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  • 本发明涉及一种集成于芯片顶盖的一体化散热装置,包括由上至下布置的散热顶盖、分流板、散热冷板和核心裸板,其中,核心裸板上安装有芯片内核,散热顶盖上开设有用于冷却工质流入流出的一对工质流动口,工质流动口与散热器接头相连接,散热顶盖朝向分流板的一...
  • 本发明公开一种基于通孔阵列支撑的宏观空腔散热结构及其制备方法,基于通孔阵列支撑的宏观空腔散热结构包括至少两个垂直堆叠的组件,连接所述组件的通孔阵列,通孔阵列同时提供电学连接和机械支撑,形成于通孔阵列上的空腔,其中,空腔是通过将所述通孔阵列内...
  • 本公开提供一种封装结构及其形成方法,所述封装结构包括基板、设置在基板上的晶片,所述晶片具有远离基板的晶背表面、设置在基板上方的散热器,所述散热器具有朝向晶片的表面、设置在晶片与散热器之间的热界面材料、以及设置在热界面材料的至少一侧且与热界面...
  • 本发明涉及半导体散热结构技术领域,具体提供了一种基于金刚石薄膜的半导体表面散热结构,包括散热底板,散热底板与半导体芯片连接,散热底板上设置有金刚石薄膜,金刚石薄膜贴合在半导体表面,可快速吸收芯片产生的热量并传递至散热框架,解决传统金属导热板...
  • 本发明公开了一种芯片散热器,用于与芯片基板连接,所述芯片基板上安装有芯片,包括散热基座、散热翅片和气流组件。散热基座上具有第一散热区和设于第一散热区内部呈环形的第二散热区;散热翅片设于第一散热区,且第一散热区内围绕第二散热区边缘环绕布设有多...
  • 本发明公开了一种堆叠芯片冷却用立体分层双面微通道结构,属于散热领域。本发明从下到上依次设置底层、中间层、顶层,底层包括设置在顶面的进口通道、出口通道,以及底层内部的分流口和汇流口、进口流道和出口流道、蛛网型散热微通道,中间层是与底层流道通过...
  • 本发明公开了一种芯片浸没冷却系统及其制作方法,包括:冷却单元、芯片单元和换热单元,冷却单元包括外壳、冷却槽和冷却介质,芯片单元包括基板和与基板电性连接的第一芯片,基板与外壳密封连接,第一芯片表面设有一层保护层,第一芯片设置于外壳内,保护层直...
  • 本发明公开了一种节能散热型V形波纹微流道及散热器,节能散热型V形波纹微流道包括V形波纹微流道和翅片,V形波纹微流道为截面为V形的波纹形状通道,V形波纹微流道的路径为沿第一预设方向周期性排列的正弦波纹;翅片由两个半翅片组成,两个半翅片沿第二预...
  • 本发明提供一种半导体装置,能够小型化。半导体装置具有:源极区域及漏极区域,其设置于半导体基板的主面;栅极绝缘膜,其在上述源极区域与上述漏极区域之间设置在上述主面上;栅极电极,其设置在上述栅极绝缘膜上;以及漏极配线,其与上述漏极区域电连接,上...
  • 本申请涉及一种半导体结构及半导体器件。一种半导体结构,其包括:掺杂的衬底;掺杂的衬底包括N型掺杂衬底和/或P型掺杂衬底;在衬底上形成有介质层;在介质层上形成有焊盘结构,所述衬底位于所述焊盘结构正下方的区域内无掺杂阱。本申请减小了焊盘的输入电...
  • 本发明的实施例提供了一种用于形成TSV结构的方法。在一些实施例中,缓冲结构与TSV区中的伪器件相邻形成。通过在TSV区中引入与伪器件的端部栅结构相邻的缓冲结构,可以消除残留的金属材料,从而避免在TSV结构的制造中产生电弧。本申请的实施例还涉...
  • 本发明公开了一种TSV结构及其制备方法,该结构包括:沿硅衬底的厚度方向设置的硅通孔;硅通孔的开口轮廓呈跑道形,硅通孔的侧壁沿着硅衬底的厚度方向逐渐收缩,使得硅通孔在垂直截面上呈现出倒梯形轮廓;硅通孔的内表面上设置有绝缘层和金属填充层,且金属...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法、电子设备,包括:透明基板;三维互连封装单元,设置于所述透明基板的第一表面;光学功能层,设置于所述透明基板的第二表面,所述光学功能层通过整面式键合工艺与所述透明基板键合;采用透明基板‑三维互连‑光学功能...
  • 提供一种半导体模块及半导体模块的制造方法,所述半导体模块具备:框体部,其收纳半导体芯片;至少一个端子,其与所述半导体芯片电连接;以及螺母保持部,其具有用于与所述端子连结的螺母,并沿着预先确定的插入方向插入所述框体部。所述螺母保持部可以具有第...
  • 一种抑制胶带剥离的引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。引线框架具有:芯片垫、引脚、汇流条及胶带。芯片垫具有半导体芯片的搭载面。引脚配置在芯片垫的周围。汇流条设于芯片垫与引脚之间,由支承引脚支承。胶带被粘贴于引脚及支承引脚。支承引脚在从...
  • 本公开涉及封装的半导体器件及用于封装的方法。一种封装的半导体器件包括:器件管芯、至少一个器件接触、基板、以及至少一个基板接触。器件管芯具有第一器件侧面和与第一器件侧面相反的第二器件侧面。至少一个器件接触布置于器件管芯的第一器件侧面。基板具有...
  • 本申请提供一种功率模块的布局结构,所述功率模块的布局结构包括:绝缘基板;第一导电薄膜,位于所述绝缘基板表面,所述第一导电薄膜上形成有若干呈阵列分布的上桥芯片;第二导电薄膜,位于所述绝缘基板表面,同一列的上桥芯片的源极通过与所述绝缘基板的长度...
  • 本发明公开一种铜和铝的导电结构及其制作方法,其中铜和铝的导电结构包含一铝导线,一第一介电层覆盖铝导线,一接触洞穿透第一介电层,一第一扩散阻障层填入接触洞并且接触接触洞的侧壁,一第一铜导线填入接触洞,其中第一扩散阻障层接触并环绕第一铜导线,一...
  • 本发明公开了一种半导体存储器件,衬底,包括器件隔离层和器件隔离层隔离出的多个有源区;绝缘夹层,位于衬底上;位线接触凹槽,位于衬底中;多根位线,位于绝缘夹层上且位于位线接触凹槽内,位于绝缘夹层上的位线与位于位线接触凹槽中的位线为交替排列;其中...
  • 本公开提供一种具有多孔层的半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括:一基板;一底部互连层,设置于该基板中;一底部介电层,设置于该基板上;一互连结构,沿着该底部介电层而设置,设置于该底部互连层上,并且设置于该底部介电层上;多个衬层,横向地设置...
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