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一种电池制备方法及电池
本申请公开了一种电池制备方法及电池,属于太阳能电池领域,该方法包括:对N型衬底的正面进行硼扩散,在N型衬底的正面形成掺杂层和硼硅玻璃层;其中,掺杂层中包含间隙掺杂的非活性硼;去除N型衬底的正面的硼硅玻璃层;去除硼硅玻璃层后,通过短波激光对N...
一种复合钝化背接触电池制备方法及复合钝化背接触电池
本发明公开了一种复合钝化背接触电池制备方法及复合钝化背接触电池,应用于光伏电池领域,包括提供背侧形成有交错排布的第一钝化区域和第二钝化区域的电池预制硅片,并仅在第一钝化区域形成第一钝化层;在形成第一钝化层的电池预制硅片的背表面制备第二钝化层...
一种用于光伏电池的复合电极的制备方法及系统
公开了一种用于光伏电池的复合电极的制备方法及系统,其中的制备方法包括:将预制浆料施加在电池片上,形成栅线电极;其中,所述栅线电极包括第一导电结构以及分散在所述第一导电结构中的临时占位物料;腐蚀去除所述栅线电极中的临时占位物料,形成具有空位的...
一种太阳能电池及其金属化方法
本发明提供了一种太阳能电池的金属化方法,包括:在待金属化的太阳能电池基体的表面上形成第一掩膜层,该第一掩膜层开设有暴露待金属化区域的开口;形成覆盖所述第一掩膜层以及所述开口的种子层;在所述种子层上电镀形成覆盖其表面的金属层;在所述金属层与所...
一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法,制备方法包括:在玻璃基板一侧表面自下而上依次沉积透明导电层和电池层;形成贯穿透明导电层和电池层的P1激光槽;依次形成贯穿电池层的P2激光槽和接触层,接触层位于电池层表面...
一种混成式探测器芯片的涂胶保护工艺方法
本申请公开了一种混成式探测器芯片的涂胶保护工艺方法,涉及光电探测器及半导体技术,包括:在一片读出电路上集成一个探测器芯片,以铟柱对芯片和电路进行互连,形成一块混成芯片;对任一混成芯片,在相应读出电路的四周进行倒角,以使得在两个模块拼接后、基...
光伏电池及其制备方法
本公开提供一种光伏电池及其制备方法,光伏电池的制备方法包括:在硅片的背面形成第一掺杂层;对第一掺杂层进行第一图案化以形成图案化的第一掺杂层;在第一超声的条件下对硅片进行制绒和清洗。通过在第一超声的条件下对硅片进行制绒和清洗,能够减小在光伏电...
一种光伏组件端部导线折叠装置
本发明公开了一种光伏组件端部导线折叠装置,涉及光伏组件生产技术领域,包括:承接平台、按压机构和折叠机构;折叠机构包括:导向件、升降机构和水平驱动机构,折弯点处的导线和折弯点一侧的电池串端部被放置于承接平台上,折弯点另一侧的导线被放置于导向件...
一种光伏组件的加工设备及光伏组件的加工方法
本申请实施例提供了一种光伏组件的加工设备及光伏组件的加工方法,加工设备包括具有焊接区和光注入区的灯箱以及用于运送待加工对象的传送装置,灯箱具有主体部和光源,主体部包括第一主体部、第二主体部和第一分隔部,第一分隔部用于分隔焊接区和光注入区,第...
一种砷注入剂量可控的碲镉汞红外探测的制备方法
本申请公开了一种砷注入剂量可控的碲镉汞红外探测的制备方法,涉及红外探测器技术,包括:在预处理后的碲镉汞芯片生长牺牲层,所述牺牲层为CdTe膜层,基于所述CdTe膜层调控碲镉汞砷As注入的剂量;对带有牺牲层的所述碲镉汞芯片进行光刻,以及进行A...
一种喷印式电池焊带固定方法及设备
本发明公开了一种喷印式电池焊带固定方法,方法为:将第一胶水喷印于焊带附近;固化第一胶水以形成第一胶层;将第二胶水喷印于焊带附近;固化第二胶水以形成第二胶层;逐次喷印第二胶水并逐层固化以堆高第二胶层,直至焊带与电池片之间的拉脱力满足要求。本发...
一种多分片背接触电池制备方法
本发明涉及一种多分片背接触电池制备方法,包括:硅片;对硅片进行前处理的第一制备工艺,第一制备工艺包括:前处理工艺、第一镀膜工艺;对第一制备工艺完成的硅片进行分片处理的分片工艺,分片工艺包括:镀膜切片、对镀膜切片完成的的硅片清洗的切片清洗工艺...
一种用于激光雷达的倒装APD芯片
本发明公开了一种用于激光雷达的倒装APD芯片及制备方法,涉及半导体技术领域,包括衬底层,依次覆盖在所述衬底层上表面的缓冲层、N型层、倍增层、吸收层、P型接触层;在P型接触层上生长P型电极,通过对P型接触层进行刻蚀,形成有源区即第一个台面,之...
一种电池模组的自动化去边框运转设备
本申请公开一种电池模组的自动化去边框运转设备,涉及光伏板加工技术领域,旨在解决传统人工去边框效率低、易损伤光伏板主体或边框问题。该设备包括取边框装置、传送装置及分料装置:取边框装置通过负压吸盘固定光伏板主体,配合顶板剥离边框,辅以规整机构实...
光伏电池片、光伏组件和光伏系统
本申请涉及光伏技术领域,提供一种光伏电池片、光伏组件和光伏系统,光伏电池片包括:硅片,硅片设置有切割部;切割部包括相对的第一表面和第二表面,第一表面和/或第二表面设置有陷光部。由于切割部的第一表面和/或第二表面上设置有陷光部,在激光对切割部...
一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池
本发明公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。该制备方法可包括:在电池基体的至少一个主表面顺序层叠制备隧穿钝化层和本征多晶硅层;在本征多晶硅层外侧制备掺杂非晶硅层;利用激光照射掺杂非晶硅层的目标区域,以将目标区域中的部分掺杂原子注入本征多...
一种光伏组件加工检测用的装置
本发明公开了一种光伏组件加工检测用的装置,涉及半导体制造技术领域,本发明通过将多个伯努利吸盘安装在框架的底部,借助多个伯努利吸盘中喷出的高速流动的气流,使得该装置可以对半导体薄片进行悬空吸附,配合设置有输送机构和驱动机构,使得该装置在搬运半...
一种TBC电池及其制备方法
本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种TBC电池及其制备方法,采用丝网印刷在硅片背面多晶硅层上印刷蔗糖溶液形成预定图形,蔗糖溶液干燥后碳化形成临时碳膜掩膜。然后在带有碳膜掩膜的硅片表面喷涂一层氧化铝溶胶,该膜在沉积过程中起到自保护作用,并且...
一种提升BC类电池光电转换效率的磷扩散方法
本发明公开了一种提升BC类电池光电转换效率的磷扩散方法,通过改善N型BC类电池LP路线N‑poly后磷扩散工艺,在获得高杂质浓度PSG的同时实现均匀性优良的高方阻(20~150Ω),以此提升BC类电池FF,降低接触电阻Rs,最终更大限度的提...
一种薄膜太阳电池及其吸收层的元素掺杂方法
本发明公开了一种薄膜太阳电池及其吸收层的元素掺杂方法,涉及薄膜太阳电池技术领域,通过将经过活化处理的吸收层浸没在预设掺杂元素的盐溶液中,并同时施加外源性诱导变量,进行预设元素掺杂,在掺杂过程中,可以促进掺杂元素离子向吸收层的晶界及晶格内部扩...
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