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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411068156.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一堆叠结构、第一位线和第二位线。第一堆叠结构包括多个沟道结构以及层叠设置的第一叠层结构、第一共极层和第二叠层结构，其中，第一共极层叠置于第...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411118277.4
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括第一叠层结构和沟道结构，第一叠层结构包括第一栅极层和第一选择栅，第一栅极层沿第一方向位于第一选择栅的一侧，沟道结构沿第一方向贯穿第一叠层结构；其...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制造方法、存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410796968.3
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：堆叠结构、选择栅切线结构以及接触结构。堆叠结构包括交替叠置的介电层和栅极层。栅极层包括第一栅极层和位于第一栅极层一侧的第二栅极层。选择栅切线结构沿堆叠结构的堆叠方向...
    2026-01-03
  • 包括隔离晶体管的存储器装置
    包括隔离晶体管的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510027436.8
    本发明提供一种存储器装置，该存储器装置可以包括：有源区，设置在基板上；第一单位单元和第二单位单元，设置在有源区中；以及隔离晶体管，在第一单位单元和第二单位单元之间设置在有源区中，隔离晶体管保持关断状态。
    2026-01-03
  • 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202510226798.X
    本公开提供了一种具有改进的电气特性和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括：单元衬底，包括单元阵列区域和延伸区域；模制结构，包括多个模制绝缘层和多个栅电极，其中多个模制绝缘层和多个栅电极在单元衬底上沿第一方向彼此交替地堆叠；沟道结构，在单元...
    2026-01-03
  • 三维存储器装置及其形成方法
    三维存储器装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511360557.0
    公开了三维(3D)存储器装置及其形成方法。在特定方面，3D存储器装置包括第一半导体组件、第二半导体组件以及在第一半导体组件和第二半导体组件之间的组件间键合层。第一半导体组件包括第一阵列结构和第一外围结构。第一阵列结构包括具有多个交错的堆叠导...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410817457.5
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括叠层结构和接触结构。叠层结构包括沿第一方向堆叠的多个子叠层结构，其中子叠层结构包括沿第一方向堆叠的选择栅层和栅极层。接触结构沿第一方向在多个子叠层结构中延伸，并...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410857709.7
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括叠层结构、阶梯单元结构和接触结构。叠层结构包括沿第一方向堆叠的栅极层；阶梯单元结构位于叠层结构中，并包括围绕设置的多个阶梯台阶；以及接触结构沿第一方向穿过阶梯台...
    2026-01-03
  • 一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法
    一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法_安徽大学_202511704949.4
    本发明公开了一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法。单元包括FeFET晶体管F1、F2和NMOS晶体管M0。F1的源极连接至位线BL，F2的源极连接至位线BLB，栅极与F1的栅极共同连接至字线WL，漏极与F1的漏极共同连接至节点...
    2026-01-03
  • 存储单元、存储器及其形成方法
    存储单元、存储器及其形成方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511252819.1
    一种存储单元、存储器及其形成方法，存储单元包括：电容器结构，包括沿垂直方向延伸的电极柱、多个在垂直方向上堆叠间隔设置且环绕电极柱的电极板、位于电极柱和电极板之间的铁电存储介质层、以及位于铁电存储介质层与电极柱之间的电阻层，电阻层电阻率高于电...
    2026-01-03
  • 存储器及其制造方法、电子设备
    存储器及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410797814.6
    一种存储器及其制造方法、电子设备，所述存储器包括：位于衬底上的存储单元；所述存储单元包括开关单元和一个磁性隧道结；所述磁性隧道结位于所述开关单元的远离所述衬底的一侧，所述磁性隧道结包括自由层，所述自由层包括具有自旋轨道耦合能力和翻转对称性破...
    2026-01-03
  • 存储器装置以及其制作方法
    存储器装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410869969.6
    本发明公开一种存储器装置以及其制作方法，其中存储器装置包括多个磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)结构设置在基底之上、多个上电极设置在基底之上、盖层、第一介电层、牺牲层以及多个接触结构设置在基底之上。...
    2026-01-03
  • 磁阻式随机存取存储器的结构及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器的结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410870161.X
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的结构及其制作方法，其中MRAM的结构包含一第一介电层，第一介电层划分为一存储器区和一逻辑电路区，一MRAM埋入于第一介电层的存储器区，MRAM包含一下电极、一磁性隧穿结和一上电极由下至上依序堆叠，一导电插...
    2026-01-03
  • 具有散热体结构的半导体组装及其制造方法
    具有散热体结构的半导体组装及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411966068.5
    提供一种具有散热体结构的半导体组装及其制造方法，该半导体组装包括：一第一半导体晶圆、一存储器堆叠及一第二半导体晶圆。该存储器堆叠接合到该第一半导体晶圆，并且该第二半导体晶圆接合到该存储器堆叠。该第二半导体晶圆包括一散热体结构，其中该散热体结...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511318538.1
    一种半导体结构，包含基板以及电容器结构。基板包含半导体基板、设置在半导体基板上的介电层，以及设置在介电层内的多个金属接触。电容器结构包含多个垂直电容杯体，分别连接金属接触，其中各垂直电容杯体具有内侧高度以及外侧高度，内侧高度小于外侧高度。一...
    2026-01-03
  • 一种基于3D集成电路的片上隔离电容结构及其制造方法
    一种基于3D集成电路的片上隔离电容结构及其制造方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511320503.1
    本申请涉及电容技术领域，公开了一种基于3D集成电路的片上隔离电容结构及其制造方法，其中，所述片上隔离电容结构，包括：衬底；电容堆叠体，设于所述衬底上，所述电容堆叠体由在垂直于所述衬底方向上交替堆叠的多个电极层和多个电介质层构成；针对任一电介...
    2026-01-03
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518422.2
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括提供基层介电层；形成包括多层堆叠的导电层及间隔介电层的电容主体；堆叠电容具有沿第一方向上排布的第一连接区、导电层叠区及第二连接区；奇数层导电层位于第一连接区及导电层叠区，偶数层导电...
    2026-01-03
  • 一种二极管器件及其制备方法
    一种二极管器件及其制备方法_捷捷半导体有限公司_202511360886.5
    本申请提供一种二极管器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成外延层、调制层和图案化的第一氧化层；通过图案化的第一氧化层，在调制层内形成保护环，并在第一氧化层上形成第二氧化层，第二氧化层覆盖保护环；去除保护环之间的第一氧化...
    2026-01-03
  • 具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法
    具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法_意法半导体国际公司_202510812418.0
    本公开涉及具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法。提供了一种电子设备。一种示例电子设备具有碳化硅的半导体主体，该半导体主体具有前表面、第一导电类型并容纳有源区和沿着第一方向侧向于有源区的边缘区。第一终端掺杂区域至少部分地在边缘区...
    2026-01-03
  • 具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法
    具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法_意法半导体国际公司_202510814040.8
    本公开涉及具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法。提供了一种电子器件。示例电子器件包括具有表面和边缘区的碳化硅的半导体主体。边缘结构在边缘区上方延伸并且由金属层、第一绝缘层和钝化层形成。金属层在半导体主体的表面上延伸；...
    2026-01-03
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