多通道温度反馈体系,用于获取各加热区域的实时温度分布信息;S2,基于温度反馈...
半导体器件制造方法
本申请公开了一种半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括:提供半导体主体,半导体主体包括衬底,位于衬底上的外延层和位于衬底与外延层之间的埋层,衬底和外延层具有第一掺杂类型,埋层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;形成第一沟槽结构,第一...
去除干法刻蚀含氟残留物的方法
本申请提供了一种去除干法刻蚀含氟残留物的方法,与现有技术相比,本申请去除干法刻蚀含氟残留物的方法,通过采用纯水润湿所述晶圆或者采用含有自由基增强试剂的水润湿所述晶圆,以在晶圆表面生成液体薄膜层,对润湿后的晶圆上照射紫外激光,在紫外激光照射在...
半导体装置
本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一实施方式,半导体装置具备:第1衬底;第1绝缘膜,设置在所述第1衬底上;以及第1插塞,设置在所述第1绝缘膜内。所述装置还具备:第1层,设置在所述第1绝缘膜上;以及第1金属层,在所述第1层内设置在所述第...
提高铜互连电迁移性能的方法
本发明公开了一种提高铜互连电迁移性能的方法,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:在形成暴露出下层铜互连结构的通孔和沟槽结构后,对衬底进行刻蚀后处理,其中,采用包含还原性气体的处理气体,以去除刻蚀残留物并修复下层铜互连结构的受损表面。该方法通...
芯片封装结构及芯片封装方法
本申请提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法,芯片封装结构包括:载板,具有相对的第一表面和第二表面,载板开设有容纳槽,容纳槽自第一表面朝向第二表面凹陷;芯片,设置于容纳槽内,芯片具有相对的功能面和芯片背面,芯片包括设置于功能面的芯片导电结构,...
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